公开(公告)号：US20070200257A1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：US11307862

申请日：2006-02-25

申请人： Seng Guan Chow ,  Heap Hoe Kuan ,  Dioscoro Merilo ,  Antonio Dimaano

发明人： Seng Guan Chow ,  Heap Hoe Kuan ,  Dioscoro Merilo ,  Antonio Dimaano

IPC分类号： H01L23/28

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/03 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A stackable integrated circuit package system is provided forming a first integrated circuit die having an interconnect provided thereon, forming an external interconnect, having an upper tip and a lower tip, from a lead frame, mounting the first integrated circuit die on the external interconnect with the interconnect on the lower tip and below the upper tip, and encapsulating around the interconnect with an exposed surface.

摘要翻译： 提供一种可堆叠的集成电路封装系统，其形成具有设置在其上的互连的第一集成电路管芯，从引线框架形成具有上端和下端的外部互连件，将第一集成电路管芯安装在外部互连上， 在下端部和下端部之间的互连，并且在互连件周围用暴露的表面封装。

公开(公告)号：US20070209834A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11276645

申请日：2006-03-08

申请人： Heap Hoe Kuan ,  Tsz Yin Ho ,  Dioscoro Merilo ,  Seng Guan Chow ,  Antonio Dimaano

发明人： Heap Hoe Kuan ,  Tsz Yin Ho ,  Dioscoro Merilo ,  Seng Guan Chow ,  Antonio Dimaano

IPC分类号： H01R13/46 ,  H05K5/00

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599

摘要： An integrated circuit leaded stacked package system including forming an no-lead integrated circuit package having a mold cap, and attaching a mold cap of an extended-lead integrated circuit package facing the mold cap of the no-lead integrated circuit package.

摘要翻译： 一种集成电路引线堆叠封装系统，包括形成具有模具帽的无引线集成电路封装，以及附接面向无引线集成电路封装的模具帽的延伸引线集成电路封装的模具盖。

公开(公告)号：US20070200230A1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：US11307906

申请日：2006-02-27

申请人： Seng Guan Chow ,  Heap Hoe Kuan ,  Dioscoro Merilo ,  Antonio Dimaano

发明人： Seng Guan Chow ,  Heap Hoe Kuan ,  Dioscoro Merilo ,  Antonio Dimaano

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L24/91 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00

摘要： A stackable integrated circuit package system is provided placing a first integrated circuit die having an interconnect provided thereon in a substrate having a cavity, encapsulating the first integrated circuit die, having the interconnect exposed, in the cavity and along a first side of the substrate, mounting a second integrated circuit die to the first integrated circuit die, and encapsulating the second integrated circuit die along a second side of the substrate.

摘要翻译： 提供了一种可堆叠的集成电路封装系统，其将具有设置在其上的互连的第一集成电路管芯放置在具有空腔的衬底中，所述衬底具有空腔，将具有互连的第一集成电路管芯在空腔中并沿着衬底的第一侧封装， 将第二集成电路管芯安装到第一集成电路管芯上，并沿着衬底的第二侧封装第二集成电路管芯。

公开(公告)号：US09236352B2

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：US13334556

申请日：2011-12-22

申请人： Reza A. Pagaila ,  Byung Tai Do ,  Shuangwu Huang ,  Nathapong Suthiwongsunthorn ,  Dioscoro Merilo

发明人： Reza A. Pagaila ,  Byung Tai Do ,  Shuangwu Huang ,  Nathapong Suthiwongsunthorn ,  Dioscoro Merilo

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/66 ,  H01L25/065 ,  H01L25/00 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/48 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/02122 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor wafer has a plurality of semiconductor die. A peripheral region is formed around the die. An insulating material is formed in the peripheral region. A portion of the insulating material is removed to form a through hole via (THV). A conductive material is deposited in the THV to form a conductive THV. A conductive layer is formed between the conductive THV and contact pads of the semiconductor die. A noise absorbing material is deposited in the peripheral region between the conductive THV to isolate the semiconductor die from intra-device interference. The noise absorbing material extends through the peripheral region from a first side of the semiconductor die to a second side of the semiconductor die. The noise absorbing material has an angular, semi-circular, or rectangular shape. The noise absorbing material can be dispersed in the peripheral region between the conductive THV.

