公开(公告)号：US08815014B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13024328

申请日：2011-02-10

申请人： Jacques Faguet ,  Masahide Iwasaki ,  Toshihisa Nozawa

发明人： Jacques Faguet ,  Masahide Iwasaki ,  Toshihisa Nozawa

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23F1/00

CPC分类号： C23C16/45502 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H05H2245/123

摘要： A method and system for plasma-assisted thin film vapor deposition on a substrate is described. The system includes a process chamber including a first process space having a first volume, a substrate stage coupled to the process chamber and configured to support a substrate and expose the substrate to the first process space, a plasma generation system coupled to the process chamber and configured to generate plasma in at least a portion of the first process space, and a vacuum pumping system coupled to the process chamber and configured to evacuate at least a portion of the first process space. The system further includes a process volume adjustment mechanism coupled to the process chamber and configured to create a second process space that includes at least a part of the first process space and that has a second volume less than the first volume, the substrate being exposed to the second process space.

摘要翻译： 描述了在衬底上等离子体辅助薄膜气相沉积的方法和系统。 该系统包括处理室，该处理室包括具有第一体积的第一处理空间，耦合到处理室的衬底台，并被配置为支撑衬底并将衬底暴露于第一处理空间;耦合到处理室的等离子体产生系统，以及 被配置为在所述第一处理空间的至少一部分中产生等离子体，以及耦合到所述处理室并被配置为抽空所述第一处理空间的至少一部分的真空泵送系统。 所述系统还包括处理容积调节机构，其耦合到所述处理室并且被配置为创建包括所述第一处理空间的至少一部分并且具有小于所述第一体积的第二容积的第二处理空间，所述衬底暴露于 第二个处理空间。

公开(公告)号：US08895942B2

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：US12211640

申请日：2008-09-16

申请人： Junjun Liu ,  Jacques Faguet ,  Eric M. Lee ,  Dorel I. Toma ,  Hongyu Yue

发明人： Junjun Liu ,  Jacques Faguet ,  Eric M. Lee ,  Dorel I. Toma ,  Hongyu Yue

IPC分类号： H01L21/67 ,  B23K26/08 ,  B23K26/12 ,  C23C16/56

CPC分类号： H01L21/67115 ,  B23K26/082 ,  B23K26/12 ,  B23K26/127 ,  C23C16/56

摘要： A system for curing a low dielectric constant (low-k) dielectric film on a substrate is described, wherein the dielectric constant of the low-k dielectric film is less than a value of approximately 4. The system comprises one or more process modules configured for exposing the low-k dielectric film to electromagnetic (EM) radiation, such as infrared (IR) radiation and ultraviolet (UV) radiation.

摘要翻译： 描述了用于固化衬底上的低介电常数（低k）电介质膜的系统，其中低k电介质膜的介电常数小于约4的值。该系统包括一个或多个工艺模块配置 用于将低k电介质膜暴露于诸如红外（IR）辐射和紫外（UV）辐射的电磁（EM）辐射。

公开(公告)号：US07569491B2

公开(公告)日：2009-08-04

申请号：US11468566

申请日：2006-08-30

申请人： Jacques Faguet

发明人： Jacques Faguet

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C23C16/045 ,  B81C1/00071 ,  C23C14/046

摘要： A method and system for fabricating nano-scale structures, such as channels (i.e., nano-channels) or vias (i.e., nano-vias. An open nano-structure, is formed in a substrate. Thereafter, an optional conformal material film may be deposited within and over the nano-structure using a first deposition process condition, and then the open nano-structure is closed off to form a closed nano-structure using a second deposition process condition, including one or more process steps.

