公开(公告)号：US07824844B2

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：US11624744

申请日：2007-01-19

申请人： Zhong Xiang ,  Hengpeng Wu ,  Hong Zhuang ,  Eleazar Gonzalez ,  Mark O. Neisser

发明人： Zhong Xiang ,  Hengpeng Wu ,  Hong Zhuang ,  Eleazar Gonzalez ,  Mark O. Neisser

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/30 ,  G03F7/11 ,  C08F8/30 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/091 ,  C09D7/20 ,  G03F7/0048

摘要： The invention relates to an antireflective coating composition capable of being coated beneath a photoresist layer, where the antireflective coating composition comprises a polymeric crosslinker and a solvent mixture, where the solvent mixture comprises at least one primary organic solvent and at least one secondary organic solvent selected from any of structures 1, 2 and 3, where, R1, R3, and R4, are selected from H and C1-C6 alkyl, and R2, R5, R6, R7, R8, and R9 are selected from C1-C6 alkyl, and n=1-5. The invention also relates to an antireflective coating composition capable of being coated beneath a photoresist layer, where the antireflective coating composition comprises a polymeric crosslinker and a solvent mixture, where the solvent mixture comprises at least 2 organic solvents, and where the antireflective coating composition has a liquid particle count at 0.2 micron of less than 100/ml after accelerated aging.

摘要翻译： 本发明涉及一种抗反射涂料组合物，其能够涂覆在光致抗蚀剂层下面，其中抗反射涂料组合物包含聚合物交联剂和溶剂混合物，其中溶剂混合物包含至少一种主要有机溶剂和至少一种选择的二级有机溶剂 其中R 1，R 3和R 4选自H和C 1 -C 6烷基，R 2，R 5，R 6，R 7，R 8和R 9选自C 1 -C 6烷基， n = 1-5。 本发明还涉及能够涂覆在光致抗蚀剂层下面的抗反射涂料组合物，其中抗反射涂料组合物包含聚合物交联剂和溶剂混合物，其中溶剂混合物包含至少2种有机溶剂，并且其中抗反射涂料组合物具有 在加速老化后，0.2微米的液体颗粒数小于100 / ml。

公开(公告)号：US20070298349A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11425813

申请日：2006-06-22

申请人： Ruzhi Zhang ,  Mark O. Neisser ,  Woo-Kyu Kim ,  David J. Abdallah ,  Francis Houlihan ,  Ping-Hung Lu ,  Hong Zhuang

发明人： Ruzhi Zhang ,  Mark O. Neisser ,  Woo-Kyu Kim ,  David J. Abdallah ,  Francis Houlihan ,  Ping-Hung Lu ,  Hong Zhuang

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： C09D183/04 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282

摘要： The present invention relates to a novel antireflective coating composition for forming an underlayer for a photoresist comprising an acid generator and a novel siloxane polymer, where the siloxane polymer comprises at least one absorbing chromophore and at least one self-crosslinking functionality of structure (1), where m is 0 or 1, W and W′ are independently a valence bond or a connecting group linking the cyclic ether to the silicon of the polymer and L is selected from hydrogen, W′ and W, or L and W′ are combined to comprise a cycloaliphatic linking group linking the cyclic ether to the silicon of the polymer. The invention also relates to a process for imaging the photoresist coated over the novel antireflective coating composition and provides good lithographic results. The invention further relates to a novel siloxane polymer, where the siloxane polymer comprises at least one absorbing chromophore and at least one self-crosslinking functionality of structure (1).

摘要翻译： 本发明涉及一种用于形成光致抗蚀剂底层的新型抗反射涂料组合物，其包含酸产生剂和新型硅氧烷聚合物，其中硅氧烷聚合物包含至少一种吸收发色团和至少一种结构（1）的自交联官能团， 其中m为0或1，W和W'独立地为价键或连接环状醚与聚合物硅的连接基团，L选自氢，W'和W，或L和W'组合 包括将环醚与聚合物的硅连接的脂环族连接基团。 本发明还涉及一种用于对涂覆在新型抗反射涂料组合物上的光致抗蚀剂进行成像的方法，并提供良好的光刻结果。 本发明还涉及新的硅氧烷聚合物，其中硅氧烷聚合物包含至少一种吸收发色团和至少一种结构（1）的自交联官能团。

公开(公告)号：US5795685A

公开(公告)日：1998-08-18

申请号：US783631

申请日：1997-01-14

申请人： Lars W. Liebmann ,  Burn Jeng Lin ,  Mark O. Neisser

发明人： Lars W. Liebmann ,  Burn Jeng Lin ,  Mark O. Neisser

IPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/72 ,  H01L21/027 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/72

摘要： A method and apparatus for correcting defects in a phase shift mask to be used in photolithography. More specifically, the method of the invention includes creating a second repair mask which contains phase shifters. Regions surrounding the defects on the first mask are made opaque. The design circuitry located in these defective regions is copied onto the second mask. During a second exposure the design circuitry is placed onto the semiconductor wafer. Therefore, this method and apparatus provides an inexpensive solution to a difficult problem.

