公开(公告)号：US08624281B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US12974621

申请日：2010-12-21

申请人： Frederic S. Diana ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Frederic S. Diana ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/60 ,  F21K9/64 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L33/483 ,  H01L33/50 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method for increasing the luminous efficacy of a white light emitting diode (WLED), comprising introducing optically functional interfaces between an LED die and a phosphor, and between the phosphor and an outer medium, wherein at least one of the interfaces between the phosphor and the LED die provides a reflectance for light emitted by the phosphor away from the outer medium and a transmittance for light emitted by the LED die. Thus, a WLED may comprise a first material which surrounds an LED die, a phosphor layer, and at least one additional layer or material which is transparent for direct LED emission and reflective for the phosphor emission, placed between the phosphor layer and the first material which surrounds the LED die.

摘要翻译： 一种用于增加白光发光二极管（WLED）的发光效率的方法，包括在LED管芯和荧光体之间以及在所述荧光体和外部介质之间引入光学功能界面，其中所述荧光体和 LED管芯提供对由荧光体远离外部介质发出的光的反射率以及由LED管芯发射的光的透射率。 因此，WLED可以包括围绕LED管芯，荧光体层以及放置在荧光体层和第一材料之间的用于直接LED发射和反射用于荧光体发射的透明的至少一个附加层或材料的第一材料 其围绕LED管芯。

公开(公告)号：US08536618B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US12938872

申请日：2010-11-03

申请人： Jacob J. Richardson ,  Daniel B. Thompson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Maryann E. Lange

发明人： Jacob J. Richardson ,  Daniel B. Thompson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Frederick F. Lange ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L21/288 ,  H01L33/007 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： A method of fabricating a Light Emitting Diode with improved light extraction efficiency, comprising depositing a plurality of Zinc Oxide (ZnO) nanorods on one or more surfaces of a III-Nitride based LED, by growing the ZnO nanorods from an aqueous solution, wherein the surfaces are different from c-plane surfaces of III-Nitride and transmit light generated by the LED.

摘要翻译： 一种制备具有改进的光提取效率的发光二极管的方法，包括通过从水溶液中生长ZnO纳米棒，在III-氮化物基LED的一个或多个表面上沉积多个氧化锌（ZnO）纳米棒，其中 表面与III型氮化物的c面不同，透过LED产生的光。

公开(公告)号：US08481991B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US12861652

申请日：2010-08-23

申请人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

发明人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/32 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3425 ,  H01S2301/173

摘要： An epitaxial structure for a III-Nitride based optical device, comprising an active layer with anisotropic strain on an underlying layer, where a lattice constant and strain in the underlying layer are partially or fully relaxed in at least one direction due to a presence of misfit dislocations, so that the anisotropic strain in the active layer is modulated by the underlying layer.

摘要翻译： 用于基于III-Nitride的光学器件的外延结构，其包括在下层上具有各向异性应变的活性层，其中由于存在失配而使底层中的晶格常数和应变在至少一个方向上部分或完全松弛 位错，使得有源层中的各向异性应变被下层调制。

公开(公告)号：US20120138891A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13282794

申请日：2011-10-27

申请人： Roy B. Chung ,  Changseok Han ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Roy B. Chung ,  Changseok Han ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： A method for reduction of efficiency droop using an (Al, In, Ga)N/AlxIn1-xN superlattice electron blocking layer (SL-EBL) in nitride based light emitting diodes.

摘要翻译： 在氮化物基发光二极管中使用（Al，In，Ga）N / Al x In 1-x N超晶格电子阻挡层（SL-EBL）降低效率下降的方法。

公开(公告)号：US20120126198A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13283193

申请日：2011-10-27

申请人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Shinichi Tanaka ,  Junichi Sonoda ,  Hung Tse Chen ,  Chih-Chien Pan

发明人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Shinichi Tanaka ,  Junichi Sonoda ,  Hung Tse Chen ,  Chih-Chien Pan

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/04 ,  H01L33/20

摘要： A light emitting diode (LED) device structure with a reduced Droop effect, and a method for fabricating the LED device structure. The LED is a III-nitride-based LED having an active layer or emitting layer comprised of a multi-quantum-well (MQW) structure, wherein there are eight or more quantum wells (QWs) in the MQW structure, and more preferably, at least nine QWs in the MQW structure. Moreover, the QWs in the MQW structure are grown at temperatures different from barrier layers in the MQW structure, wherein the barrier layers in the MQW structure are grown a temperatures at least 40° C. higher than the QWs in the MQW structure.

