公开(公告)号：US07166954B2

公开(公告)日：2007-01-23

申请号：US10980749

申请日：2004-11-03

申请人： Hiromu Miyazawa ,  Takeshi Kijima ,  Takamitsu Higuchi ,  Setsuya Iwashita

发明人： Hiromu Miyazawa ,  Takeshi Kijima ,  Takamitsu Higuchi ,  Setsuya Iwashita

IPC分类号： H01L41/187 ,  H03H9/25

CPC分类号： H03H9/02133 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  F04B43/046 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/172 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174

摘要： A piezoelectric film is provided that is represented by the following general formula: Pb1−b[((X1/3Nb2/3)1−cB′c)1−aYa]O3 wherein X is at least one of Mg, Zn and Ni; B′ is at least one of Zr, Ti and Hf; Y is at least one of V, Nb, Ta, Cr, Mo and W; a satisfies 0.05≦a

摘要翻译： 提供了由以下通式表示的压电膜：Pb 1-b [（（X 1/3 Nb 2/3） ）1-c B'C 1）a-1-a a a a 3 a / 3 >其中X是Mg，Zn和Ni中的至少一种; B'是Zr，Ti和Hf中的至少一种; Y是V，Nb，Ta，Cr，Mo和W中的至少一种; a满足0.05 <= a <0.30; b满足0.025 <= b <= 0.15; 当X为Mg时，c满足0.25 <= c <= 0.35; 当X为Ni时，c满足0.30 <= c <0.40; 当X为Zn时，c满足0.05 <= c <0.15。

公开(公告)号：US20060234395A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11403994

申请日：2006-04-13

申请人： Takeshi Kijima

发明人： Takeshi Kijima

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02197 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： A method for manufacturing a perovskite type oxide layer includes the steps of: forming, above a substrate, a first oxide layer composed of perovskite type oxide; forming, above the first oxide layer, a second oxide layer composed of at least one of a perovskite type oxide layer crystallized at a temperature lower than a crystallization temperature of the first oxide layer and a pyrochlore layer having elements identical with elements of the perovskite type oxide; forming an electrode layer above the second oxide layer; and conducting a heat treatment.

摘要翻译： 一种钙钛矿型氧化物层的制造方法，其特征在于，在基板上形成由钙钛矿型氧化物构成的第一氧化物层， 在所述第一氧化物层的上方形成第二氧化物层，所述第二氧化物层由在比所述第一氧化物层的结晶温度低的温度下结晶的钙钛矿型氧化物层和具有与所述钙钛矿型元素相同的元素的烧绿石层中的至少一种 氧化物 在所述第二氧化物层上形成电极层; 并进行热处理。

公开(公告)号：US20060138906A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11304938

申请日：2005-12-15

申请人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

发明人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： B41J2/14233 ,  F04B43/046 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973

摘要： A piezoelectric device including: a substrate; a first conductive layer formed over the substrate, the first conductive layer including a conductive oxide layer formed of a (001) preferentially oriented lanthanum nickelate, and the lanthanum nickelate having oxygen deficiency; a piezoelectric layer formed over the first conductive layer and including a piezoelectric having a perovskite structure; and a second conductive layer electrically connected with the piezoelectric layer.

摘要翻译： 一种压电装置，包括：基板; 形成在所述基板上的第一导电层，所述第一导电层包括由（001）优先取向的镧镍酸盐形成的导电氧化物层和所述镍缺乏的所述镍酸镧; 形成在所述第一导电层上并包括具有钙钛矿结构的压电体的压电层; 以及与压电层电连接的第二导电层。

公开(公告)号：US20050271823A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：US11129475

申请日：2005-05-16

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Mayumi Ueno

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Mayumi Ueno

IPC分类号： B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/135 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  C01G25/00 ,  C01G33/00 ,  C04B35/49 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C23C18/12 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/318 ,  H01L41/39 ,  B05D5/12 ,  C04B35/46 ,  C04B35/48

CPC分类号： C04B35/493 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C01G25/00 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/761 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： To provide precursor compositions for forming ferroelectric, methods for manufacturing precursor compositions, and methods for forming ferroelectric films using precursor compositions, which have excellent composition controllability in a liquid phase method, and in which metal compositions such as lead can be reused. A precursor composition pertains to a precursor composition including a precursor for forming a ferroelectric, wherein the ferroelectric is expressed by a general formula of AB1-xCxO3, where an element A is composed of at least Pb, an element B is composed of at least one of Zr, Ti, V, W and Hf, an element C is composed of at least one of Nb and Ta, and the precursor includes at least the element B and the element C, and has an ester-bond in a part thereof.

