公开(公告)号：US20120299059A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13567503

申请日：2012-08-06

申请人： Toshiyuki TAKIZAWA ,  Tetsuzo UEDA

发明人： Toshiyuki TAKIZAWA ,  Tetsuzo UEDA

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： The transistor includes an underlying layer 301 formed on a substrate 300, and a first layer (including an operation layer 302) made of a nitride semiconductor formed on the underlying layer 301. The underlying layer 301 is a multilayered structure including a plurality of stacked nitride semiconductor layers. The underlying layer 301 includes a transition-metal-containing layer containing at least one of cobalt, nickel, ruthenium, osmium, rhodium, or iridium which is a transition metal.

摘要翻译： 晶体管包括形成在衬底300上的下层301和由形成在下层301上的氮化物半导体制成的第一层（包括操作层302）。下层301是包括多个层叠氮化物的多层结构 半导体层。 底层301包括含有过渡金属的层，其含有作为过渡金属的钴，镍，钌，锇，铑或铱中的至少一种。

公开(公告)号：US20110058586A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12991649

申请日：2009-01-21

申请人： Toshiyuki Takizawa ,  Tetsuzo Ueda

发明人： Toshiyuki Takizawa ,  Tetsuzo Ueda

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0654 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1053 ,  H01S5/1057 ,  H01S5/106 ,  H01S5/164 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/223 ,  H01S5/2238 ,  H01S5/3213 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

摘要： A projection/recess structure is formed on a base substrate, and a layered structure of a nitride semiconductor laser is formed on the projection/recess structure. InGaN used for an active layer has an In intake efficiency and a growth rate that greatly vary with the plane direction. By use of this characteristic, an active layer structure low in In content and small in well layer thickness can be formed at a light-outgoing end facet by one-time crystal growth, and thus the transition wavelength of the active layer near the light-outgoing end facet can be shortened. As a result, since optical damage due to light absorption at the light-outgoing end facet can be greatly reduced, a nitride semiconductor laser capable of performing high light-output operation can be implemented.

摘要翻译： 在基底基板上形成突起/凹部结构，在突起/凹部结构上形成氮化物半导体激光器的层叠结构。 用于有源层的InGaN具有In取入效率和随平面方向大幅变化的生长速率。 通过使用该特性，可以通过一次晶体生长在光出射端面形成In含量低，阱层厚度小的有源层结构，因此有源层在发光层附近的跃迁波长， 出口端面可以缩短。 结果，由于可以大大减少由于在光出射端小面处的光吸收而引起的光学损伤，因此可以实现能够进行高光输出操作的氮化物半导体激光器。

公开(公告)号：US20110037101A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：US12667999

申请日：2009-03-27

申请人： Kazushi Nakazawa ,  Toshiyuki Takizawa ,  Tetsuzo Ueda ,  Daisuke Ueda

发明人： Kazushi Nakazawa ,  Toshiyuki Takizawa ,  Tetsuzo Ueda ,  Daisuke Ueda

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/80 ,  H01L29/737 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/7371 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/432 ,  H01L29/7787

摘要： A semiconductor device includes an undoped GaN layer (13), an undoped AlGaN layer (14), and a p-type GaN layer (15). In the p-type GaN layer (15), highly resistive regions (15a) are selectively formed. Resistance of the highly resistive regions (15a) can be increased by introducing a transition metal, for example, titanium.

摘要翻译： 半导体器件包括未掺杂的GaN层（13），未掺杂的AlGaN层（14）和p型GaN层（15）。 在p型GaN层（15）中，选择性地形成高电阻区域（15a）。 可以通过引入过渡金属例如钛来增加高电阻区域（15a）的电阻。

公开(公告)号：US07786550B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US10790864

申请日：2004-03-03

申请人： Toshiyuki Takizawa

发明人： Toshiyuki Takizawa

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/207 ,  H01L29/2003

摘要： A p-type semiconductor includes a host material that is a semiconductor, an acceptor element and a localized band formation element. The acceptor element is doped to the host material and has fewer valence electrons than valance electrons of at least one of the elements which compose the host material. The localized band formation element is doped to the host material, is isovalent with at least one of the elements which compose the host material, has smaller electronegativity than the electronegativity of the element(s), and forms the localized band which activates holes of an acceptor level.

