公开(公告)号：US20070187730A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US11635047

申请日：2006-12-07

申请人： Sang-Jin Park ,  Young-kwan Cha ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Suk-ho Choi

发明人： Sang-Jin Park ,  Young-kwan Cha ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Suk-ho Choi

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7882 ,  H01L29/792

摘要： Example embodiments may provide memory devices having a charge trap layer which includes a hole trap and an electron trap. The memory device may generate a relatively large flat band voltage gap according to an applied bias voltage. Accordingly, a stable multilevel cell may be realized.

摘要翻译： 示例性实施例可以提供具有电荷陷阱层的存储器件，其包括空穴阱和电子阱。 存储器件可以根据所施加的偏置电压产生相对较大的平带电压间隙。 因此，可以实现稳定的多电平单元。

公开(公告)号：US07745233B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US12289494

申请日：2008-10-29

申请人： Sang-min Shin ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-mo Koo

发明人： Sang-min Shin ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-mo Koo

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  Y10T29/417

摘要： A ferroelectric capacitor comprises a first electrode comprising an alloy of Ir and Ru, a ferroelectric layer disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the ferroelectric layer. A ferroelectric memory comprises a substrate and a plurality of memory cells arranged on the substrate. Each memory cell comprises a first electrode comprising an alloy of Ir and Ru, a ferroelectric layer disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the ferroelectric layer.

摘要翻译： 铁电电容器包括包含Ir和Ru的合金的第一电极，设置在第一电极上的铁电层和设置在铁电层上的第二电极。 铁电存储器包括衬底和布置在衬底上的多个存储单元。 每个存储单元包括包含Ir和Ru的合金的第一电极，设置在第一电极上的铁电层和设置在铁电层上的第二电极。

公开(公告)号：US07459736B2

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：US10978795

申请日：2004-11-02

申请人： Sang-min Shin ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-mo Koo

发明人： Sang-min Shin ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-mo Koo

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  Y10T29/417

摘要： A ferroelectric capacitor comprises a first electrode comprising an alloy of Ir and Ru, a ferroelectric layer disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the ferroelectric layer. A ferroelectric memory comprises a substrate and a plurality of memory cells arranged on the substrate. Each memory cell comprises a first electrode comprising an alloy of Ir and Ru, a ferroelectric layer disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the ferroelectric layer.

摘要翻译： 铁电电容器包括包含Ir和Ru的合金的第一电极，设置在第一电极上的铁电层和设置在铁电层上的第二电极。 铁电存储器包括衬底和布置在衬底上的多个存储单元。 每个存储单元包括包含Ir和Ru的合金的第一电极，设置在第一电极上的铁电层和设置在铁电层上的第二电极。

公开(公告)号：US20080278989A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US12073666

申请日：2008-03-07

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Soon-won Hwang ,  Seok-jae Chung ,  Chang-soo Lee

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Soon-won Hwang ,  Seok-jae Chung ,  Chang-soo Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/122 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： Provided is a resistive memory device and a method of manufacturing the resistive memory device that includes a bottom electrode, an insulating layer that is formed on the bottom electrode and has a hole that exposes the bottom electrode, a resistance layer and an intermediate layer which are formed in the hole, a switch structure formed on a surface of the intermediate layer, and an upper electrode formed on the switch structure.

摘要翻译： 本发明提供了一种电阻式存储器件及其制造方法，该电阻式存储器件包括底部电极，形成在底部电极上并具有露出底部电极的孔的绝缘层，电阻层和中间层， 形成在所述孔中，形成在所述中间层的表面上的开关结构和形成在所述开关结构上的上电极。

公开(公告)号：US20080038846A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11878868

申请日：2007-07-27

申请人： Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Choong-rae Cho ,  June-mo Koo ,  Suk-pil Kim ,  Sang-min Shin

发明人： Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Choong-rae Cho ,  June-mo Koo ,  Suk-pil Kim ,  Sang-min Shin

IPC分类号： H01L21/8246

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： A capacitor of a memory device, and a method of fabricating the same, includes a lower electrode electrically coupled to a doping region of a transistor structure, the lower electrode having a metal electrode and a metal oxide electrode, a ferroelectric layer covering and extending laterally along the lower electrode, and an upper electrode formed on the ferroelectric layer.

摘要翻译： 存储器件的电容器及其制造方法包括电耦合到晶体管结构的掺杂区域的下电极，下电极具有金属电极和金属氧化物电极，铁电层覆盖并横向延伸 沿着下电极和形成在铁电层上的上电极。

公开(公告)号：US07250649B2

公开(公告)日：2007-07-31

申请号：US11120184

申请日：2005-05-03

申请人： Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Choong-rae Cho ,  June-mo Koo ,  Suk-pil Kim ,  Sang-min Shin

发明人： Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Choong-rae Cho ,  June-mo Koo ,  Suk-pil Kim ,  Sang-min Shin

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： A capacitor of a memory device, and a method of fabricating the same, includes a lower electrode electrically coupled to a doping region of a transistor structure, the lower electrode having a metal electrode and a metal oxide electrode, a ferroelectric layer covering and extending laterally along the lower electrode, and an upper electrode formed on the ferroelectric layer.