摘要翻译： 具有降低的Droop效应的发光二极管（LED）器件结构以及制造LED器件结构的方法。 LED是具有由多量子阱（MQW）结构构成的有源层或发射层的III族氮化物基LED，其中在MQW结构中存在八个或更多个量子阱（QW），更优选地， MQW结构中至少有九个QW。 此外，MQW结构中的QWs在不同于MQW结构中的阻挡层的温度下生长，其中MQW结构中的阻挡层的生长比MQW结构中的QW高至少40℃。

公开(公告)号：US08148713B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12419119

申请日：2009-04-06

申请人： Hitoshi Sato ,  Hirohiko Hirasawa ,  Roy B. Chung ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Hitoshi Sato ,  Hirohiko Hirasawa ,  Roy B. Chung ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/02 ,  H01L33/08 ,  Y10S977/755

摘要： A yellow Light Emitting Diode (LED) with a peak emission wavelength in the range 560-580 nm is disclosed. The LED is grown on one or more III-nitride-based semipolar planes and an active layer of the LED is composed of indium (In) containing single or multi-quantum well structures. The LED quantum wells have a thickness in the range 2-7 nm. A multi-color LED or white LED comprised of at least one semipolar yellow LED is also disclosed.

公开(公告)号：US08080469B2

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：US12234340

申请日：2008-09-19

申请人： Asako Hirai ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Asako Hirai ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： C30B33/00 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/2003

摘要： A method for fabricating a high quality freestanding nonpolar and semipolar nitride substrate with increased surface area, comprising stacking multiple films by growing the films one on top of each other with different and non-orthogonal growth directions.

摘要翻译： 一种用于制造具有增加的表面积的高质量独立非极性和半极性氮化物衬底的方法，包括通过用不同的和非正交的生长方向将膜形成在一个层叠上来堆叠多个膜。

公开(公告)号：US08044417B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12364258

申请日：2009-02-02

申请人： Hisashi Masui ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

发明人： Hisashi Masui ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/34 ,  H01L33/16

摘要： An increase in the Indium (In) content in light-emitting layers of light-emitting diode (LED) structures prepared on nonpolar III-nitride substrates result in higher polarization ratios for light emission than LED structures containing lesser In content. Polarization ratios should be higher than 0.7 at wavelengths longer than 470 nm.

摘要翻译： 在非极性III族氮化物衬底上制备的发光二极管（LED）结构的发光层中的铟（In）含量的增加导致与含有较少In含量的LED结构相比较高的发光极化比。 在470nm以上的波长下，极化率应高于0.7。

公开(公告)号：US20110253187A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13089138

申请日：2011-04-18

申请人： Hiroaki Ohta ,  Alexander Sztein ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hiroaki Ohta ,  Alexander Sztein ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L35/22

CPC分类号： H01L35/22

摘要： A method to suppress thermal conductivities of nitride films by using stacking faults and/or nano-scale In-composition fluctuation(s). Therefore, the present invention reduces thermal conductivity of nitride while keeping electrical conductivity high. In addition, In composition fluctuations can enhance the Seebeck coefficient through thermionic emission. The present invention further discloses a nitride based (e.g. GaN) thermoelectric lateral device with a short length.

摘要翻译： 通过使用堆垛层错和/或纳米级组成波动来抑制氮化物膜的热导率的方法。 因此，本发明降低氮化物的导热性，同时保持导电性高。 此外，组成波动可以通过热电子发射增强塞贝克系数。 本发明还公开了一种具有短长度的氮化物基（例如GaN）热电横向装置。

公开(公告)号：US20110243172A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13080260

申请日：2011-04-05

申请人： You-Da Lin ,  Hiroaki Ohta ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck

发明人： You-Da Lin ,  Hiroaki Ohta ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/342 ,  H01S2304/04

摘要： A semipolar plane III-nitride semiconductor-based laser diode or light emitting diode, comprising a semipolar Indium containing multiple quantum wells for emitting light, having Aluminum containing quantum well barriers, wherein the Indium containing multiple quantum well and Aluminum containing barriers are grown in a semipolar orientation on a semipolar plane.

摘要翻译： 一种半极性III族氮化物半导体激光二极管或发光二极管，其包含含有多个用于发光的量子阱的半极性铟，其具有含铝的量子阱屏障，其中含有多量子阱和含铝屏障的铟在 在半极性平面上的半极性取向。