公开(公告)号：US09553094B2

公开(公告)日：2017-01-24

申请号：US15069920

申请日：2016-03-14

申请人： Wei-Hsiung Tseng ,  Ju-Youn Kim ,  Seok-Jun Won ,  Jong-Ho Lee ,  Hye-Lan Lee ,  Yong-Ho Ha

发明人： Wei-Hsiung Tseng ,  Ju-Youn Kim ,  Seok-Jun Won ,  Jong-Ho Lee ,  Hye-Lan Lee ,  Yong-Ho Ha

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/43

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/845 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/435 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848

摘要： Provided is a method for fabricating a semiconductor device. The method includes forming an interlayer insulating layer on a substrate, the interlayer insulating layer including a first trench; forming a high-k dielectric layer in the first trench; successively forming a diffusion layer and a blocking layer on the high-k dielectric layer; subsequently performing annealing; after the annealing, successively removing the blocking layer and the diffusion layer; forming a first barrier layer on the high-k dielectric layer; successively forming a work function adjustment layer and a gate conductor on the first barrier layer; and forming a capping layer on the gate conductor.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层包括第一沟槽; 在第一沟槽中形成高k电介质层; 在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层; 随后进行退火; 退火后，依次去除阻挡层和扩散层; 在高k电介质层上形成第一阻挡层; 在第一阻挡层上依次形成功函数调整层和栅极导体; 并在栅极导体上形成覆盖层。

公开(公告)号：US20160204108A1

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：US15054571

申请日：2016-02-26

申请人： Hye-Lan Lee ,  Hong-Bae Park ,  Sang-Jin Hyun ,  Yu-Gyun Shin ,  Sug-Hun Hong ,  Hoon-Joo Na ,  Hyung-Seok Hong

发明人： Hye-Lan Lee ,  Hong-Bae Park ,  Sang-Jin Hyun ,  Yu-Gyun Shin ,  Sug-Hun Hong ,  Hoon-Joo Na ,  Hyung-Seok Hong

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/0811 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a CMOS transistor, a semiconductor device having the transistor, and a semiconductor module having the device. The CMOS transistor may include first and second interconnection structures respectively disposed in first and second regions of a semiconductor substrate. The first and second regions of the semiconductor substrate may have different conductivity types. The first and second interconnection structures may be disposed on the semiconductor substrate. The first interconnection structure may have a different stacked structure from the second interconnection structure. The CMOS transistor may be disposed in the semiconductor device. The semiconductor device may be disposed in the semiconductor module.

摘要翻译： 提供了CMOS晶体管，具有晶体管的半导体器件和具有该器件的半导体模块。 CMOS晶体管可以包括分别设置在半导体衬底的第一和第二区域中的第一和第二互连结构。 半导体衬底的第一和第二区域可以具有不同的导电类型。 第一和第二互连结构可以设置在半导体衬底上。 第一互连结构可以具有与第二互连结构不同的堆叠结构。 CMOS晶体管可以设置在半导体器件中。 半导体器件可以设置在半导体模块中。

公开(公告)号：US08513740B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US12873611

申请日：2010-09-01

申请人： Hong-bae Park ,  Sug-hun Hong ,  Sang-jin Hyun ,  Hoon-ju Na ,  Hye-lan Lee ,  Hyung-seok Hong

发明人： Hong-bae Park ,  Sug-hun Hong ,  Sang-jin Hyun ,  Hoon-ju Na ,  Hye-lan Lee ,  Hyung-seok Hong

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

摘要： A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device including: a semiconductor substrate including a NMOS region and a PMOS region; a NMOS metal gate stack structure on the NMOS region and including a first high dielectric layer, a first barrier metal gate on the first high dielectric layer and including a metal oxide nitride layer, and a first metal gate on the first barrier metal gate; and a PMOS metal gate stack structure on the PMOS region and including a second high dielectric layer, a second barrier metal gate on the second high dielectric layer and including a metal oxide nitride layer, and a second metal gate on the second barrier metal gate.

