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    Structure for improving die saw quality
    7.
    发明授权
    Structure for improving die saw quality 有权
    提高模锯质量的结构

    公开(公告)号：US08278737B2

    公开(公告)日：2012-10-02

    申请号：US12417394

    申请日：2009-04-02

    申请人： Hsien-Wei Chen ,  Hao-Yi Tsai ,  Ying-Ju Chen ,  Yu-Wen Liu ,  Shin-Puu Jeng

    发明人： Hsien-Wei Chen ,  Hao-Yi Tsai ,  Ying-Ju Chen ,  Yu-Wen Liu ,  Shin-Puu Jeng

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor device is provided that includes a semiconductor substrate, a plurality of dies formed on the semiconductor substrate, the plurality of dies being separated from one another by a first region extending along a first direction and a second region extending along a second direction different from the first direction, a dummy metal structure formed within a third region that includes a region defined by an intersection of the first region and the second region, a plurality of metal interconnection layers formed over the substrate, and a plurality of dielectric layers formed over the substrate. Each of the metal interconnection layers is disposed within each of the dielectric layers and a dielectric constant of at least one of the dielectric layers is less than about 2.6.

    摘要翻译： 提供了一种半导体器件，其包括半导体衬底，形成在半导体衬底上的多个管芯，所述多个管芯沿着第一方向延伸的第一区域彼此分离，并且沿着不同于第二方向的第二方向延伸的第二区域 第一方向，形成在第三区域内的虚设金属结构，所述第三区域包括由所述第一区域和所述第二区域的交点限定的区域，形成在所述基板上的多个金属互连层，以及形成在所述第二区域上的多个电介质层 基质。 每个金属互连层设置在每个介电层内，并且至少一个电介质层的介电常数小于约2.6。

    SEMICONDUCTOR TEST PAD STRUCTURES
    8.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR TEST PAD STRUCTURES 有权

    公开(公告)号：US20100117080A1

    公开(公告)日：2010-05-13

    申请号：US12267021

    申请日：2008-11-07

    申请人： Hsien-Wei Chen ,  Ying-Ju Chen ,  Yu-Wen Liu ,  Hao-Yi Tsai ,  Shin-Puu Jeng

    发明人： Hsien-Wei Chen ,  Ying-Ju Chen ,  Yu-Wen Liu ,  Hao-Yi Tsai ,  Shin-Puu Jeng

    IPC分类号： H01L23/485

    CPC分类号： H01L22/34 ,  H01L24/05 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor test pad interconnect structure with integrated die-separation protective barriers. The interconnect structure includes a plurality of stacked metal layers each having an electrically conductive test pad separated from other test pads by a dielectric material layer. In one embodiment, at least one metallic via bar is embedded into the interconnect structure and electrically interconnects each of the test pads in the metal layers together. The via bar extends substantially along an entire first side defined by each test pad in some embodiments. In other embodiments, a pair of opposing via bars may be provided that are arranged on opposite sides of a die singulation saw cut line defined in a scribe band on a semiconductor wafer.

    摘要翻译： 具有集成的模具隔离保护屏障的半导体测试焊盘互连结构。 互连结构包括多个堆叠的金属层，每个层具有通过介电材料层与其它测试焊盘分离的导电测试焊盘。 在一个实施例中，至少一个金属通孔条被嵌入到互连结构中，并将金属层中的每个测试焊盘电连接在一起。 在一些实施例中，通孔棒基本上沿着由每个测试垫限定的整个第一侧面延伸。 在其他实施例中，可以提供一对相对的通孔条，其布置在限定在半导体晶片上的划线带中的模切单切锯切线的相对侧上。

    Backend Interconnect Scheme with Middle Dielectric Layer Having Improved Strength
    9.
    发明申请
    Backend Interconnect Scheme with Middle Dielectric Layer Having Improved Strength 有权
    后置互连方案与中间介质层具有改进的强度

    公开(公告)号：US20090283911A1

    公开(公告)日：2009-11-19

    申请号：US12121541

    申请日：2008-05-15

    申请人： Hao-Yi Tsai ,  Yu-Wen Liu ,  Hsien-Wei Chen ,  Ying-Ju Chen ,  Shin-Puu Jeng

    发明人： Hao-Yi Tsai ,  Yu-Wen Liu ,  Hsien-Wei Chen ,  Ying-Ju Chen ,  Shin-Puu Jeng

    IPC分类号： H01L23/522

    CPC分类号： H01L21/76835 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

    摘要： An integrated circuit structure includes a first, a second and a third metallization layer. The first metallization layer includes a first dielectric layer having a first k value; and first metal lines in the first dielectric layer. The second metallization layer is over the first metallization layer, and includes a second dielectric layer having a second k value greater than the first k value; and second metal lines in the second dielectric layer. The third metallization layer is over the second metallization layer, and includes a third dielectric layer having a third k value; and third metal lines in the third dielectric layer. The integrated circuit structure further includes a bottom passivation layer over the third metallization layer.

    摘要翻译： 集成电路结构包括第一，第二和第三金属化层。 第一金属化层包括具有第一k值的第一介电层; 和第一介电层中的第一金属线。 第二金属化层在第一金属化层之上，并且包括具有大于第一k值的第二k值的第二介电层; 和第二介电层中的第二金属线。 第三金属化层在第二金属化层之上，并且包括具有第三k值的第三介电层; 和第三介电层中的第三金属线。 集成电路结构还包括在第三金属化层上的底部钝化层。