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    Method of fabricating patterned-mirror VCSELs using selective growth
    1.
    发明授权
    Method of fabricating patterned-mirror VCSELs using selective growth 失效
    使用选择性生长制造图案镜VCSEL的方法

    公开(公告)号：US5478774A

    公开(公告)日：1995-12-26

    申请号：US261276

    申请日：1994-06-15

    申请人： Donald E. Ackley ,  Piotr Grodzinski ,  Michael S. Lebby ,  Hsing-Chung Lee ,  Chan-Long Shieh

    发明人： Donald E. Ackley ,  Piotr Grodzinski ,  Michael S. Lebby ,  Hsing-Chung Lee ,  Chan-Long Shieh

    IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/183 ,  H01S5/22 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01S5/18308 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/2214 ,  Y10S438/969

    摘要： A method of fabricating VCSELs including the steps of epitaxially growing a first mirror stack of a first conductivity type, an active region on the first mirror stack, and a first portion of a second mirror stack of a second conductivity type on the active region. A dielectric layer is then formed on the first portion of the second mirror stack, patterned to define an operating region and a remaining portion of the second mirror stack is epitaxially grown on the first portion to form a complete second mirror stack. Portions of the second mirror stack overlying the dielectric layer are polycrystalline in formation and substantially limit the remaining portion of the second mirror stack to the operating region. The polycrystalline layers can then be removed and electrical contacts formed.

    摘要翻译： 一种制造VCSEL的方法，包括以下步骤：在有源区上外延生长第一导电类型的第一反射镜叠层，第一反射镜叠层上的有源区和第二导电类型的第二反射镜叠层的第一部分。 然后在第二反射镜叠层的第一部分上形成电介质层，其被图案化以限定操作区域，并且在第一部分上外延生长第二反射镜叠层的剩余部分以形成完整的第二反射镜叠层。 覆盖在介电层上的第二反射镜叠层的部分在形成时是多晶的，并且基本上将第二反射镜叠层的剩余部分限制到操作区域。 然后可以去除多晶层并形成电接触。

    Vertical cavity surface emitting laser having continuous grading
    2.
    发明授权
    Vertical cavity surface emitting laser having continuous grading 失效
    具有连续分级的垂直腔表面发射激光

    公开(公告)号：US5530715A

    公开(公告)日：1996-06-25

    申请号：US346559

    申请日：1994-11-29

    申请人： Chan-Long Shieh ,  Michael S. Lebby ,  Hsing-Chung Lee ,  Piotr Grodzinski

    发明人： Chan-Long Shieh ,  Michael S. Lebby ,  Hsing-Chung Lee ,  Piotr Grodzinski

    IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/183 ,  H01S3/08

    CPC分类号： H01S5/183 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/34313

    摘要： A first stack of distributed Bragg mirrors having alternating layers of aluminum gallium arsenide differing in concentrations of an aluminum are disposed on a surface of a substrate with a first plurality of continuous gradient layers positioned between the alternating layers of differing aluminum concentrations to dynamically move the aluminum concentration from one of the alternating layer to another alternating layers. A first cladding region is disposed on the first stack of distributed Bragg mirrors. An active region is disposed on the first cladding region with a second cladding region being dispose on the active region. A second stack of distributed Bragg mirrors having alternating layers of aluminum gallium arsenide differing concentrations of aluminum are disposed on the second cladding region with a second plurality of continuous gradient layers being positioned between the alternating layers of differing aluminum concentrations to dynamically change the aluminum concentration from one of the altering layers to another alternating layers.

    摘要翻译： 具有不同于铝浓度的铝砷化镓的交替层的分布布拉格反射镜的第一堆叠被布置在基板的表面上，其中第一多个连续梯度层位于不同铝浓度的交替层之间以动态地移动铝 从交替层之一到另一个交替层的浓度。 第一包层区域布置在分布布拉格反射镜的第一堆叠上。 有源区设置在第一包层区上，第二包层区设置在有源区上。 具有不同浓度的铝的交替铝砷化镓层的第二层布拉格反射镜布置在第二覆层区域上，第二多个连续梯度层位于不同铝浓度的交替层之间以动态地将铝浓度从 另一个交替层的改变层之一。

