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    Nitride semiconductor device
    1.
    发明授权
    Nitride semiconductor device 失效
    氮化物半导体器件

    公开(公告)号：US07425732B2

    公开(公告)日：2008-09-16

    申请号：US11410920

    申请日：2006-04-26

    申请人： Tetsuzo Ueda ,  Satoshi Nakazawa ,  Daisuke Ueda ,  Toshiyuki Takizawa

    发明人： Tetsuzo Ueda ,  Satoshi Nakazawa ,  Daisuke Ueda ,  Toshiyuki Takizawa

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1035 ,  H01L33/06 ,  H01S5/322 ,  H01S5/34333 ,  Y02E10/544

    摘要： A nitride semiconductor device includes an active layer including a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer which are periodically stacked, the second nitride semiconductor layer having a different composition from a composition of the first nitride semiconductor layer. An energy at a lower edge of a conduction band in the first nitride semiconductor layer is lower than an energy at a lower edge of a conduction band in the second nitride semiconductor layer, and an energy at an upper edge of a valence band in the first nitride semiconductor layer is lower than an energy at an upper edge of a valence band in the second nitride semiconductor layer.

    摘要翻译： 氮化物半导体器件包括包含周期性堆叠的第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层的有源层，所述第二氮化物半导体层与第一氮化物半导体层的组成不同。 在第一氮化物半导体层中的导带的下边缘处的能量低于第二氮化物半导体层中的导带的下边缘处的能量，并且第一氮化物半导体层中的导带的上边缘处的能量 氮化物半导体层比在第二氮化物半导体层中的价带的上边缘处的能量低。

    Nitride semiconductor device
    2.
    发明申请
    Nitride semiconductor device 失效
    氮化物半导体器件

    公开(公告)号：US20060244003A1

    公开(公告)日：2006-11-02

    申请号：US11410920

    申请日：2006-04-26

    申请人： Tetsuzo Ueda ,  Satoshi Nakazawa ,  Daisuke Ueda ,  Toshiyuki Takizawa

    发明人： Tetsuzo Ueda ,  Satoshi Nakazawa ,  Daisuke Ueda ,  Toshiyuki Takizawa

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1035 ,  H01L33/06 ,  H01S5/322 ,  H01S5/34333 ,  Y02E10/544

    摘要： A nitride semiconductor device includes an active layer including a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer which are periodically stacked, the second nitride semiconductor layer having a different composition from a composition of the first nitride semiconductor layer. An energy at a lower edge of a conduction band in the first nitride semiconductor layer is lower than an energy at a lower edge of a conduction band in the second nitride semiconductor layer, and an energy at an upper edge of a valence band in the first nitride semiconductor layer is lower than an energy at an upper edge of a valence band in the second nitride semiconductor layer.

    摘要翻译： 氮化物半导体器件包括包含周期性堆叠的第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层的有源层，所述第二氮化物半导体层与第一氮化物半导体层的组成不同。 在第一氮化物半导体层中的导带的下边缘处的能量低于第二氮化物半导体层中的导带的下边缘处的能量，并且第一氮化物半导体层中的导带的上边缘处的能量 氮化物半导体层比在第二氮化物半导体层中的价带的上边缘处的能量低。

    NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER
    6.
    发明申请
    NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开
    氮化物半导体激光器

    公开(公告)号：US20110058586A1

    公开(公告)日：2011-03-10

    申请号：US12991649

    申请日：2009-01-21

    申请人： Toshiyuki Takizawa ,  Tetsuzo Ueda

    发明人： Toshiyuki Takizawa ,  Tetsuzo Ueda

    IPC分类号： H01S5/323 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  B82Y99/00

    CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0654 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1053 ,  H01S5/1057 ,  H01S5/106 ,  H01S5/164 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/223 ,  H01S5/2238 ,  H01S5/3213 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

    摘要： A projection/recess structure is formed on a base substrate, and a layered structure of a nitride semiconductor laser is formed on the projection/recess structure. InGaN used for an active layer has an In intake efficiency and a growth rate that greatly vary with the plane direction. By use of this characteristic, an active layer structure low in In content and small in well layer thickness can be formed at a light-outgoing end facet by one-time crystal growth, and thus the transition wavelength of the active layer near the light-outgoing end facet can be shortened. As a result, since optical damage due to light absorption at the light-outgoing end facet can be greatly reduced, a nitride semiconductor laser capable of performing high light-output operation can be implemented.

    摘要翻译： 在基底基板上形成突起/凹部结构，在突起/凹部结构上形成氮化物半导体激光器的层叠结构。 用于有源层的InGaN具有In取入效率和随平面方向大幅变化的生长速率。 通过使用该特性，可以通过一次晶体生长在光出射端面形成In含量低，阱层厚度小的有源层结构，因此有源层在发光层附近的跃迁波长， 出口端面可以缩短。 结果，由于可以大大减少由于在光出射端小面处的光吸收而引起的光学损伤，因此可以实现能够进行高光输出操作的氮化物半导体激光器。

    NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
    9.
    发明申请
    NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE 失效
    氮化物半导体发光器件

    公开(公告)号：US20110012169A1

    公开(公告)日：2011-01-20

    申请号：US12933283

    申请日：2009-02-02

    申请人： Toshiyuki Takizawa ,  Tetsuzo Ueda ,  Manabu Usuda

    发明人： Toshiyuki Takizawa ,  Tetsuzo Ueda ,  Manabu Usuda

    IPC分类号： H01L33/32

    CPC分类号： H01L21/02433 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/34333

    摘要： A nitride semiconductor light-emitting device includes a substrate (101) made of silicon, a mask film (102) made of silicon oxide, formed on a principal surface of the substrate (101), and having at least one opening (102a), a seed layer (104) made of GaN selectively formed on the substrate (101) in the opening (102a), an LEG layer (105) formed on a side surface of the seed layer (104), and an n-type GaN layer (106), an active layer (107), and a p-type GaN layer (108) which are formed on the LEG layer (105). The LEG layer (105) is formed by crystal growth using an organic nitrogen material as a nitrogen source.

    摘要翻译： 一种氮化物半导体发光器件，包括由硅制成的衬底（101），形成在衬底（101）的主表面上的由氧化硅制成的掩模膜（102），并具有至少一个开口（102a）， 在所述开口（102a）中的所述基板（101）上选择性地形成有GaN的种子层（104），形成在所述籽晶层（104）的侧面上的LEG层（105）和n型GaN层 （106），有源层（107）和形成在LEG层（105）上的p型GaN层（108）。 使用有机氮材料作为氮源，通过晶体生长形成LEG层（105）。