摘要翻译： 用于制造纳米级结构的方法和系统，例如通道（即，纳米通道）或通孔（即，纳米通孔），在基板中形成开放的纳米结构，之后，任选的保形材料膜可以 使用第一沉积工艺条件沉积在纳米结构内部和之上，然后使用包括一个或多个工艺步骤的第二沉积工艺条件封闭开放的纳米结构以形成封闭的纳米结构。

公开(公告)号：US09139910B2

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：US12814301

申请日：2010-06-11

申请人： Eric M. Lee ,  Jacques Faguet ,  Eric J. Strang

发明人： Eric M. Lee ,  Jacques Faguet ,  Eric J. Strang

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463

摘要： A method of depositing a thin film on a substrate in a deposition system is described. The method includes disposing a gas heating device comprising a plurality of heating element zones in a deposition system, and independently controlling a temperature of each of the plurality of heating element zones, wherein each of the plurality of heating element zones having one or more resistive heating elements. Additionally, the method includes providing a substrate on a substrate holder in the deposition system, wherein the substrate holder has one or more temperature control zones. The method further includes providing a film forming composition to the gas heating device coupled to the deposition system, pyrolyzing one or more constituents of the film forming composition using the gas heating device, and introducing the film forming composition to the substrate in the deposition system to deposit a thin film on the substrate.

摘要翻译： 描述了在沉积系统中在衬底上沉积薄膜的方法。 该方法包括在沉积系统中设置包括多个加热元件区域的气体加热装置，并且独立地控制多个加热元件区域中的每一个的温度，其中多个加热元件区域中的每一个具有一个或多个电阻加热 元素。 另外，该方法包括在沉积系统中的衬底保持器上设置衬底，其中衬底保持器具有一个或多个温度控制区。 该方法还包括向耦合到沉积系统的气体加热装置提供成膜组合物，使用气体加热装置热解成膜组合物的一种或多种组分，并将成膜组合物引入到沉积系统中的基底上 在基板上沉积薄膜。

公开(公告)号：US08272347B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12559398

申请日：2009-09-14

申请人： Ronald Nasman ,  Jacques Faguet

发明人： Ronald Nasman ,  Jacques Faguet

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4557

摘要： A gas heating device that may be used in a system for depositing a thin film on a substrate using a vapor deposition process is described. The gas heating device may be configured for heating one or more constituents of a film forming composition. The gas heating device comprises one or more resistive heating elements. Additionally, the gas heating device comprises a mounting structure configured to support at least one of the one or more resistive heating elements. Furthermore, the gas heating device comprises a static mounting device coupled to the mounting structure and configured to fixedly couple the at least one of the one or more resistive heating elements to the mounting structure, and a dynamic mounting device coupled to the mounting structure and configured to automatically compensate for changes in a length of the at least one of the one or more resistive heating elements. Further yet, the dynamic mounting device comprises a thermal break configured to reduce heat transfer between the dynamic mounting device and the mounting structure.

摘要翻译： 描述了可用于使用气相沉积工艺在基板上沉积薄膜的系统中的气体加热装置。 气体加热装置可以被配置用于加热成膜组合物的一种或多种成分。 气体加热装置包括一个或多个电阻加热元件。 另外，气体加热装置包括配置成支撑一个或多个电阻加热元件中的至少一个的安装结构。 此外，气体加热装置包括耦合到安装结构并被配置为将一个或多个电阻加热元件中的至少一个固定地耦合到安装结构的静态安装装置，以及耦合到安装结构并配置的动态安装装置 以自动补偿一个或多个电阻加热元件中的至少一个的长度的变化。 此外，动态安装装置包括热断裂，其被配置为减少动态安装装置和安装结构之间的热传递。

公开(公告)号：US20110126762A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US13025133

申请日：2011-02-10

申请人： Jacques Faguet ,  Eric M. Lee

发明人： Jacques Faguet ,  Eric M. Lee

IPC分类号： C23C16/503 ,  C23C16/50

CPC分类号： C23C16/452 ,  B05D1/60 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/487 ,  C23C16/50

摘要： A system for depositing a thin film on a substrate using a vapor deposition process is described. The deposition system includes a process chamber having a vacuum pumping system configured to evacuate the process chamber, a substrate holder coupled to the process chamber and configured to support the substrate, a gas distribution system coupled to the process chamber and configured to introduce a film forming composition to a process space in the vicinity of a surface of the substrate, a non-ionizing heat source separate from the substrate holder that is configured to receive a flow of the film forming composition and to cause thermal fragmentation of one or more constituents of the film forming composition when heated, and one or more power sources coupled to the heating element array and configured to provide an electrical signal to the at least one heating element zone. The deposition system further includes a remote source coupled to the process chamber and configured to supply a reactive composition to the process chamber to chemically interact with the substrate, wherein the remote source comprises a remote plasma generator, a remote radical generator, a remote ozone generator, or a water vapor generator, or a combination of two or more thereof.

