MONOLITHICALLY INTEGRATED RF SYSTEM AND METHOD OF MAKING SAME
    12.
    发明申请
    MONOLITHICALLY INTEGRATED RF SYSTEM AND METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
    一体化集成射频系统及其制造方法

    公开(公告)号:WO2014093133A1

    公开(公告)日:2014-06-19

    申请号:PCT/US2013/073377

    申请日:2013-12-05

    Inventor: ROGERS, John E.

    Abstract: Radio frequency system (250) which includes a first and second sub-assembly (100, 200), each formed of a plurality of layers of conductive material disposed on a substrate (102, 202) and arranged in a stack. The stacked layers form signal processing components (108, 110, 208, 210) and at least one peripheral wall (104, 204) surrounding a walled area (118, 218) of each substrate. The second sub-assembly is positioned on the first sub-assembly with a first walled area of a first substrate aligned with a second walled area of a second substrate.

    Abstract translation: 射频系统(250),其包括第一和第二子组件(100,200),每个子组件由多个导电材料层形成,所述多个导电材料层设置在衬底(102,202)上并布置成堆叠。 堆叠的层形成信号处理部件(108,110,208,210)以及围绕每个基板的壁部区域(118,218)的至少一个外围壁(104,204)。 第二子组件定位在第一子组件上,第一衬底具有与第二衬底的第二壁区域对准的第一壁区域。

    配線基板、これを用いた実装構造体および配線基板の製造方法
    13.
    发明申请
    配線基板、これを用いた実装構造体および配線基板の製造方法 审中-公开
    接线板,使用相同的安装结构和接线板制造方法

    公开(公告)号:WO2013125558A1

    公开(公告)日:2013-08-29

    申请号:PCT/JP2013/054120

    申请日:2013-02-20

    Abstract:  本発明の一実施形態における配線基板(3)は、無機絶縁層(11A)と、無機絶縁層(11A)の一主面に形成された第1樹脂層(12A)と、無機絶縁層(11A)の他主面に形成された第2樹脂層(13A)と、第2樹脂層(13A)の無機絶縁層(11A)と反対側の一主面に部分的に形成された導電層(8)とを有する。無機絶縁層(11A)は、互いに一部で接続した複数の第1無機絶縁粒子(14)を含むとともに、複数の第1無機絶縁粒子(14)に囲まれた間隙(G)が形成されている。第1樹脂層(12A)の一部および第2樹脂層(13A)の一部は、間隙(G)に入り込んでいる。

    Abstract translation: 本发明一实施例的布线板(3)具有:无机绝缘层(11A); 形成在无机绝缘层(11A)的一个主表面上的第一树脂层(12A); 形成在无机绝缘层(11A)的另一个主表面上的第二树脂层(13A); 以及形成在所述第二树脂层(13A)的一个主表面的一部分上的导电层(8),所述一个主表面位于所述无机绝缘层(11A)的背面。 无机绝缘层(11A)包括在每个颗粒的一部分彼此连接的多个第一无机绝缘颗粒(14),并且无机绝缘层在其中形成间隙(G),所述间隙为 被第一无机绝缘粒子(14)包围。 第一树脂层(12A)的一部分和第二树脂层(13A)的一部分延伸到间隙(G)中。

    INTEGRATED THIN FILM CAPACITOR/INDUCTOR/INTERCONNECT SYSTEM AND METHOD
    17.
    发明申请
    INTEGRATED THIN FILM CAPACITOR/INDUCTOR/INTERCONNECT SYSTEM AND METHOD 审中-公开
    集成薄膜电容器/电感器/互连系统和方法

    公开(公告)号:WO0225709A3

    公开(公告)日:2003-01-09

    申请号:PCT/US0129575

    申请日:2001-09-21

    Abstract: A system and method for the fabrication of high reliability capacitors (1011), inductors (1012), and multi-layer interconnects (1013) (including resistors (1014)) on various thin film hybrid substrate surfaces (0501) is disclosed. The disclosed method first employs a thin metal layer (0502) deposited and patterned on the substrate (0501). This thin patterned layer (0502) is used to provide both lower electrodes for capacitor structures (0603) and interconnects (0604) between upper electrode components. Next, a dielectric layer (0705) is deposited over the thin patterned layer (0502) and the dielectric layer (0705) is patterned to open contact holes (0806) to the thin patterned layer. The upper electrode layers (0907, 0908, 1009, 1010) are then deposited and patterned on top of the dielectric (0705).

    Abstract translation: 公开了用于在各种薄膜混合基板表面(0501)上制造高可靠性电容器(1011),电感器(1012)和多层互连(1013)(包括电阻器(1014))的系统和方法。 所公开的方法首先采用在衬底(0501)上沉积和图案化的薄金属层(0502)。 该薄图案层(0502)用于为上电极组件之间的电容器结构(0603)和互连(0604)提供两个下电极。 接下来,在薄的图案化层(0502)上沉积电介质层(0705),并且对电介质层(0705)进行图案化以将薄的图案化层的接触孔(0806)打开。 然后将上电极层(0907,0908,1009,1010)沉积并图案化在电介质(0705)的顶部。

    積層体フィルムと電極基板フィルムおよびこれ等の製造方法
    20.
    发明申请
    積層体フィルムと電極基板フィルムおよびこれ等の製造方法 审中-公开
    层压膜和电极基板,及其生产方法

    公开(公告)号:WO2016067943A1

    公开(公告)日:2016-05-06

    申请号:PCT/JP2015/079407

    申请日:2015-10-19

    Inventor: 大上 秀晴

    Abstract: 【課題】エッチング性に優れ、エッチング加工された回路パターンが高輝度照明下で視認され難い積層体フィルムと電極基板フィルムを提供しこれ等の製造方法を提供する。 【解決手段】樹脂フィルムから成る透明基板60と透明基板の少なくとも一方の面に設けられた積層膜とで構成される積層体フィルムであって、上記積層膜が、透明基板側から数えて第1層目の金属吸収層61,63と第2層目の金属層(62,65),(64,66)を有すると共に、金属吸収層が、Ni単体またはNi、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cuより選ばれた2種以上の元素を含む合金から成る金属ターゲットと酸素を含む反応性ガスを用いた反応スパッタリング法により形成されかつ反応性ガスに水素が含まれていることを特徴とする。

    Abstract translation: [问题]提供一种具有优异的蚀刻性能并且在高强度照明下难以看到已进行了蚀刻处理的电路图案的层压膜和电极基底膜,并提供其制造方法。 [解决方案]提供一种由树脂膜制成的透明基板60和设置在透明基板的至少一个表面上的层叠层构成的层叠膜,其特征在于:层叠层包括金属吸收层61, 63是从透明基板计数时的第一层以及当从透明基板计数时是第二层的金属层(62,65),(64,66); 金属吸收层通过使用含氧反应性气体的反应溅射法和由元素Ni构成的金属靶或含有选自Ni,Ti,Al,V,W,Ta,Si中的两种以上的元素的合金形成, Cr,Ag,Mo和Cu; 反应气体含有氢。

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