摘要翻译： 提供用于形成铁电体的前体组合物，用于制备前体组合物的方法，以及使用在液相法中具有优异的组成可控性的前体组合物形成铁电体膜的方法，其中可以重复使用诸如铅的金属组合物。 前体组合物涉及包含用于形成铁电体的前体的前体组合物，其中铁电体由通式为AB 1-x C x O O 3元素A至少由Pb构成，元素B由Zr，Ti，V，W和Hf中的至少一种构成，元素C由Nb和Ta中的至少一种构成 ，并且前体至少包含元素B和元素C，并且其一部分具有酯键。

公开(公告)号：US20050236654A1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：US11104572

申请日：2005-04-13

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/135 ,  B41J2/14 ,  B41J2/145 ,  C01G25/00 ,  C01G33/00 ,  C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/29 ,  H01L41/39 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L28/55 ,  B41J2/14233 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/65 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： To provide ferroelectric film laminated bodies with few crystal defects and having excellent characteristics. A ferroelectric film laminated body includes an electrode and a PZT system ferroelectric film formed on the electrode. In the ferroelectric film, Nb replaces Ti composition by 2.5 mol % or more but 40 mol % or less, and the electrode does not include almost any oxygen that diffuses from the ferroelectric film.

摘要翻译： 提供具有很少晶体缺陷并且具有优异特性的铁电薄膜层叠体。 铁电体膜层叠体包括在电极上形成的电极和PZT系铁电膜。 在铁电体膜中，Nb代替Ti成分为2.5摩尔％以上且40摩尔％以下，并且电极不包含几乎从铁电体膜扩散的氧。

公开(公告)号：US20050167712A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11035129

申请日：2005-01-14

申请人： Takeshi Kijima ,  Hiromu Miyazawa ,  Yasuaki Hamada

发明人： Takeshi Kijima ,  Hiromu Miyazawa ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C23C18/12 ,  H01B3/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L41/04 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L21/02197 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C23C18/1216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： To provide ferroelectric films with which highly reliable ferroelectric devices can be obtained. A ferroelectric film comprised of a perovskite structure ferroelectric shown by ABO3, including at least one type of Si2+, Ge2+ and Sn2+ as an A site doping ion, and at least Nb5+ as a B site doping ion.

摘要翻译： 提供可获得高可靠性的铁电体元件的铁电体膜。 由ABO 3所示的钙钛矿结构铁电体构成的铁电体膜，其包含至少一种类型的Si 2+，Ge 2+和Sn 2+作为A位点掺杂离子，至少Nb 5+作为B位点掺杂。

公开(公告)号：US06307225B1

公开(公告)日：2001-10-23

申请号：US09596574

申请日：2000-06-16

申请人： Takeshi Kijima ,  Hironori Matsunaga

发明人： Takeshi Kijima ,  Hironori Matsunaga

IPC分类号： H01L2176

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78391 ,  Y10S148/081 ,  Y10S148/118

摘要： A bismuth silicate film (insulating film) 3 of Bi2SiO5 oriented predominantly in the direction of (100) is formed on a Si substrate 2 and a ferroelectric thin film 4 is formed on the bismuth silicate film 3 to create an MFIS structure having a c-axis-oriented ferroelectric thin film 4 formed with good reproducibility. A highly reliable thin film device is produced by applying the MFIS structure to a FET.

摘要翻译： 主要在（100）方向取向的Bi2SiO5的铋硅酸盐膜（绝缘膜）3形成在Si衬底2上，并且在硅酸铋膜3上形成铁电薄膜4，以产生具有c- 轴向取向的铁电薄膜4形成有良好的再现性。 通过将MFIS结构应用于FET来制造高度可靠的薄膜器件。

公开(公告)号：US5821005A

公开(公告)日：1998-10-13

申请号：US612584

申请日：1996-03-08

申请人： Takeshi Kijima ,  Sakiko Satoh ,  Hironori Matsunaga ,  Masayoshi Koba

发明人： Takeshi Kijima ,  Sakiko Satoh ,  Hironori Matsunaga ,  Masayoshi Koba

IPC分类号： C01G29/00 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  H01B3/00 ,  H01B3/12 ,  H01B17/60 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L49/02 ,  B32B9/00

CPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/0272

摘要： A ferroelectrics thin-film coated substrate is manufactured in a low-temperature process by using a ferroelectrics having a dense and even surface and exhibiting a large residual spontaneous polarization. A ferroelectrics thin-film coated substrate has a structure with a buffer layer, a growth layer allowing a ferroelectrics thin-film to grow, and a ferroelectrics thin-film made of a ferroelectric material having a layered crystalline structure expressed in the chemical formula Bi.sub.2 A.sub.m-1 B.sub.m O.sub.3m+3 (A is selected from Na.sup.1+, K.sup.1+, Pb.sup.2+, Ca.sup.2+, Sr.sup.2+, Ba.sup.2+, Bi.sup.3+ and the like, B is selected from Fe.sup.3+, Ti.sup.4+, Nb.sup.5+, Ta.sup.5+, W.sup.6+ and Mo.sup.6+, and m is an integer not less than 1) formed in succession.

摘要翻译： 通过使用具有致密且均匀的表面并表现出大的残余自发极化的铁电体，在低温工艺中制造铁电薄膜涂覆基板。 铁电薄膜被覆基板具有缓冲层，允许铁电体薄膜生长的生长层的结构，以及由化学式Bi2 Am表示的具有层状结晶结构的铁电体的铁电体薄膜 -1 Bm O3m + 3（A选自Na1 +，K1 +，Pb2 +，Ca2 +，Sr2 +，Ba2 +，Bi3 +等，B选自Fe3 +，Ti4 +，Nb5 +，Ta5 +，W6 +和Mo6 +，m为整数 小于1）。

公开(公告)号：US5757061A

公开(公告)日：1998-05-26

申请号：US643302

申请日：1996-05-08

申请人： Sakiko Satoh ,  Takeshi Kijima ,  Hironori Matsunaga ,  Masayoshi Koba

发明人： Sakiko Satoh ,  Takeshi Kijima ,  Hironori Matsunaga ,  Masayoshi Koba

IPC分类号： C01G29/00 ,  C30B29/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L37/02 ,  H01L49/02 ,  H01L29/00 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062

CPC分类号： H01L28/56

摘要： A ferroelectric thin film coated substrate is obtained by a producing method of forming a crystalline thin film on a substrate by means of a MOCVD method at a substrate temperature at which crystal grows and of forming a ferroelectric thin film on the crystalline thin film by means of the MOCVD method at a film forming temperature, which is lower than the film forming temperature of the crystalline thin film. This producing method makes it possible to produce a ferroelectric thin film, where a surface of the thin film is dense and even, leakage current properties are excellent and sufficiently large remanent spontaneous polarization is shown, at a lower temperature.

摘要翻译： 通过在晶体生长的衬底温度下通过MOCVD法在衬底上形成结晶薄膜并在结晶薄膜上形成铁电薄膜的方法获得铁电薄膜涂覆衬底，借助于 在成膜温度下的MOCVD方法，其低于结晶薄膜的成膜温度。 通过该制造方法，能够在较低温度下制造薄膜的表面致密且均匀，漏电流特性优异，剩余自发极化足够大的强电介质薄膜。

公开(公告)号：US09486834B2

公开(公告)日：2016-11-08

申请号：US14235626

申请日：2011-07-29

申请人： Takeshi Kijima ,  Yuuji Honda

发明人： Takeshi Kijima ,  Yuuji Honda

IPC分类号： H01L41/187 ,  H01L41/083 ,  H01L41/318 ,  B05D5/00 ,  H01L41/08

CPC分类号： H01L41/0815 ,  B05D1/005 ,  B05D3/0254 ,  B05D5/00 ,  B05D7/54 ,  H01L41/187 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318 ,  Y10T428/26

摘要： To produce a ferroelectric film formed of a lead-free material. The ferroelectric film according to an aspect of the present invention includes a (K1−XNaX)NbO3 film or a BiFeO3 film having a perovskite structure and a crystalline oxide preferentially oriented to (001) formed on at least one of the upper side and lower side of the (K1−XNaX)NbO3 film or BiFeO3 film, and X satisfies the formula below 0.3≦X≦0.7.

摘要翻译： 制造由无铅材料形成的铁电体膜。 根据本发明的一个方面的铁电体膜包括（K1-XNaX）NbO3膜或具有钙钛矿结构的BiFeO 3膜和优先取向成（001）的结晶氧化物，其形成在上侧和下侧的至少一个上 的（K1-XNaX）NbO3膜或BiFeO3膜，X满足下式0.3≤nlE; X＆lt; l1; 0.7。