公开(公告)号：US07764477B2

公开(公告)日：2010-07-27

申请号：US12080081

申请日：2008-03-31

申请人： Stephen H. Tang ,  Derchang Kau ,  Charles C. Kuo

发明人： Stephen H. Tang ,  Derchang Kau ,  Charles C. Kuo

IPC分类号： H02H9/00 ,  H01C7/12 ,  H02H1/00 ,  H02H1/04 ,  H02H3/22 ,  H02H9/06

CPC分类号： H01L27/0251

摘要： An electrostatic discharge protection circuit may include ovonic threshold switches that have a holding voltage greater than an input voltage normally received from a pad. As a result, the ovonic threshold switches provide a low resistance state to shunt current from the pad when an electrostatic discharge protection event occurs and, otherwise, present an off device during normal circuit operations.

摘要翻译： 静电放电保护电路可以包括具有大于从焊盘正常接收的输入电压的保持电压的超声门限开关。 结果，当静电放电保护事件发生时，超声门限开关提供低电阻状态以从焊盘分流电流，否则在正常电路操作期间提供断开装置。

公开(公告)号：US20090244796A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12080081

申请日：2008-03-31

申请人： Stephen H. Tang ,  Derchang Kau ,  Charles C. Kuo

发明人： Stephen H. Tang ,  Derchang Kau ,  Charles C. Kuo

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： H01L27/0251

摘要： An electrostatic discharge protection circuit may include ovonic threshold switches that have a holding voltage greater than an input voltage normally received from a pad. As a result, the ovonic threshold switches provide a low resistance state to shunt current from the pad when an electrostatic discharge protection event occurs and, otherwise, present an off device during normal circuit operations.

摘要翻译： 静电放电保护电路可以包括具有大于从焊盘正常接收的输入电压的保持电压的超声门限开关。 结果，当静电放电保护事件发生时，超声门限开关提供低电阻状态以从焊盘分流电流，否则在正常电路操作期间提供断开装置。

公开(公告)号：US08081506B2

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：US12637358

申请日：2009-12-14

申请人： Charles C. Kuo ,  Derchang Kau

发明人： Charles C. Kuo ,  Derchang Kau

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/40 ,  G11C13/0004 ,  G11C14/009 ,  G11C2213/15 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04

摘要： A voltage memory switch may be formed of an amorphous semiconductor threshold switch and a select device. The amorphous threshold switch may be latched into one of two different current conducting levels. Then, in some embodiments, a relatively dense memory array can be achieved by maintaining an appropriate bias on the cell to prevent it from losing the programmed state.

摘要翻译： 电压存储器开关可以由非晶半导体阈值开关和选择器件形成。 非晶态阈值开关可以被锁存在两个不同的电流传导电平之一中。 然后，在一些实施例中，可以通过在单元上保持适当的偏置来防止其失去编程状态来实现相对密集的存储器阵列。

公开(公告)号：US20110141798A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US12637358

申请日：2009-12-14

申请人： Charles C. Kuo ,  Derchang Kau

发明人： Charles C. Kuo ,  Derchang Kau

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C11/40 ,  G11C13/0004 ,  G11C14/009 ,  G11C2213/15 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04

摘要： A voltage memory switch may be formed of an amorphous semiconductor threshold switch and a select device. The amorphous threshold switch may be latched into one of two different current conducting levels. Then, in some embodiments, a relatively dense memory array can be achieved by maintaining an appropriate bias on the cell to prevent it from losing the programmed state.

摘要翻译： 电压存储器开关可以由非晶半导体阈值开关和选择器件形成。 非晶态阈值开关可以被锁存在两个不同的电流传导电平之一中。 然后，在一些实施例中，可以通过在单元上保持适当的偏置来防止其失去编程状态来实现相对密集的存储器阵列。

公开(公告)号：US20180226509A1

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：US15747925

申请日：2015-07-31

申请人： Elijah V. Karpov ,  Prashant Majhi ,  Roza Kotlyar ,  Niloy Mukherjee ,  Charles C. Kuo ,  Uday Shah ,  Ravi Pillarisetty ,  Robert S. Chau

发明人： Elijah V. Karpov ,  Prashant Majhi ,  Roza Kotlyar ,  Niloy Mukherjee ,  Charles C. Kuo ,  Uday Shah ,  Ravi Pillarisetty ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/07 ,  H01L27/12 ,  H01L29/49 ,  H01L29/02

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/02 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78642 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

摘要： A microelectronic device having a functional metal oxide channel may be fabricated on a microelectronic substrate that can be utilized in very large scale integration, such as a silicon substrate, by forming a buffer transition layer between the microelectronic substrate and the functional metal oxide channel. In one embodiment, the microelectronic device may be a microelectronic transistor with a source structure and a drain structure formed on the buffer transition layer, wherein the source structure and the drain structure abut opposing sides of the functional metal oxide channel and a gate dielectric is disposed between a gate electrode and the functional metal oxide channel. In another embodiment, the microelectronic device may be a two-terminal microelectronic device.