    Method for p-doping of a light-emitting device
    4.
    发明授权
    Method for p-doping of a light-emitting device 失效
    发光装置的p掺杂方法

    公开(公告)号：US5547898A

    公开(公告)日：1996-08-20

    申请号：US529468

    申请日：1995-09-18

    申请人： Piotr Grodzinski ,  Hsing-Chung Lee ,  Chan-Long Shieh

    发明人： Piotr Grodzinski ,  Hsing-Chung Lee ,  Chan-Long Shieh

    IPC分类号： C23C16/18 ,  H01L21/205 ,  H01S5/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/30 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01S5/3054 ,  H01S5/18361

    摘要： A method for controlling carbon doping levels in a Distributed Bragg Reflectors (DBRs) for a Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSELs) devices is provided. A first stack of mirrors (105) is deposited on the surface (101) of the substrate (102). A first cladding region (106) is deposited on the first stack of mirrors (105). An active layer (108) is deposited on the first cladding layer (106). A second cladding layer (109) is deposited on the active layer (108). A second stack of mirrors (111) is deposited on the second cladding layer (109) having a carbon doping level controlled by ratio of Group V containing organometallic (tertiarybutylarsine) to Group III organometallics (trimethylgallium and trimethylaluminum).

    摘要翻译： 提供了一种用于控制用于垂直腔面发射激光器（VCSEL））的分布式布拉格反射器（DBR）中的碳掺杂水平的方法。 在衬底（102）的表面（101）上沉积第一叠反射镜（105）。 第一包层区域（106）沉积在第一反射镜叠层（105）上。 有源层（108）沉积在第一覆层（106）上。 第二覆层（109）沉积在有源层（108）上。 第二堆叠反射镜（111）沉积在具有由含有有机金属（叔丁基胂）至III族有机金属（三甲基镓和三甲基铝）的V族的比例控制的碳掺杂浓度的第二包覆层上。

    Patterned mirror VCSEL with adjustable selective etch region
    5.
    发明授权
    Patterned mirror VCSEL with adjustable selective etch region 失效
    带可调选择性蚀刻区域的图案镜VCSEL

    公开(公告)号：US5557626A

    公开(公告)日：1996-09-17

    申请号：US261272

    申请日：1994-06-15

    申请人： Piotr Grodzinski ,  Michael S. Lebby ,  Hsing-Chung Lee

    发明人： Piotr Grodzinski ,  Michael S. Lebby ,  Hsing-Chung Lee

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01S5/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/20 ,  H01S3/19

    CPC分类号： H01S5/18327 ,  H01S5/209

    摘要： Patterned-mirrors for VCSELs are fabricated by forming a first mirror stack of a plurality of pairs of relatively high and low index of refraction layers, forming an active region of aluminum-free material on the first mirror stack, and forming a second mirror stack of a plurality of pairs of relatively high and low index of refraction layers. The second mirror stack includes first and second portions of materials selected to provide different rates of etching between the first and second portions. The second portion is selectively etched to the first portion by utilizing the first portion as an etch stop.

    摘要翻译： 通过形成多对相对较高和较低的折射率折射率层的第一反射镜叠层来形成用于VCSEL的图形反射镜，在第一反射镜叠层上形成无铝材料的有源区，并形成第二反射镜叠层 多对相对较高和较低的折射率折射率层。 第二反射镜叠层包括被选择为在第一和第二部分之间提供不同的蚀刻速率的第一和第二部分材料。 通过利用第一部分作为蚀刻停止，第二部分被选择性地蚀刻到第一部分。

    Method of making a VCSEL with passivation
    6.
    发明授权
    Method of making a VCSEL with passivation 失效
    制造具有钝化的VCSEL的方法

    公开(公告)号：US5661075A

    公开(公告)日：1997-08-26

    申请号：US384054

    申请日：1995-02-06

    申请人： Piotr Grodzinski ,  Michael S. Lebby

    发明人： Piotr Grodzinski ,  Michael S. Lebby

    IPC分类号： H01S5/183 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01S5/18352 ,  H01S2301/176 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2224

    摘要： A substrate (103) having a first stack of DBRs (106), an active region (118), and a second stack of DBRs (138) is provided. An etch mask (146) is formed on the second stack of DBRs (138) and etched. The second stack of DBRs (138), the active region (118), and a portion of the first stack of DBRs (106) are subsequently etched. A portion of the etch mask (146) is removed from the etch mask (146). A material layer (202, 302) is then selectively deposited on portions of the second stack of DBRs (138), the active region (118), and the first stack of DBRs (106) by either selective epitaxial over-growth or mass-transfer processes, thereby passivating the VCSEL (101).

