公开(公告)号：US20130045592A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13695775

申请日：2011-11-04

申请人： Tomihito Miyazaki ,  Hiromu Shiomi ,  Hideto Tamaso ,  Takeyoshi Masuda

发明人： Tomihito Miyazaki ,  Hiromu Shiomi ,  Hideto Tamaso ,  Takeyoshi Masuda

IPC分类号： H01L21/265 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28238 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

摘要： A method for manufacturing a SiC semiconductor device includes: a step of forming an oxide film on a surface of a SiC substrate; and a step of removing the oxide film. In the step of forming the oxide film, ozone gas is used. In the step of removing the oxide film, it is preferable to use halogen plasma or hydrogen plasma. In this way, problems associated with a chemical solution can be reduced while obtaining a method and device for manufacturing a SiC semiconductor device, by each of which a cleaning effect can be improved.

摘要翻译： 一种制造SiC半导体器件的方法包括：在SiC衬底的表面上形成氧化膜的步骤; 以及去除氧化膜的步骤。 在形成氧化膜的步骤中，使用臭氧气体。 在除去氧化膜的步骤中，优选使用卤素等离子体或氢等离子体。 以这种方式，可以减少与化学溶液相关的问题，同时获得用于制造SiC半导体器件的方法和装置，通过这些方法和装置可以提高清洗效果。

公开(公告)号：US20120149175A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13390869

申请日：2011-02-25

申请人： Keiji Wada ,  Takeyoshi Masuda ,  Tomihito Miyazaki ,  Toru Hiyoshi ,  Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi

发明人： Keiji Wada ,  Takeyoshi Masuda ,  Tomihito Miyazaki ,  Toru Hiyoshi ,  Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi

IPC分类号： H01L21/04

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

摘要： A method of cleaning a SiC semiconductor includes the steps of forming an oxide film at the surface of a SiC semiconductor, and removing the oxide film. At the step of forming an oxide film, an oxide film is formed using ozone water having a concentration greater than or equal to 30 ppm. The forming step preferably includes the step of heating at least one of the surface of the SiC semiconductor and the ozone water. Thus, there can be obtained a method of cleaning a SiC semiconductor that can exhibit cleaning effect on the SiC semiconductor.

摘要翻译： 清洗SiC半导体的方法包括以下步骤：在SiC半导体的表面形成氧化膜，除去氧化物膜。 在形成氧化膜的步骤中，使用浓度大于或等于30ppm的臭氧水形成氧化膜。 成形步骤优选包括加热SiC半导体的表面和臭氧水中的至少一个的步骤。 因此，可以获得能够对SiC半导体具有清洁效果的SiC半导体的清洗方法。

公开(公告)号：US08785301B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US13390869

申请日：2011-02-25

申请人： Keiji Wada ,  Takeyoshi Masuda ,  Tomihito Miyazaki ,  Toru Hiyoshi ,  Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi

发明人： Keiji Wada ,  Takeyoshi Masuda ,  Tomihito Miyazaki ,  Toru Hiyoshi ,  Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

摘要： A method of cleaning a SiC semiconductor includes the steps of forming an oxide film at the surface of a SiC semiconductor, and removing the oxide film. At the step of forming an oxide film, an oxide film is formed using ozone water having a concentration greater than or equal to 30 ppm. The forming step preferably includes the step of heating at least one of the surface of the SiC semiconductor and the ozone water. Thus, there can be obtained a method of cleaning a SiC semiconductor that can exhibit cleaning effect on the SiC semiconductor.

摘要翻译： 清洗SiC半导体的方法包括以下步骤：在SiC半导体的表面形成氧化膜，除去氧化物膜。 在形成氧化膜的步骤中，使用浓度大于或等于30ppm的臭氧水形成氧化膜。 成形步骤优选包括加热SiC半导体的表面和臭氧水中的至少一个的步骤。 因此，可以获得能够对SiC半导体具有清洁效果的SiC半导体的清洗方法。

公开(公告)号：US20080044647A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US10594718

申请日：2005-03-24

申请人： Yoshiki Nishibayashi ,  Tomihito Miyazaki ,  Tetsuya Hattori ,  Takahiro Imai

发明人： Yoshiki Nishibayashi ,  Tomihito Miyazaki ,  Tetsuya Hattori ,  Takahiro Imai

IPC分类号： H01J9/02 ,  B82B3/00 ,  G01N13/16 ,  H01J1/304

CPC分类号： B81C1/00111 ,  H01J9/025 ,  H01J2329/0415 ,  H01J2329/0447 ,  Y10T428/26

摘要： This method of forming a carbonaceous material projection structure includes: the step of applying a resist 11 onto a diamond substrate 10; the step of forming holes 12 in the applied resist 11, the holes 12 being provided according to a predetermined arrangement, a wall 12b of each of the holes 12 being inversely tapered from an aperture 12a toward a bottom; the step of depositing a mask material through the aperture 12a to form a mask deposition 14 in each of the holes 12; the step of lifting off a mask material 13 deposited on the resist 11 together with the resist 11; and etching the diamond substrate 10 using the mask deposition 14 as a mask to form a carbonaceous material projection.