摘要翻译： 存储器件的电容器及其制造方法包括电耦合到晶体管结构的掺杂区域的下电极，下电极具有金属电极和金属氧化物电极，铁电层覆盖并横向延伸 沿着下电极和形成在铁电层上的上电极。

公开(公告)号：US20050194622A1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：US11013923

申请日：2004-12-17

申请人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

发明人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L27/10 ,  G11C16/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  H01L27/22 ,  H01L29/92 ,  H01L45/00 ,  H01L49/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L27/2436 ,  H01L28/40 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： In a capacitor of a semiconductor device, a semiconductor memory device including the capacitor, and a method of operating the semiconductor memory device, the capacitor includes a lower electrode, a dielectric layer stacked on the lower electrode, the dielectric layer including a phase-transition layer capable of exhibiting two different resistance characteristics depending on whether an insulating property thereof has been changed, and an upper electrode stacked on the dielectric layer.

摘要翻译： 在半导体器件的电容器中，包括电容器的半导体存储器件以及半导体存储器件的操作方法，电容器包括下电极，堆叠在下电极上的电介质层，电介质层包括相转变 层，其能够根据其绝缘性是否变化而呈现出两种不同的电阻特性，以及堆叠在电介质层上的上电极。

公开(公告)号：US20060208294A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：US11438211

申请日：2006-05-23

申请人： Sang-jin Park ,  Tae-wan Kim ,  Jung-hyun Lee ,  Wan-jun Park ,  I-hun Song

发明人： Sang-jin Park ,  Tae-wan Kim ,  Jung-hyun Lee ,  Wan-jun Park ,  I-hun Song

IPC分类号： H01L31/062

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/307 ,  H01L27/228

摘要： In a magnetic random access memory (MRAM) having a transistor and a magnetic tunneling junction (MTJ) layer in a unit cell, the MTJ layer includes a lower magnetic layer, an oxidation preventing layer, a tunneling oxide layer, and an upper magnetic layer, which are sequentially stacked. The tunneling oxide layer may be formed using an atomic layer deposition (ALD) method. At least the oxidation preventing layer may be formed using a method other than the ALD method.

摘要翻译： 在单元中具有晶体管和磁隧道结（MTJ）层的磁性随机存取存储器（MRAM）中，MTJ层包括下磁层，防氧化层，隧道氧化物层和上磁层 ，顺序堆叠。 隧道氧化物层可以使用原子层沉积（ALD）方法形成。 至少防氧化层可以使用除ALD法以外的方法形成。

公开(公告)号：US07892917B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US12153104

申请日：2008-05-14

申请人： Young-jin Cho ,  Yo-sep Min ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-key Lee ,  Yong-kyun Lee

发明人： Young-jin Cho ,  Yo-sep Min ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-key Lee ,  Yong-kyun Lee

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/28185 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/36 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/16 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/76 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517

摘要： A bismuth titanium silicon oxide having a pyrochlore phase, a thin film formed of the bismuth titanium silicon oxide, a method for forming the bismuth-titanium-silicon oxide thin film, a capacitor and a transistor for a semiconductor device including the bismuth-titanium-silicon oxide thin film, and an electronic device employing the capacitor and/or the transistor are provided. The bismuth titanium silicon oxide has good dielectric properties and is thermally and chemically stable. The bismuth-titanium-silicon oxide thin film can be effectively used as a dielectric film of a capacitor or as a gate dielectric film of a transistor in a semiconductor device. Various electronic devices having good electrical properties can be manufactured using the capacitor and/or the transistor having the bismuth-titanium-silicon oxide film.

摘要翻译： 具有烧绿石相的铋钛氧化硅，由氧化铋钛氧化物形成的薄膜，用于形成铋钛氧化硅薄膜的方法，用于半导体器件的电容器和晶体管，所述半导体器件包括铋钛 - 氧化硅薄膜以及采用电容器和/或晶体管的电子器件。 铋钛氧化硅具有良好的介电性能，并且是热和化学稳定的。 铋钛氧化硅薄膜可以有效地用作半导体器件中的电容器或晶体管的栅极电介质膜的电介质膜。 可以使用具有铋钛 - 氧化硅膜的电容器和/或晶体管来制造具有良好电性能的各种电子器件。

公开(公告)号：US20070108433A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11650972

申请日：2007-01-09

申请人： Jung-hyun Lee ,  Young-soo Park ,  Won-tae Lee

发明人： Jung-hyun Lee ,  Young-soo Park ,  Won-tae Lee

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： In a semiconductor memory device and a method of fabricating the same, a semiconductor memory device having a transistor and a data storing portion includes a heating portion interposed between the transistor and the data storing portion and a metal interconnection layer connected to the data storing portion, wherein the data storing portion includes a chalcogenide material layer, which undergoes a phase change due to a heating of the heating portion, for storing data therein.

摘要翻译： 在半导体存储器件及其制造方法中，具有晶体管和数据存储部分的半导体存储器件包括夹在晶体管和数据存储部分之间的加热部分和连接到数据存储部分的金属互连层， 其中所述数据存储部分包括由于所述加热部分的加热而发生相变的硫族化物材料层，用于在其中存储数据。