摘要翻译： 描述了使用气相沉积工艺在衬底上沉积薄膜的系统。 沉积系统包括具有真空泵送系统的处理室，该真空泵送系统被构造成抽空处理室;衬底保持器，其耦合到处理室并且被配置为支撑衬底;气体分配系统，其耦合到处理室并被配置成引入成膜 组合物到基板表面附近的处理空间，与基板保持器分离的非电离热源，其构造成接收成膜组合物的流动并引起一个或多个成分的热分解 加热时的成膜组合物，以及耦合到加热元件阵列并被配置为向至少一个加热元件区域提供电信号的一个或多个电源。 沉积系统还包括耦合到处理室并被配置为将反应性组合物供应到处理室以与衬底化学相互作用的远程源，其中远程源包括远程等离子体发生器，远程自发发生器，远程臭氧发生器 ，或水蒸汽发生器，或其两个或更多个的组合。

公开(公告)号：US20090223452A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12044574

申请日：2008-03-07

申请人： Ronald Nasman ,  Patrick J. Biel ,  Jacques Faguet

发明人： Ronald Nasman ,  Patrick J. Biel ,  Jacques Faguet

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C14/00

CPC分类号： C23C16/4557

摘要： A method and system for depositing a thin film on a substrate using a vapor deposition process is described. The processing system comprises a gas heating device for heating one or more constituents of a film forming composition. The gas heating device comprises one or more resistive heating elements configured to receive an electrical current from one or more power sources. Additionally, the gas heating device comprises a mounting structure configured to support the one or more resistive heating elements. Furthermore, the gas heating device comprises one or more static mounting devices coupled to the mounting structure and configured to fixedly couple the one or more resistive heating elements to the mounting structure, and one or more dynamic mounting devices coupled to the mounting structure and configured to automatically compensate for changes in a length of each of the one or more resistive heating elements.

摘要翻译： 描述了使用气相沉积工艺在衬底上沉积薄膜的方法和系统。 处理系统包括用于加热成膜组合物的一种或多种组分的气体加热装置。 气体加热装置包括被配置为从一个或多个电源接收电流的一个或多个电阻加热元件。 另外，气体加热装置包括构造成支撑一个或多个电阻加热元件的安装结构。 此外，气体加热装置包括耦合到安装结构并被配置为将一个或多个电阻加热元件固定地耦合到安装结构的一个或多个静态安装装置，以及耦合到安装结构的一个或多个动态安装装置， 自动补偿一个或多个电阻加热元件中的每一个的长度的变化。

公开(公告)号：US20070116888A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11281343

申请日：2005-11-18

申请人： Jacques Faguet

发明人： Jacques Faguet

IPC分类号： C23C16/00 ,  H05H1/24 ,  G06F19/00

CPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32623

摘要： A method, computer readable medium, and system for vapor deposition on a substrate that introduce a first process gas composition to a process space according to a first vapor deposition process, deposit a first film on the substrate, introduce a second process gas composition into a second process space different in size than the first process space, and deposit a second film on the substrate from the second process gas composition. As such, the system includes a process chamber including a first process space having a first volume. The process chamber further includes a second process space that includes at least a part of the first process space and that has a second volume different from the first volume. The first process space is configured for a first chemical vapor deposition, and the second process space is configured for a second chemical vapor deposition.