公开(公告)号：US20170040530A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：US15333017

申请日：2016-10-24

申请人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01F10/16 ,  H01L43/12 ,  H01F10/14 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and methods of fabricating perpendicular STTM devices with enhanced stability are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A conductive oxide material layer is disposed on the free magnetic layer.

摘要翻译： 描述了具有增强的稳定性的垂直自旋转移转矩存储器（STTM）装置和制造具有增强的稳定性的垂直STTM装置的方法。 例如，用于磁隧道结的材料层堆叠包括固定磁性层。 电介质层设置在固定磁性层的上方。 自由磁性层设置在电介质层的上方。 导电氧化物材料层设置在自由磁性层上。

公开(公告)号：US09231204B2

公开(公告)日：2016-01-05

申请号：US13630795

申请日：2012-09-28

申请人： Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Robert S. Chau ,  Eric R. Dickey ,  Michael Stephen Bowen ,  Sey-Shing Sun

发明人： Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Robert S. Chau ,  Eric R. Dickey ,  Michael Stephen Bowen ,  Sey-Shing Sun

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： Embodiments include low voltage embedded memory having conductive oxide and electrode stacks. A material layer stack for a memory element includes a first conductive electrode. A conductive oxide layer is disposed on the first conductive electrode. The conductive oxide layer has a plurality of oxygen vacancies therein. A second electrode is disposed on the conductive oxide layer.

摘要翻译： 实施例包括具有导电氧化物和电极堆叠的低电压嵌入式存储器。 用于存储元件的材料层堆叠包括第一导电电极。 导电氧化物层设置在第一导电电极上。 导电氧化物层中具有多个氧空位。 第二电极设置在导电氧化物层上。

公开(公告)号：US20150091110A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：US14039668

申请日：2013-09-27

申请人： Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Mark L. Doczy ,  Brian S. Doyle ,  Satyarth Suri ,  Robert S. Chau ,  David L. Kencke ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Anurag Chaudhry

发明人： Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Mark L. Doczy ,  Brian S. Doyle ,  Satyarth Suri ,  Robert S. Chau ,  David L. Kencke ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Anurag Chaudhry

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C29/028 ,  G11C29/56008 ,  G11C29/56012 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and damping are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A first free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A second free magnetic layer is magnetically coupled with the first free magnetic layer.

摘要翻译： 描述了具有增强的稳定性和阻尼的垂直自旋转移转矩存储器（STTM）装置。 例如，用于磁隧道结的材料层堆叠包括固定磁性层。 电介质层设置在固定磁性层的上方。 第一自由磁性层设置在电介质层的上方。 第二自由磁性层与第一自由磁性层磁耦合。

公开(公告)号：US20150091058A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：US14039696

申请日：2013-09-27

申请人： Brian S. Doyle ,  Uday Shah ,  Roza Kotlyar ,  Charles C. Kuo

发明人： Brian S. Doyle ,  Uday Shah ,  Roza Kotlyar ,  Charles C. Kuo

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/749 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7848

摘要： Vertical transistor devices are described. For example, in one embodiment, a vertical transistor device includes an epitaxial source semiconductor region disposed on a substrate, an epitaxial channel semiconductor region disposed on the source semiconductor region, an epitaxial drain semiconductor region disposed on the channel semiconductor region, and a gate electrode region surrounding sidewalls of the semiconductor channel region. A composition of at least one of the semiconductor regions varies along a longitudinal axis that is perpendicular with respect to a surface of the substrate.

摘要翻译： 描述垂直晶体管器件。 例如，在一个实施例中，垂直晶体管器件包括设置在衬底上的外延源半导体区域，设置在源极半导体区域上的外延沟道半导体区域，设置在沟道半导体区域上的外延漏极半导体区域和栅电极 区域围绕半导体沟道区域的侧壁。 至少一个半导体区域的组合物沿着相对于衬底的表面垂直的纵向轴线变化。

公开(公告)号：US20140092677A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：US13630896

申请日：2012-09-28

申请人： Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  Kaan Oguz ,  Satyarth Suri ,  Robert S. Chau ,  Charles C. Kuo ,  Mark L. Doczy

发明人： Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  Kaan Oguz ,  Satyarth Suri ,  Robert S. Chau ,  Charles C. Kuo ,  Mark L. Doczy

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： G11C11/1675 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/5607 ,  H01F10/3254 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

摘要： Switching current in Spin-Transfer Torque Memory (STTM) can be decreased. A magnetic memory cell is driven with a first pulse on a write line of the memory cell to heat the cell. The cell is then driven with a second pulse on the write line to set the state of the cell.

摘要翻译： 旋转转矩存储器（STTM）中的切换电流可以减小。 磁存储单元用存储单元的写入线上的第一个脉冲驱动，以加热单元。 然后在写入线上用第二个脉冲驱动单元以设置单元的状态。