摘要翻译： 半导体晶片具有多个半导体管芯。 围绕模具形成周边区域。 在周边区域形成绝缘材料。 绝缘材料的一部分被去除以形成通孔（THV）。 导电材料沉积在THV中以形成导电THV。 在导电THV和半导体管芯的接触焊盘之间形成导电层。 噪声吸收材料沉积在导电THV之间的周边区域中，以将半导体管芯与器件间干扰隔离。 噪声吸收材料从半导体管芯的第一侧延伸穿过周边区域到半导体管芯的第二侧。 噪声吸收材料具有角度，半圆形或矩形形状。 噪声吸收材料可以分散在导电THV之间的周边区域。

公开(公告)号：US20120091567A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13334556

申请日：2011-12-22

申请人： Reza A. Pagaila ,  Byung Tai Do ,  Shuangwu Huang ,  Nathapong Suthiwongsunthorn ,  Dioscoro Merilo

发明人： Reza A. Pagaila ,  Byung Tai Do ,  Shuangwu Huang ,  Nathapong Suthiwongsunthorn ,  Dioscoro Merilo

IPC分类号： H01L23/552

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/48 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/02122 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor wafer has a plurality of semiconductor die. A peripheral region is formed around the die. An insulating material is formed in the peripheral region. A portion of the insulating material is removed to form a through hole via (THV). A conductive material is deposited in the THV to form a conductive THV. A conductive layer is formed between the conductive THV and contact pads of the semiconductor die. A noise absorbing material is deposited in the peripheral region between the conductive THV to isolate the semiconductor die from intra-device interference. The noise absorbing material extends through the peripheral region from a first side of the semiconductor die to a second side of the semiconductor die. The noise absorbing material has an angular, semi-circular, or rectangular shape. The noise absorbing material can be dispersed in the peripheral region between the conductive THV.

摘要翻译： 半导体晶片具有多个半导体管芯。 围绕模具形成周边区域。 在周边区域形成绝缘材料。 绝缘材料的一部分被去除以形成通孔（THV）。 导电材料沉积在THV中以形成导电THV。 在导电THV和半导体管芯的接触焊盘之间形成导电层。 噪声吸收材料沉积在导电THV之间的周边区域中，以将半导体管芯与器件间干扰隔离。 噪声吸收材料从半导体管芯的第一侧延伸穿过周边区域到半导体管芯的第二侧。 噪声吸收材料具有角度，半圆形或矩形形状。 噪声吸收材料可以分散在导电THV之间的周边区域。

公开(公告)号：US20100230822A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12404069

申请日：2009-03-13

申请人： Reza A. Pagaila ,  Byung Tai Do ,  Shuangwu Huang ,  Nathapong Suthiwongsunthorn ,  Dioscoro Merilo

发明人： Reza A. Pagaila ,  Byung Tai Do ,  Shuangwu Huang ,  Nathapong Suthiwongsunthorn ,  Dioscoro Merilo

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/48 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/02122 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor wafer has a plurality of semiconductor die. A peripheral region is formed around the die. An insulating material is formed in the peripheral region. A portion of the insulating material is removed to form a through hole via (THV). A conductive material is deposited in the THV to form a conductive THV. A conductive layer is formed between the conductive THV and contact pads of the semiconductor die. A noise absorbing material is deposited in the peripheral region between the conductive THV to isolate the semiconductor die from intra-device interference. The noise absorbing material extends through the peripheral region from a first side of the semiconductor die to a second side of the semiconductor die. The noise absorbing material has an angular, semi-circular, or rectangular shape. The noise absorbing material can be dispersed in the peripheral region between the conductive THV.

摘要翻译： 半导体晶片具有多个半导体管芯。 围绕模具形成周边区域。 在周边区域形成绝缘材料。 绝缘材料的一部分被去除以形成通孔（THV）。 导电材料沉积在THV中以形成导电THV。 在导电THV和半导体管芯的接触焊盘之间形成导电层。 噪声吸收材料沉积在导电THV之间的周边区域中，以将半导体管芯与器件间干扰隔离。 噪声吸收材料从半导体管芯的第一侧延伸穿过周边区域到半导体管芯的第二侧。 噪声吸收材料具有角度，半圆形或矩形形状。 噪声吸收材料可以分散在导电THV之间的周边区域。

公开(公告)号：US20070246806A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11379332

申请日：2006-04-19

申请人： You Yang Ong ,  Dioscoro Merilo ,  Seng Guan Chow

发明人： You Yang Ong ,  Dioscoro Merilo ,  Seng Guan Chow

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4602

摘要： An embedded integrated circuit package system is provided forming a first conductive pattern on a first structure, connecting a first integrated circuit die on the first conductive pattern, forming a substrate forming encapsulation to cover the first integrated circuit die and the first conductive pattern, forming a channel in the substrate forming encapsulation, and applying a conductive material in the channel.