摘要翻译： 一种用于校正用于光刻中的相移掩模中的缺陷的方法和装置。 更具体地，本发明的方法包括创建包含移相器的第二修复掩模。 围绕第一掩模上的缺陷的区域变得不透明。 位于这些缺陷区域中的设计电路被复制到第二掩模上。 在第二曝光期间，将设计电路放置在半导体晶片上。 因此，该方法和装置为困难的问题提供了便宜的解决方案。

公开(公告)号：US08551686B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US12609222

申请日：2009-10-30

申请人： Huirong Yao ,  Guanyang Lin ,  Mark O. Neisser

发明人： Huirong Yao ,  Guanyang Lin ,  Mark O. Neisser

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  C09D167/00 ,  H01L21/027

CPC分类号： C09D167/02 ,  C08G63/16 ,  G03F7/091

摘要： The invention relates to an antireflective coating composition for a photoresist layer comprising a polymer, a crosslinking agent and an acid generator, where the polymer comprises at least one unit of structure 1, where, X is a linking moiety selected from a nonaromatic (A) moiety, aromatic (P) moiety and mixture thereof, R′ is a group of structure (2), R″ is independently selected from hydrogen, a moiety of structure (2), Z and W—OH, where Z is a (C1-C20) hydrocarbyl moiety and W is a (C1-C20) hydrocarbylene linking moiety, and, Y′ is independently a (C1-C20) hydrocarbylene linking moiety, where structure (2) is where R1 and R2 are independently selected from H and C1-C4alkyl and L is an organic hydrocarbyl group. The invention further relates to a process for imaging the antireflective coating composition.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于光致抗蚀剂层的抗反射涂料组合物，其包含聚合物，交联剂和酸产生剂，其中聚合物包含至少一个结构单元1，其中X是选自非芳族（A） 部分，芳族（P）部分及其混合物，R'是结构（2）的基团，R“独立地选自氢，结构（2）的部分，Z和W-OH，其中Z是（ C1-C20）烃基部分，W是（C1-C20）亚烃基连接部分，Y'独立地是（C1-C20）亚烃基连接部分，其中结构（2）是其中R 1和R 2独立地选自H 和C 1 -C 4烷基，L是有机烃基。 本发明还涉及一种用于对抗反射涂料组合物进行成像的方法。

公开(公告)号：US07070914B2

公开(公告)日：2006-07-04

申请号：US10042878

申请日：2002-01-09

申请人： Mark O. Neisser ,  Joseph E. Oberlander ,  Medhat A. Toukhy ,  Raj Sakamuri ,  Shuji Ding-Lee

发明人： Mark O. Neisser ,  Joseph E. Oberlander ,  Medhat A. Toukhy ,  Raj Sakamuri ,  Shuji Ding-Lee

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/095 ,  Y10S430/151

摘要： Disclosed is a process for forming an image on a substrate, comprising the steps of: (a) coating on the substrate a first layer of a radiation sensitive, antireflective composition; (b) coating a second layer of a photoresist composition onto the first layer of the antireflective composition; (c) selectively exposing the coated substrate from step (b) to actinic radiation; and (d) developing the exposed coated substrate from step (c) to form an image; wherein both the photoresist composition and the antireflective composition are exposed in step (c); both are developed in step (d) using a single developer; wherein the antireflective composition of step (a) is a first minimum bottom antireflective coating (B.A.R.C.) composition, having a solids content of up to about 8% solids, and a maximum coating thickness of the coated substrate of λ 2 ⁢ n wherein λ is the wavelength of the actinic radiation of step (c) and n is the refractive index of the B.A.R.C. composition.

摘要翻译： 公开了一种在衬底上形成图像的方法，包括以下步骤：（a）在衬底上涂覆第一层辐射敏感的抗反射组合物; （b）将第二层光致抗蚀剂组合物涂覆到抗反射组合物的第一层上; （c）将涂覆的基材从步骤（b）选择性暴露于光化辐射; 和（d）将来自步骤（c）的曝光的涂覆的基底显影以形成图像; 其中在步骤（c）中曝光光致抗蚀剂组合物和抗反射组合物; 在步骤（d）中使用单个显影剂开发两者; 其中步骤（a）的抗反射组合物是具有固体含量高达约8％固体的第一最小底部抗反射涂层（BARC）组合物，并且涂覆的基材的最大涂层厚度为