    摘要翻译： 提供了具有第一堆DBR（106），有源区（118）和第二DBR（138）堆叠的衬底（103）。 蚀刻掩模（146）形成在DBR（138）的第二叠层上并被蚀刻。 随后蚀刻第二堆DBR（138），有源区（118）和第一堆DBR（106）的一部分。 蚀刻掩模（146）的一部分从蚀刻掩模（146）移除。 然后，材料层（202,302）通过选择性外延过度生长或质量传导层选择性地沉积在第二DBR（138），有源区（118）和第一堆DBR（106）的部分上， 转移过程，从而钝化VCSEL（101）。

    VCSEL with Al-free cavity region
    7.
    发明授权
    VCSEL with Al-free cavity region 失效
    VCSEL具有无空腔区域

    公开(公告)号：US5432809A

    公开(公告)日：1995-07-11

    申请号：US261502

    申请日：1994-06-15

    申请人： Piotr Grodzinski ,  Michael S. Lebby ,  Donald E. Ackley

    发明人： Piotr Grodzinski ,  Michael S. Lebby ,  Donald E. Ackley

    IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/183 ,  H01S3/085 ,  H01S3/131

    CPC分类号： H01S5/18327 ,  H01S5/209

    摘要： Patterned-mirrors for VCSELs are fabricated by forming a first mirror stack of a plurality of pairs of relatively high and low index of refraction layers of AlGaAs, forming an active region of aluminum-free material on the first mirror stack, and forming a second mirror stack of a plurality of pairs of relatively high and low index of refraction layers of AlGaAs. The second mirror stack can be selectively etched to the active region by utilizing the aluminum-free active region as an etch stop.

    摘要翻译： 通过形成多对相对较高和较低折射率的AlGaAs折射率层的第一反射镜叠层，在第一反射镜叠层上形成无铝材料的有源区，并形成第二反射镜，制造用于VCSEL的图案反射镜 堆叠的多对相对较高和较低折射率的AlGaAs层。 通过利用无铝活性区域作为蚀刻停止，可以将第二反射镜堆叠选择性地蚀刻到有源区域。

    Short wavelength VCSEL
    8.
    发明授权
    Short wavelength VCSEL 失效
    短波长VCSEL

    公开(公告)号：US5638392A

    公开(公告)日：1997-06-10

    申请号：US441270

    申请日：1995-05-15

    申请人： Jamal Ramdani ,  Michael S. Lebby ,  Piotr Grodzinski

    发明人： Jamal Ramdani ,  Michael S. Lebby ,  Piotr Grodzinski

    IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/183 ,  H01S5/32 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S3/19

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/0212 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/32333 ,  H01S5/34326

    摘要： A short wavelength vertical cavity surface emitting laser (101) is provided. A substrate (102) having a surface (103), wherein the substrate (102) includes gallium arsenide phosphide is formed. A first stack of mirrors (106) overlying the first surface (103) of the substrate (102) is formed. A first cladding region (107) is formed overlying the first stack of mirrors (106). An active region (108) is formed overlying the first cladding region (107). A second cladding region (109) is formed overlying the active region (108). A second stack of mirrors (110) is formed overlying the second cladding region (109). A contact region (126) is formed overlying the second stack of mirrors (110).

    摘要翻译： 提供了一种短波长垂直腔面发射激光器（101）。 具有表面（103）的基板（102），其中形成基板（102）包括砷化镓磷化物。 形成覆盖衬底（102）的第一表面（103）的第一叠反射镜（106）。 第一包层区域（107）形成在第一反射镜叠层（106）上。 在第一包层区（107）上形成有源区（108）。 第二包层区域（109）形成在有源区域（108）上。 在第二包层区域（109）上形成第二层反射镜（110）。 接触区域（126）形成在第二反射镜叠层（110）上。