公开(公告)号：US20140042593A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13571455

申请日：2012-08-10

申请人： Anton Mauder ,  Reinhard Ploss ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Reinhard Ploss ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/225 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/743 ,  H01L23/36 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/167 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate. A first trench extends into or through the semiconductor substrate from a first side. A semiconductor layer adjoins the semiconductor substrate at the first side. The semiconductor layer caps the first trench at the first side. The semiconductor device further includes a contact at a second side of the semiconductor substrate opposite to the first side.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底。 第一沟槽从第一侧延伸进入或穿过半导体衬底。 半导体层在第一侧邻接半导体衬底。 半导体层在第一侧覆盖第一沟槽。 半导体器件还包括在与第一侧相对的半导体衬底的第二侧的接触。

公开(公告)号：US20130234297A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13415340

申请日：2012-03-08

申请人： Alexander Breymesser ,  Andre Brockmeier ,  Francisco Javier Santos Rodriguez ,  Hans-Joachim Schulze ,  Carsten von Koblinski ,  Gerhard Schmidt

发明人： Alexander Breymesser ,  Andre Brockmeier ,  Francisco Javier Santos Rodriguez ,  Hans-Joachim Schulze ,  Carsten von Koblinski ,  Gerhard Schmidt

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/564 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A cavity is formed in a working surface of a substrate in which a semiconductor element is formed. A glass piece formed from a glass material is bonded to the substrate, and the cavity is filled with the glass material. For example, a pre-patterned glass piece is used which includes a protrusion fitting into the cavity. Cavities with widths of more than 10 micrometers are filled fast and reliably. The cavities may have inclined sidewalls.

摘要翻译： 在其中形成半导体元件的基板的工作表面中形成空腔。 将由玻璃材料形成的玻璃片接合到基板上，并且用玻璃材料填充空腔。 例如，使用预先图案化的玻璃片，其包括配合到空腔中的突起。 宽度大于10微米的腔体被快速可靠地填充。 空腔可以具有倾斜的侧壁。

公开(公告)号：US20130175529A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：US13347749

申请日：2012-01-11

申请人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Philipp Seng

发明人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Philipp Seng

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/456 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/861

摘要： A semiconductor diode is provided. The semiconductor diode includes a monocrystalline silicon semiconductor body including a first semiconductor region of a first conductivity type extending to a first surface of the semiconductor body and having a first maximum doping concentration, and a second semiconductor region of a second conductivity type forming a pn-junction with the first semiconductor region. The semiconductor diode further includes a polycrystalline silicon semiconductor region of the first conductivity type having a second maximum doping concentration which is higher than the first maximum doping concentration and adjoining the first semiconductor region on the first surface, a first metallization arranged on the polycrystalline silicon semiconductor region and in electric contact with the polycrystalline semiconductor region, and an edge-termination structure arranged next to the first semiconductor region. Further, a method for producing a semiconductor diode is provided.

摘要翻译： 提供半导体二极管。 半导体二极管包括单晶硅半导体本体，其包括延伸到半导体本体的第一表面并具有第一最大掺杂浓度的第一导电类型的第一半导体区域和形成第二导电类型的第二导电类型的第二半导体区域， 与第一半导体区域的连接。 半导体二极管还包括第一导电类型的多晶硅半导体区域，其具有高于第一最大掺杂浓度的第二最大掺杂浓度并与第一表面上的第一半导体区相邻，布置在多晶硅半导体上的第一金属化层 区域并与多晶半导体区域电接触，以及边缘端接结构，其布置在第一半导体区域的旁边。 此外，提供了一种用于制造半导体二极管的方法。

公开(公告)号：US08466046B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US13407728

申请日：2012-02-28

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Francisco Javier Santos Rodriguez

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Francisco Javier Santos Rodriguez

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02658 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/8611 ,  Y10T428/218

摘要： A method may include producing at least one trench in a semiconductor body, starting from a surface of the semiconductor body, then producing at least one porous semiconductor body region in the semiconductor body starting from the at least one trench at least along a portion of the side walls of the trench, and then filling the trench with a semiconductor material of the semiconductor body.

摘要翻译： 一种方法可以包括从半导体本体的表面开始产生半导体本体中的至少一个沟槽，然后至少沿着半导体本体的一部分从至少一个沟槽起始在半导体本体中产生至少一个多孔半导体本体区域 沟槽的侧壁，然后用半导体本体的半导体材料填充沟槽。

公开(公告)号：US08415710B2

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：US13022386

申请日：2011-02-07

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Franz-Josef Niedernostheide ,  Uwe Kellner-Werdehausen ,  Reiner Barthelmess

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Franz-Josef Niedernostheide ,  Uwe Kellner-Werdehausen ,  Reiner Barthelmess

IPC分类号： H01L29/74

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/7428

摘要： A bipolar power semiconductor component configured as an IGBT includes a semiconductor body, in which a p-doped emitter, an n-doped base, a p-doped base and an n-doped main emitter are arranged successively in a vertical direction. The p-doped emitter has a number of heavily p-doped zones having a locally increased p-type doping.