摘要翻译： 一种用于根据第一气相沉积工艺将第一工艺气体组合物引入工艺空间的衬底上的气相沉积的方法，计算机可读介质和系统，在衬底上沉积第一膜，将第二工艺气体组合物引入到 第二处理空间的尺寸与第一处理空间不同，并且从第二处理气体组合物在基板上沉积第二膜。 因此，该系统包括处理室，该处理室包括具有第一容积的第一处理空间。 处理室还包括第二处理空间，其包括第一处理空间的至少一部分并且具有不同于第一体积的第二体积。 第一处理空间被配置用于第一化学气相沉积，并且第二处理空间被配置用于第二化学气相沉积。

公开(公告)号：US20070116872A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11281372

申请日：2005-11-18

申请人： Yicheng Li ,  Tadahiro Ishizaka ,  Kaoru Yamamoto ,  Atsushi Gomi ,  Masamichi Hara ,  Toshiaki Fujisato ,  Jacques Faguet ,  Yasushi Mizusawa

发明人： Yicheng Li ,  Tadahiro Ishizaka ,  Kaoru Yamamoto ,  Atsushi Gomi ,  Masamichi Hara ,  Toshiaki Fujisato ,  Jacques Faguet ,  Yasushi Mizusawa

IPC分类号： C23C16/00 ,  H05H1/24 ,  G06F19/00 ,  A01K15/02

CPC分类号： C23C16/4585 ,  C23C16/12 ,  C23C16/14 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/303 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/46 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32495 ,  H01J2237/2001

摘要： A method, computer readable medium, and system for vapor deposition on a substrate that disposes a substrate in a process space of a processing system that is vacuum isolated from a transfer space of the processing system, processes the substrate at either of a first position or a second position in the process space while maintaining vacuum isolation from the transfer space, and deposits a material on said substrate at either the first position or the second position. As such, the system includes a first assembly having a process space configured to facilitate material deposition, a second assembly coupled to the first assembly and having a transfer space to facilitate transfer of the substrate into and out of the deposition system, a substrate stage connected to the second assembly and configured to support and translate the substrate between a first position in the transfer space to a second position in the process space. The system includes a sealing assembly configured to impede gas flow between the process space and the transfer space during translation of the substrate within the process space.

摘要翻译： 一种在衬底上进行气相沉积的方法，计算机可读介质和系统，其将衬底处理在与所述处理系统的传送空间真空隔离的处理系统的处理空间中，在第一位置或 在处理空间中的第二位置，同时保持与传送空间的真空隔离，并且在第一位置或第二位置处将材料沉积在所述基板上。 因此，该系统包括具有被配置为促进材料沉积的处理空间的第一组件，耦合到第一组件的第二组件，并且具有传输空间以促进衬底进入和离开沉积系统;衬底台连接 到所述第二组件并且被配置为在所述传送空间中的第一位置和所述处理空间中的第二位置之间支撑和平移所述衬底。 该系统包括密封组件，该密封组件构造成在工艺空间内的衬底平移过程中阻碍工艺空间与传送空间之间的气体流动。

公开(公告)号：US5972790A

公开(公告)日：1999-10-26

申请号：US489040

申请日：1995-06-09

申请人： Chantal Arena ,  Robert F. Foster ,  Joseph T. Hillman ,  Michael S. Ameen ,  Jacques Faguet

发明人： Chantal Arena ,  Robert F. Foster ,  Joseph T. Hillman ,  Michael S. Ameen ,  Jacques Faguet

IPC分类号： H01L29/78 ,  C23C16/42 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518

摘要： Titanium is deposited onto a semiconductor interconnect to form a salicide structure by plasma-enhanced chemical vapor deposition. The reactant gases, including titanium tetrachloride, hydrogen and optionally argon, are combined. A plasma is created using RF energy and the plasma contacts the rotating semiconductor material. This causes titanium to be deposited which reacts with exposed silicon to form titanium silicide without any subsequent anneal. Other titanium deposited on the surface, as well as titanium-rich silicon compositions (TiSi.sub.X wherein X is

摘要翻译： 通过等离子体增强化学气相沉积将钛沉积在半导体互连件上以形成硅化物结构。 包括四氯化钛，氢气和任选的氩气的反应气体组合。 使用RF能量产生等离子体，并且等离子体接触旋转的半导体材料。 这导致沉积钛，其与暴露的硅反应形成硅化钛，而没有任何随后的退火。 通过化学蚀刻除去沉积在表面上的其他钛，以及富含钛的硅组合物（TiSiX，其中X为<2）。 如果只沉积约40纳米的钛，则它将选择性地沉积到硅结构上而不涂覆互连的氧化物间隔物。 在该实施例中，消除了对基板进行化学蚀刻的需要。