摘要翻译： 这种形成碳质材料投影结构的方法包括：将抗蚀剂11涂覆在金刚石基板10上的步骤; 在施加的抗蚀剂11中形成孔12的步骤，孔12根据预定布置设置，每个孔12的壁12b从孔12a向底部呈倒锥形; 通过孔12a沉积掩模材料以在每个孔12中形成掩模沉积14的步骤; 剥离与抗蚀剂11一起沉积在抗蚀剂11上的掩模材料13的步骤; 并使用掩模沉积14作为掩模蚀刻金刚石基板10，以形成碳质材料凸起。

公开(公告)号：US08581359B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US12516714

申请日：2008-08-22

申请人： Taku Horii ,  Tomihito Miyazaki ,  Makoto Kiyama

发明人： Taku Horii ,  Tomihito Miyazaki ,  Makoto Kiyama

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/02

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212

摘要： A Schottky barrier diode includes a GaN freestanding substrate having a front surface, a GaN epitaxial layer deposited on the front surface, and an insulation layer deposited on the GaN epitaxial layer at a front surface and having an opening. Furthermore, the Schottky barrier diode also includes an electrode. The electrode is configured by a Schottky electrode provided in the opening in contact with the GaN epitaxial layer, and a field plate electrode connected to the Schottky electrode and also overlapping the insulation layer. The GaN freestanding substrate has a dislocation density of at most 1×108 cm−2.

摘要翻译： 肖特基势垒二极管包括具有前表面的GaN独立衬底，沉积在前表面上的GaN外延层和在前表面上沉积在GaN外延层上并具有开口的绝缘层。 此外，肖特基势垒二极管还包括电极。 电极由设置在与GaN外延层接触的开口中的肖特基电极和连接到肖特基电极并且还与绝缘层重叠的场板电极构成。 GaN独立基板的位错密度为1×108cm-2以下。

公开(公告)号：US07884393B2

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：US12786440

申请日：2010-05-25

申请人： Shin Hashimoto ,  Makoto Kiyama ,  Takashi Sakurada ,  Tatsuya Tanabe ,  Kouhei Miura ,  Tomihito Miyazaki

发明人： Shin Hashimoto ,  Makoto Kiyama ,  Takashi Sakurada ,  Tatsuya Tanabe ,  Kouhei Miura ,  Tomihito Miyazaki

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： Affords high electron mobility transistors having a high-purity channel layer and a high-resistance buffer layer. A high electron mobility transistor (11) is provided with a supporting substrate (13) composed of gallium nitride, a buffer layer (15) composed of a first gallium nitride semiconductor, a channel layer (17) composed of a second gallium nitride semiconductor, a semiconductor layer (19) composed of a third gallium nitride semiconductor, and electrode structures (a gate electrode (21), a source electrode (23) and a drain electrode (25) for the transistor (11). The band gap of the third gallium nitride semiconductor is broader than that of the second gallium nitride semiconductor. The carbon concentration NC1 of the first gallium nitride semiconductor is 4×1017 cm−3 or more. The carbon concentration NC2 of the second gallium nitride semiconductor is less than 4×1016 cm−3.

摘要翻译： 提供具有高纯度沟道层和高电阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。 高电子迁移率晶体管（11）设置有由氮化镓构成的支撑基板（13），由第一氮化镓半导体构成的缓冲层（15），由第二氮化镓半导体构成的沟道层（17） 由第三氮化镓半导体构成的半导体层（19）和用于晶体管（11）的电极结构（栅电极（21），源电极（23）和漏电极（25）），带隙 第三氮化镓半导体的第二氮化镓半导体的碳浓度NC2比第二氮化镓半导体的碳浓度小于4×10 17 cm -3以上， 1016厘米-3。

公开(公告)号：US07749828B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US11571156

申请日：2006-03-03

申请人： Shin Hashimoto ,  Makoto Kiyama ,  Takashi Sakurada ,  Tatsuya Tanabe ,  Kouhei Miura ,  Tomihito Miyazaki

发明人： Shin Hashimoto ,  Makoto Kiyama ,  Takashi Sakurada ,  Tatsuya Tanabe ,  Kouhei Miura ,  Tomihito Miyazaki