摘要翻译： p型半导体包括作为半导体的主体材料，受主元件和局部带形成元件。 受主元件被掺杂到主体材料中，并且具有比构成主体材料的元素中的至少一个元素的价电子更少的价电子。 局部带形成元件被掺杂到主体材料中，与组成主体材料的元素中的至少一个元素具有比元件的电负性更小的电负性，并且形成活化孔的孔的局部带 受体水平

公开(公告)号：US20100178756A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：US12608625

申请日：2009-10-29

申请人： Toshiyuki TAKIZAWA ,  Jun Shimizu ,  Tetsuzo Ueda

发明人： Toshiyuki TAKIZAWA ,  Jun Shimizu ,  Tetsuzo Ueda

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L33/145 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/2045 ,  H01S5/2223 ,  H01S5/2227 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

摘要： A nitride semiconductor device includes: a substrate having a principal surface; a first nitride semiconductor layer formed on the principal surface of the substrate and includes one or more convex portions whose side surfaces are vertical to the principal surface; and a second nitride semiconductor layer selectively grown on the side surfaces of the one or more convex portions of the first nitride semiconductor layer.

摘要翻译： 氮化物半导体器件包括：具有主表面的衬底; 形成在所述基板的主面上的第一氮化物半导体层，具有与所述主面垂直的一个或多个凸部; 以及选择性地生长在第一氮化物半导体层的一个或多个凸部的侧表面上的第二氮化物半导体层。

公开(公告)号：US07425732B2

公开(公告)日：2008-09-16

申请号：US11410920

申请日：2006-04-26

申请人： Tetsuzo Ueda ,  Satoshi Nakazawa ,  Daisuke Ueda ,  Toshiyuki Takizawa

发明人： Tetsuzo Ueda ,  Satoshi Nakazawa ,  Daisuke Ueda ,  Toshiyuki Takizawa

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1035 ,  H01L33/06 ,  H01S5/322 ,  H01S5/34333 ,  Y02E10/544

摘要： A nitride semiconductor device includes an active layer including a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer which are periodically stacked, the second nitride semiconductor layer having a different composition from a composition of the first nitride semiconductor layer. An energy at a lower edge of a conduction band in the first nitride semiconductor layer is lower than an energy at a lower edge of a conduction band in the second nitride semiconductor layer, and an energy at an upper edge of a valence band in the first nitride semiconductor layer is lower than an energy at an upper edge of a valence band in the second nitride semiconductor layer.

摘要翻译： 氮化物半导体器件包括包含周期性堆叠的第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层的有源层，所述第二氮化物半导体层与第一氮化物半导体层的组成不同。 在第一氮化物半导体层中的导带的下边缘处的能量低于第二氮化物半导体层中的导带的下边缘处的能量，并且第一氮化物半导体层中的导带的上边缘处的能量 氮化物半导体层比在第二氮化物半导体层中的价带的上边缘处的能量低。

公开(公告)号：US20050029531A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10912142

申请日：2004-08-06

申请人： Hisashi Nakayama ,  Tetsuzo Ueda ,  Masaaki Yuri ,  Toshiyuki Takizawa

发明人： Hisashi Nakayama ,  Tetsuzo Ueda ,  Masaaki Yuri ,  Toshiyuki Takizawa

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/778 ,  H01L31/09 ,  H01L33/08 ,  H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/08

摘要： A semiconductor device, which includes an active layer made of a first semiconductor layer formed on a substrate, is designed so that a first oxidized area made of an oxide layer is formed on the active layer.