摘要翻译： 一种互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，包括：包括NMOS区域和PMOS区域的半导体衬底; 在NMOS区域上的NMOS金属栅叠层结构，包括第一高介电层，第一高电介质层上的第一势垒金属栅极，并且包括金属氧化物氮化物层，以及第一栅极金属栅极上的第一金属栅极; 以及在PMOS区域上的PMOS金属栅极堆叠结构，并且包括第二高介电层，第二高介电层上的第二阻挡金属栅极，并且包括金属氧化物氮化物层，以及在第二阻挡金属栅极上的第二金属栅极。

公开(公告)号：US08496278B2

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：US13077318

申请日：2011-03-31

申请人： Deborah Anne Hong Lan Lee

发明人： Deborah Anne Hong Lan Lee

IPC分类号： E05C17/54 ,  E05C17/44

CPC分类号： E05C17/54 ,  E05C19/004 ,  E05C19/182 ,  Y10T16/61 ,  Y10T292/67

摘要： A portable device (10) for preventing movement of a door (5), the device (10) comprising: a support frame (11) having a base portion (12); and a leg (20) connected to the support frame (11); wherein the leg (20) is adjustable in height such that a distal end of the leg (20) is made to contact the ground when at least part of the base portion (12) is inserted beneath the door (5) in order to prevent movement of the door (5).

摘要翻译： 一种用于防止门（5）移动的便携式装置（10），所述装置（10）包括：具有基部（12）的支撑框架（11） 以及连接到所述支撑框架（11）的腿部（20）。 其中所述腿部（20）的高度是可调节的，使得当所述基部（12）的至少一部分插入所述门（5）的下方时，使所述腿部（20）的远端接触所述地面，以便防止 门的移动（5）。

公开(公告)号：US20120214296A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13458418

申请日：2012-04-27

申请人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-Ill Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

发明人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-Ill Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of forming the same. The method may include forming a metal oxide layer on a substrate and forming a sacrificial oxide layer on the metal oxide layer. An annealing process is performed on the substrate. A formation-free energy of the sacrificial oxide layer is greater than a formation-free energy of the metal oxide layer at a process temperature of the annealing process.

摘要翻译： 提供半导体器件及其形成方法。 该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层并在金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。 在基板上进行退火处理。 在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的无形成能大于金属氧化物层的无形成能。

公开(公告)号：US20120176125A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13005007

申请日：2011-01-12

申请人： Lan Lee ,  Shanshan Lee

发明人： Lan Lee ,  Shanshan Lee

IPC分类号： G01B7/30 ,  H02K7/18 ,  G01B11/26

CPC分类号： G01B7/30 ,  B62J99/00 ,  B62J2099/002 ,  B62K2207/00 ,  G01B11/26 ,  G01D5/25

摘要： A device for sensing positions of a rotating wheel comprises a rotating wheel with a symmetrical weight distribution, with the rotating wheel being rigidly attached to an axle; a stationary plate coaxial with the rotating wheel, the stationary plate being free to rotate about the axle and having an asymmetrical weight distribution to keep the stationary plate stationary due to the forces of gravity; and a position sensor to sense positions of the rotating wheel.

摘要翻译： 用于感测旋转轮的位置的装置包括具有对称重量分布的旋转轮，其中旋转轮刚性地附接到轴上; 与旋转轮同轴的固定板，固定板可绕轴自由转动并具有不对称的重量分布，以使固定板由于重力而保持静止; 以及位置传感器，用于感测旋转轮的位置。

公开(公告)号：US20120122309A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US13241871

申请日：2011-09-23

申请人： Hong-Bae PARK ,  Sang-Jin Hyun ,  Hu-Yong Lee ,  Hoon-Joo Na ,  Jeong-Hee Han ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

发明人： Hong-Bae PARK ,  Sang-Jin Hyun ,  Hu-Yong Lee ,  Hoon-Joo Na ,  Jeong-Hee Han ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

摘要： A method of fabricating a semiconductor device may include: preparing a substrate in which first and second regions are defined; forming an interlayer insulating film, which includes first and second trenches, on the substrate; forming a work function control film, which contains Al and N, along a top surface of the interlayer insulating film, side and bottom surfaces of the first trench, and side and bottom surfaces of the second trench; forming a mask pattern on the work function control film formed in the second region; injecting a work function control material into the work function control film formed in the first region to control a work function of the work function control film formed in the first region; removing the mask pattern; and forming a first metal gate electrode to fill the first trench and forming a second metal gate electrode to fill the second trench.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法可以包括：制备其中限定了第一和第二区域的衬底; 在衬底上形成包括第一和第二沟槽的层间绝缘膜; 沿着层间绝缘膜的上表面，第一沟槽的侧表面和底表面以及第二沟槽的侧表面和底表面形成包含Al和N的功函数控制膜; 在形成在第二区域中的功函数控制膜上形成掩模图案; 将工作功能控制材料注入到形成在第一区域中的功函数控制膜中，以控制形成在第一区域中的功函数控制膜的功函数; 去除掩模图案; 以及形成第一金属栅电极以填充所述第一沟槽并形成第二金属栅电极以填充所述第二沟槽。