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： Affords high electron mobility transistors having a high-purity channel layer and a high-resistance buffer layer. A high electron mobility transistor 11 is provided with a supporting substrate 13 composed of gallium nitride, a buffer layer 15 composed of a first gallium nitride semiconductor, a channel layer 17 composed of a second gallium nitride semiconductor, a semiconductor layer 19 composed of a third gallium nitride semiconductor, and electrode structures (a gate electrode 21, a source electrode 23 and a drain electrode 25) for the transistor 11. The band gap of the third gallium nitride semiconductor is broader than that of the second gallium nitride semiconductor. The carbon concentration NC1 of the first gallium nitride semiconductor is 4×1017 cm−3 or more. The carbon concentration NC2 of the second gallium nitride semiconductor is less than 4×1016 cm−3.

摘要翻译： 提供具有高纯度沟道层和高电阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。 高电子迁移率晶体管11设置有由氮化镓构成的支撑基板13，由第一氮化镓半导体构成的缓冲层15，由第二氮化镓半导体构成的沟道层17，由第三氮化镓半导体构成的半导体层19 氮化镓半导体，以及用于晶体管11的电极结构（栅电极21，源电极23和漏电极25）。第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体的带隙宽。 第一氮化镓半导体的碳浓度NC1为4×1017cm-3以上。 第二氮化镓半导体的碳浓度NC2小于4×1016cm-3。

公开(公告)号：US20120174944A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13496754

申请日：2011-04-21

申请人： Tomihito Miyazaki ,  Keiji Wada ,  Toru Hiyoshi

发明人： Tomihito Miyazaki ,  Keiji Wada ,  Toru Hiyoshi

IPC分类号： H01L21/30 ,  B08B7/04 ,  B08B5/00

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/049 ,  H01L21/67207 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

摘要： A cleaning method for a SiC semiconductor includes the step of forming an oxide film on a front surface of a SiC semiconductor, and the step of removing the oxide film, and oxygen plasma is used in the step of forming the oxide film. Hydrogen fluoride may be used in the step of removing the oxide film. Thereby, a cleaning effect on the SiC semiconductor can be exhibited.

摘要翻译： SiC半导体的清洁方法包括在SiC半导体的前表面上形成氧化膜的步骤，除去氧化膜的步骤，在形成氧化膜的步骤中使用氧等离子体。 在除去氧化膜的步骤中可以使用氟化氢。 因此，可以显示对SiC半导体的清洁效果。

公开(公告)号：US20120091472A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13377360

申请日：2011-02-23

申请人： Makoto Sasaki ,  Shin Harada ,  Kyoko Okita ,  Tomihito Miyazaki

发明人： Makoto Sasaki ,  Shin Harada ,  Kyoko Okita ,  Tomihito Miyazaki

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： H01L29/1608 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L29/24

摘要： A first circular surface is provided with a first notch portion having a first shape. A second circular surface is opposite to the first circular surface and is provided with a second notch portion having a second shape. A side surface connects the first circular surface and the second circular surface to each other. The first notch portion and the second notch portion are opposite to each other. The side surface has a first depression connecting the first notch portion and the second notch portion to each other.

摘要翻译： 第一圆形表面设置有具有第一形状的第一切口部分。 第二圆形表面与第一圆形表面相对，并且设置有具有第二形状的第二切口部分。 侧表面将第一圆形表面和第二圆形表面彼此连接。 第一切口部和第二切口部彼此相对。 侧面具有将第一切口部和第二切口部彼此连接的第一凹部。

公开(公告)号：US20120037918A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13266420

申请日：2009-12-25

申请人： Tomihito Miyazaki ,  Makoto Kiyama ,  Taku Horii

发明人： Tomihito Miyazaki ,  Makoto Kiyama ,  Taku Horii

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28581 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/2076

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor layer (1) containing GaN and an electrode. The electrode includes an electrode main body (6), a connection-use electrode (8) containing Al and formed at a position farther from the semiconductor layer (1) than the electrode main body (6), and a barrier layer (7) formed between the electrode main body (6) and the connection-use electrode (8), the barrier layer (7) containing at least one selected from the group consisting of W, TiW, WN, TiN, Ta, and TaN. A surface roughness RMS of the barrier layer (7) is 3.0 nm or less.

摘要翻译： 半导体器件包括含有GaN和电极的半导体层（1）。 所述电极包括电极主体（6），包含Al并形成在比所述电极主体（6）更远离所述半导体层（1）的位置处的连接用电极（8）和阻挡层（7） 形成在电极主体（6）和连接用电极（8）之间，阻挡层（7）含有选自W，TiW，WN，TiN，Ta和TaN中的至少一种。 阻挡层（7）的表面粗糙度RMS为3.0nm以下。