摘要翻译： 包括由形成在基板上的第一半导体层构成的有源层的半导体器件被设计成使得在有源层上形成由氧化物层形成的第一氧化区域。

公开(公告)号：US08816366B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13105337

申请日：2011-05-11

申请人： Toshiyuki Takizawa ,  Tetsuzo Ueda

发明人： Toshiyuki Takizawa ,  Tetsuzo Ueda

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L21/02 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/32 ,  H01S5/223 ,  H01L33/24 ,  H01L33/16 ,  H01S5/20 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01L21/0262 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02636 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2237 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： An object of the present invention is to provide a nitride semiconductor device which shifts a luminescence wavelength toward a longer wavelength side without decreasing luminescence efficiency, and the nitride semiconductor device according to an implementation of the present invention includes: a GaN layer having a (0001) plane and a plane other than the (0001) plane; and an InGaN layer which contacts the GaN layer and includes indium, and the InGaN layer has a higher indium composition ratio in a portion that contacts the plane other than the (0001) plane than in a portion that contacts the (0001) plane.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种氮化物半导体器件，其将发光波长向较长波长侧移动而不降低发光效率，并且根据本发明的实施方式的氮化物半导体器件包括：具有（0001 ）面和除（0001）面之外的平面; 以及与GaN层接触并包含铟的InGaN层，并且InGaN层在与（0001）面以外的平面接触的部分中的铟成分比在与（0001）面接触的部分相比更高。

公开(公告)号：US08283677B2

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：US12933283

申请日：2009-02-02

申请人： Toshiyuki Takizawa ,  Tetsuzo Ueda ,  Manabu Usuda

发明人： Toshiyuki Takizawa ,  Tetsuzo Ueda ,  Manabu Usuda

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02433 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/34333

摘要： A nitride semiconductor light-emitting device includes a substrate (101) made of silicon, a mask film (102) made of silicon oxide, formed on a principal surface of the substrate (101), and having at least one opening (102a), a seed layer (104) made of GaN selectively formed on the substrate (101) in the opening (102a), an LEG layer (105) formed on a side surface of the seed layer (104), and an n-type GaN layer (106), an active layer (107), and a p-type GaN layer (108) which are formed on the LEG layer (105). The LEG layer (105) is formed by crystal growth using an organic nitrogen material as a nitrogen source.

摘要翻译： 一种氮化物半导体发光器件，包括由硅制成的衬底（101），形成在衬底（101）的主表面上的由氧化硅制成的掩模膜（102），并具有至少一个开口（102a）， 在所述开口（102a）中的所述基板（101）上选择性地形成有GaN的种子层（104），形成在所述籽晶层（104）的侧面上的LEG层（105）和n型GaN层 （106），有源层（107）和形成在LEG层（105）上的p型GaN层（108）。 使用有机氮材料作为氮源，通过晶体生长形成LEG层（105）。

公开(公告)号：US07915646B2

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：US11738655

申请日：2007-04-23

申请人： Toshiyuki Takizawa ,  Tetsuzo Ueda

发明人： Toshiyuki Takizawa ,  Tetsuzo Ueda

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7787

摘要： The nitride semiconductor material according to the present invention includes a group III nitride semiconductor and a group IV nitride formed on the group III nitride semiconductor, where an interface between the group III nitride semiconductor and the group IV nitride has a regular atomic arrangement. Moreover, an arrangement of nitrogen atoms of the group IV nitride in the interface and an arrangement of group III atoms of the group III nitride semiconductor in the interface may be substantially identical.

摘要翻译： 根据本发明的氮化物半导体材料包括在III族氮化物半导体上形成的III族氮化物半导体和IV族氮化物，其中III族氮化物半导体和IV族氮化物之间的界面具有规则的原子排列。 此外，界面中IV族氮化物的氮原子排列和III族氮化物半导体的III族原子在界面中的排列可以是基本相同的。