摘要翻译： 提供了一种在第一结构上形成第一导电图案的嵌入式集成电路封装系统，将第一集成电路管芯连接在第一导电图案上，形成衬底形成封装以覆盖第一集成电路管芯和第一导电图案，形成 在衬底形成封装中的通道，以及在沟道中施加导电材料。

公开(公告)号：US20070210443A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11276646

申请日：2006-03-08

申请人： Dioscoro Merilo ,  Seng Guan Chow ,  Antonio Dimaano ,  Heap Hoe Kuan ,  Tsz Yin Ho

发明人： Dioscoro Merilo ,  Seng Guan Chow ,  Antonio Dimaano ,  Heap Hoe Kuan ,  Tsz Yin Ho

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： An integrated circuit package on package system including forming an interconnect integrated circuit package and attaching an extended-lead integrated circuit package on the interconnect integrated circuit package wherein a mold cap of the extended-lead integrated circuit package faces a mold cap of the interconnect integrated circuit package.

摘要翻译： 一种集成电路封装在封装系统上，包括形成互连集成电路封装并将互连集成电路封装上的扩展引线集成电路封装，其中延伸引线集成电路封装的模帽面向互连集成电路的模具盖 包。

公开(公告)号：US20070210424A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11276647

申请日：2006-03-08

申请人： Tsz Yin Ho ,  Dioscoro Merilo ,  Seng Guan Chow ,  Antonio Dimaano ,  Heap Hoe Kuan

发明人： Tsz Yin Ho ,  Dioscoro Merilo ,  Seng Guan Chow ,  Antonio Dimaano ,  Heap Hoe Kuan

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit package in package system including forming a base integrated circuit package with a base lead having a portion with a substantially planar base surface, forming an extended-lead integrated circuit package with an extended lead having a portion with a substantially planar lead-end surface, and stacking the extended-lead integrated circuit package over the base integrated circuit package with the substantially planar lead-end surface coplanar with the substantially planar base surface.

摘要翻译： 一种封装系统中的集成电路封装，包括形成具有基部引线的基极集成电路封装，所述基极引线具有基本平坦的基面的部分，形成具有延伸引线的延伸引线集成电路封装，所述延伸引线具有基本平坦的引线端部分 表面，并且在基本集成电路封装上堆叠延伸引线集成电路封装，其中基本平坦的引出端表面与基本平坦的基面共面。

公开(公告)号：US08093151B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US12404069

申请日：2009-03-13

申请人： Reza A. Pagaila ,  Byung Tai Do ,  Shuangwu Huang ,  Nathapong Suthiwongsunthorn ,  Dioscoro Merilo

发明人： Reza A. Pagaila ,  Byung Tai Do ,  Shuangwu Huang ,  Nathapong Suthiwongsunthorn ,  Dioscoro Merilo

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/48 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/02122 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor wafer has a plurality of semiconductor die. A peripheral region is formed around the die. An insulating material is formed in the peripheral region. A portion of the insulating material is removed to form a through hole via (THV). A conductive material is deposited in the THV to form a conductive THV. A conductive layer is formed between the conductive THV and contact pads of the semiconductor die. A noise absorbing material is deposited in the peripheral region between the conductive THV to isolate the semiconductor die from intra-device interference. The noise absorbing material extends through the peripheral region from a first side of the semiconductor die to a second side of the semiconductor die. The noise absorbing material has an angular, semi-circular, or rectangular shape. The noise absorbing material can be dispersed in the peripheral region between the conductive THV.

摘要翻译： 半导体晶片具有多个半导体管芯。 围绕模具形成周边区域。 在周边区域形成绝缘材料。 绝缘材料的一部分被去除以形成通孔（THV）。 导电材料沉积在THV中以形成导电THV。 在导电THV和半导体管芯的接触焊盘之间形成导电层。 噪声吸收材料沉积在导电THV之间的周边区域中，以将半导体管芯与器件间干扰隔离。 噪声吸收材料从半导体管芯的第一侧延伸穿过周边区域到半导体管芯的第二侧。 噪声吸收材料具有角度，半圆形或矩形形状。 噪声吸收材料可以分散在导电THV之间的周边区域。