摘要翻译： 配置为IGBT的双极性功率半导体元件包括半导体本体，其中p掺杂发射极，n掺杂基极，p掺杂基极和n掺杂主发射极在垂直方向上连续布置。 p掺杂发射极具有多个具有局部增加的p型掺杂的高p掺杂区。

公开(公告)号：US20130065379A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13229861

申请日：2011-09-12

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Francisco Javier Santos Rodriguez ,  Anton Mauder ,  Johannes Baumgartl ,  Carsten Ahrens

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Francisco Javier Santos Rodriguez ,  Anton Mauder ,  Johannes Baumgartl ,  Carsten Ahrens

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/3223 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/1608

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes forming a porous area of a semiconductor body. The semiconductor body includes a porous structure in the porous area. A semiconductor layer is formed on the porous area. Semiconductor regions are formed in the semiconductor layer. Then, the semiconductor layer is separated from the semiconductor body along the porous area, including introducing hydrogen into the porous area by a thermal treatment.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括形成半导体本体的多孔区域。 半导体本体在多孔区域中包括多孔结构。 在多孔区域上形成半导体层。 在半导体层中形成半导体区域。 然后，半导体层沿着多孔区域与半导体本体分离，包括通过热处理将氢引入多孔区域。

公开(公告)号：US20130049203A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13220284

申请日：2011-08-29

申请人： Carsten Ahrens ,  Johannes Baumgartl ,  Francisco Javier Santos Rodriguez ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Carsten Ahrens ,  Johannes Baumgartl ,  Francisco Javier Santos Rodriguez ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/743 ,  H01L23/535 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device with a buried electrode is manufactured by forming a cavity within a semiconductor substrate, forming an active device region in an epitaxial layer disposed on the semiconductor substrate and forming the buried electrode below the active device region in the cavity. The buried electrode is formed from an electrically conductive material different than the material of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 通过在半导体衬底内形成空腔来制造具有埋电极的半导体器件，在设置在半导体衬底上的外延层中形成有源器件区域，并在空腔中的有源器件区域下方形成埋置电极。 掩埋电极由不同于半导体衬底的材料的导电材料形成。

公开(公告)号：US08378384B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US11864584

申请日：2007-09-28

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Hans-Joerg Timme ,  Helmut Strack

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Hans-Joerg Timme ,  Helmut Strack

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L31/102

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/263 ,  H01L21/3221 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/26

摘要： A wafer includes a wafer frontside surface and a region adjacent to the wafer frontside surface. The region includes oxygen precipitates and the wafer frontside includes a predetermined surface structure to form thereon a device with a desired property.

摘要翻译： 晶片包括晶片前侧表面和与晶片前侧表面相邻的区域。 该区域包括氧沉淀物，并且晶片正面包括预定的表面结构以在其上形成具有所需性质的器件。

公开(公告)号：US08349646B2

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US12949332

申请日：2010-11-18

申请人： Hans-Joachim Schulze

发明人： Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/06

CPC分类号： H01L21/3225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/26506

摘要： A semiconductor wafer for semiconductor components and to a method for its production is disclosed. In one embodiment, the semiconductor wafer includes a front side with an adjoining near-surface active zone as basic material for semiconductor component structures. The rear side of the semiconductor wafer is adjoined by a getter zone for gettering impurity atoms in the semiconductor wafer. The getter zone contains oxygen precipitates. In the near-surface active zone, atoms of doping material are located on lattice vacancies. The atoms of doping material have a higher diffusion coefficient that the oxygen atoms.

摘要翻译： 公开了一种用于半导体部件的半导体晶片及其制造方法。 在一个实施例中，半导体晶片包括具有邻近的近表面活性区的前侧，作为半导体元件结构的基本材料。 半导体晶片的后侧与用于吸收半导体晶片中的杂质原子的吸气区相邻。 吸气区包含氧沉淀。 在近表面活性区，掺杂材料的原子位于晶格空位上。 掺杂原子具有较高的扩散系数，即氧原子。

公开(公告)号：US20120292773A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13110653

申请日：2011-05-18

申请人： Khalil Hosseini ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Khalil Hosseini ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/78

CPC分类号： C23C4/005 ,  C23C4/01 ,  C23C4/08 ,  C23C4/134 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/741 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/03332 ,  H01L2224/03442 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05824 ,  H01L2224/05847 ,  H01L2224/05939 ,  H01L2224/05944 ,  H01L2224/05966 ,  H01L2224/05979 ,  H01L2224/0598 ,  H01L2224/05981 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/27442 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/292 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29466 ,  H01L2224/29479 ,  H01L2224/2948 ,  H01L2224/29481 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012

摘要： A method produces a metal layer on a semiconductor substrate. A metal layer is produced on the semiconductor substrate by depositing metal particles. The metal particles include cores made of a first metal material and shells surrounding the cores. The shells are made of a second metal material that is resistant to oxidation.

摘要翻译： 一种方法在半导体衬底上产生金属层。 通过沉积金属颗粒在半导体衬底上产生金属层。 金属颗粒包括由第一金属材料制成的芯和围绕芯的壳。 壳体由耐氧化的第二金属材料制成。