Abstract:
A semiconductor package. The semiconductor package includes a first side, a second side, a molded substrate, a die, and a lead frame. The second side of the semiconductor package is opposite the first side of the semiconductor package. The die and lead frame are embedded into the molded substrate. The lead frame is also positioned between the first side and the second side of the semiconductor package to provide a first electrical connection between the first side and the second side of the semiconductor package.
Abstract:
In embodiments, a package assembly may include an application-specific integrated circuit (ASIC) and a microelectromechanical system (MEMS) having an active side and an inactive side. In embodiments, the MEMS may be coupled directly to the ASIC by way of one or more interconnects. The MEMS, ASIC, and one or more interconnects may define or form a cavity such that the active portion of the MEMS is within the cavity. In some embodiments, the package assembly may include a plurality of MEMS coupled directly to the ASIC by way of a plurality of one or more interconnects. Other embodiments may be described and/or claimed.
Abstract:
Zur Herstellung einer strukturierten Beschichtung, beziehungsweise zum schonenden Abheben einer Beschichtung über einem empfindlichen Bereich wird vorgeschlagen, im nicht zu beschichtenden Bereich unter der Beschichtung eine Releasefolie aufzubringen und zu strukturieren. In einem Releaseschritt wird die Releasefolie im nicht zu beschichtenden Bereich in der Haftung reduziert und anschließend zusammen mit der darüber aufgebrachten Beschichtung abgehoben.
Abstract:
Es wird ein Sensorsystem mit einem Sensorchip (1) angegeben, der auf einer Montageaufnahme (20) eines keramischen Gehäusekörpers (2) montiert ist, wobei der Gehäusekörper (2) dreidimensional ausgeformt und monolithisch ausgebildet ist und durch ein Keramikmaterial mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten gebildet wird, der in einem Temperaturbereich von größer oder gleich -40°C und kleiner oder gleich 150°C um weniger als 30% vom thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Sensorchips (1) abweicht.
Abstract:
An apparatus including a die including a first side and an opposite second side including a device side with contact points and lateral sidewalls defining a thickness of the die; a build-up carrier coupled to the second side of the die, the build-up carrier including a plurality of alternating layers of conductive material and insulating material, wherein at least one of the layers of conductive material is coupled to one of the contact points of the die; and at least one device within the build-up carrier disposed in an area void of a layer of patterned conductive material. A method and an apparatus including a computing device including a package including a microprocessor are also disclosed.
Abstract:
This disclosure provides systems, methods and apparatus for glass-encapsulated pressure sensors. In one aspect, a glass-encapsulated pressure sensor may include a glass substrate, an electromechanical pressure sensor, an integrated circuit device, and a cover glass. The cover glass may be bonded to the glass substrate with an adhesive, such as epoxy, glass frit, or a metal bond ring. The cover glass may have any of a number of configurations. In some configurations, the cover glass may partially define a port for the electromechanical pressure sensor at an edge of the glass-encapsulated pressure sensor. In some configurations, the cover glass may form a cavity to accommodate the integrated circuit device that is separate from a cavity that accommodates the electromechanical pressure sensor.
Abstract:
Integration of sensor chips with integrated circuit (IC) chips. At least a first sensor chip including a first sensor is affixed to a first side of an interposer to hermitically seal the first sensor within a first cavity. An IC chip is affixed to a second side of the interposer opposite the first sensor, the IC chip is electrically coupled to the first sensor by a through via in the interposer. In embodiments, the first sensor includes a MEMS device and the IC chip comprises a circuit to amplify a signal from the MEMS device. The interposer may be made of glass, with the first sensor chip and the IC chip flip-chip bonded to the interposer by compression or solder. Lateral interconnect traces provide I/O between the devices on the interposer and/or a PCB upon which the interpose is affixed.
Abstract:
La présente invention concerne un microsystème comprenant à la fois une fonction microélectronique et une fonction microfluidique, ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel système, trouvant notamment une application aux microsystèmes dédiés à l'analyse biologique, tels que les laboratoires sur puce (« lab on chip »), les puces à cellules (« cell-based array ») ou puces à ADN ou protéines (« microarray »). Le procédé comprend une étape de création, sur un premier substrat, d'un circuit microélectronique apte à mettre en œuvre la fonction microélectronique, et une étape de création, dans un deuxième substrat, d'une structure microfluidique apte à mettre en œuvre la fonction microfluidique. En outre, le procédé comprend une étape de report du deuxième substrat sur le circuit électronique et le premier substrat, et l'étape de création de la structure microfluidique est mise en œuvre après cette étape de report du deuxième substrat sur le circuit électronique et le premier substrat. Ainsi, le procédé de l'invention permet de s'affranchir des problèmes liés à l'assemblage d'une structure microfluidique préalablement réalisée, avec une structure microélectronique préalablement réalisée, en termes de coût de fabrication, mais également de résolution spatiale. En effet, l'assemblage est mis en œuvre avant réalisation de la structure microfluidique, par report du deuxième substrat qui sert de base à la structure microfluidique, sur la structure microélectronique. Le procédé de l'invention permet ainsi de créer des structures microfluidiques complexes, assemblées avec des structures micro-électroniques complexes.