公开(公告)号：US20110237062A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13069848

申请日：2011-03-23

申请人： Hoonjoo Na ,  Sangjin Hyun ,  Yugyun Shin ,  Hongbae Park ,  Sughun Hong ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-seok Hong

发明人： Hoonjoo Na ,  Sangjin Hyun ,  Yugyun Shin ,  Hongbae Park ,  Sughun Hong ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-seok Hong

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L29/66545

摘要： A method of fabricating a semiconductor device includes forming an interlayer dielectric on a substrate, the interlayer dielectric including first and second openings respectively disposed in first and second regions formed separately in the substrate; fondling a first conductive layer filling the first and second openings; etching the first conductive layer such that a bottom surface of the first opening is exposed and a portion of the first conductive layer in the second opening remains; and forming a second conductive layer filling the first opening and a portion of the second opening.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括在衬底上形成层间电介质，所述层间电介质包括分别设置在所述衬底中分开形成的第一和第二区域中的第一和第二开口; 抚弄填充第一和第二开口的第一导电层; 蚀刻第一导电层，使得第一开口的底表面露出，并且第二开口中的第一导电层的一部分保留; 以及形成填充所述第一开口和所述第二开口的一部分的第二导电层。

公开(公告)号：US20110233755A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13072012

申请日：2011-03-25

申请人： Dong-Han Kim ,  Sung-Woo Park ,  Jin-Woo Park ,  So-Young Lim ,  Jung-Hwan Kim ,  Kwang-Jin Bae ,  Pa-Lan Lee

发明人： Dong-Han Kim ,  Sung-Woo Park ,  Jin-Woo Park ,  So-Young Lim ,  Jung-Hwan Kim ,  Kwang-Jin Bae ,  Pa-Lan Lee

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73277 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor housing package may be provided. The semiconductor housing package may include a mold layer, a housing chip, a redistribution structure, and a housing node. The mold layer may surround and partially expose the housing chip. The redistribution structure may be electrically connected to the housing chip and may be disposed on the mold layer. The housing node may be in contact with the redistribution structures. The semiconductor housing package may be disposed on a semiconductor base package and may constitute a semiconductor package structure along with the semiconductor base package. The semiconductor package structure may be disposed on a processor-based system.

摘要翻译： 可以提供半导体外壳封装。 半导体外壳封装可以包括模具层，壳体芯片，再分布结构和壳体节点。 模具层可围绕并部分地暴露外壳芯片。 再分布结构可以电连接到壳体芯片并且可以设置在模具层上。 壳体节点可以与再分布结构接触。 半导体外壳封装可以设置在半导体基底封装上，并且可以与半导体基底封装构成半导体封装结构。 半导体封装结构可以设置在基于处理器的系统上。

公开(公告)号：US07655679B2

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：US12055771

申请日：2008-03-26

申请人： Stefanie Keil ,  Matthias Urmann ,  Maike Glien ,  Wolfgang Wendler ,  Karen Chandross ,  Lan Lee

发明人： Stefanie Keil ,  Matthias Urmann ,  Maike Glien ,  Wolfgang Wendler ,  Karen Chandross ,  Lan Lee

IPC分类号： A61K31/4025 ,  C07D413/10

CPC分类号： C07D413/12 ,  C07D417/12

摘要： The present invention relates to derivatives of 2-aminothiazoles and 2-aminooxazoles in all its stereoisomeric forms, enantiomeric forms and mixtures in any ratio, and its physiologically acceptable salts and tautomeric forms showing peroxisome proliferators activator receptor (PPAR) delta agonist activity. These compounds are compounds of the formula I, in which the radicals are as defined, and their physiologically acceptable salts and processes for their preparations. The compounds are suitable for the treatment and/or prevention of disorders of fatty acid metabolism and glucose utilization disorders as well as of disorders in which insulin resistance is involved and demyelinating and other neurodegenerative disorders of the central and peripheral nervous system.

摘要翻译： 本发明涉及所有其立体异构形式的2-氨基噻唑和2-氨基恶唑衍生物，对映体形式和任何比例的混合物，以及其生理上可接受的盐和互变异构体形式，其显示过氧化物酶体增殖物激活受体（PPAR）δ激动剂活性。 这些化合物是式I化合物，其中基团如上所定义，以及它们的生理上可接受的盐及其制备方法。 该化合物适用于治疗和/或预防脂肪酸代谢紊乱和葡萄糖利用障碍以及其中涉及胰岛素抵抗和中枢神经和周围神经系统的脱髓鞘和其它神经变性疾病的疾病。