Abstract:
A circuit including a first die, an integrated passive device and a second layer. The first die includes a first substrate and active devices. The integrated passive device includes a first layer, a second substrate and passive devices. The second substrate includes vias. The passive devices are implemented at least on the first layer or the second substrate. A resistivity per unit area of the second substrate is greater than a resistivity per unit area of the first substrate. The second layer is disposed between the first die and the integrated passive device. The second layer includes pillars. Each of the pillars connects a corresponding one of the active devices to (i) one of the vias, or (ii) one of the passive devices. The first die, the integrated passive device and the second layer are disposed relative to each other to form a stack.
Abstract:
A method for making a microelectronic unit (10) includes forming wire bonds (32) on a conductive bonding surface (30') of a patternable metallic element (28'). The wire bonds are formed having bases (34) joined to the first surface and end surfaces (38) remote from the first surface. The wire bonds have edge surfaces (36) extending between the bases and the end surfaces. The method also includes forming a dielectric encapsulation layer (42) over a portion of the first surface of the conductive layer and over portions of the wire bonds such that unencapsulated portions of the wire bonds are defined by end surfaces or portions of the edge surfaces that are uncovered by the encapsulation layer. The metallic element is patterned to form first conductive elements (28) beneath the wire bonds and insulated from one another by portions of the encapsulation layer.
Abstract:
L'invention concerne un procédé d'assemblage d'un dispositif sur deux fils (18a, 18b) tendus sensiblement parallèles. Le dispositif comprend une puce électronique et deux rainures (4a, 4b) sensiblement parallèles ouvertes sur des côtés opposés du dispositif. L'écartement des rainures correspond à l ' écartement des fils. Le dispositif présente une forme pénétrante le long d'un axe perpendiculaire au plan des rainures, ayant une base au niveau des rainures et un sommet (1) de dimension inférieure à l'écartement des fils. Le procédé comprend les étapes consistant à placer le sommet (1) du dispositif entre les deux fils; à déplacer le dispositif entre les deux fils, d'où il résulte que les fils sont écartés par la forme pénétrante du dispositif; et à continuer le déplacement du dispositif jusqu'à ce que les fils pénètrent dans les rainures en revenant vers leur écartement initial.
Abstract:
A connection of an RF chip (1) comprising pads (2; 2') is established by connecting said pads (2; 2') to substrate and strip conductors in an opening (10a; 10f) of a laminate. The connection to the strip conductors (3, 31) integrated into the substrate (4) is established via the chip pads (2). Once the connection has been established, the opening (10, 10', 10f) comprising the chip and the pads is filled with a sealing material that increases the compressive strength of the entire chip module. Preferably, the strip conductor structures are formed once the connection process of the chip (1) has been completed, thus significantly improving the cost efficiency and quality of the chip, simplifying the production processes, and optimizing a permanent safe connection between the chip and the strip conductors. Said connections can also be perfectly used in tough environments, e.g. in laundries.
Abstract:
Eine Verbindung eines RF- Chips (1 ) mit Anschlussflächen (2; 2') wird erzeugt, indem diese Anschlussflächen (2; 2') in eine Öffnung (10a; 10f) eines Laminates mit Substrat und Leiterbahnen verbunden wird. Die Verbindung erfolgt über die Chipanschlussflächen (2) mit den im Substrat (4) integrierten Leiterbahnen (3, 31). Nach der Vollendung der Verbindung wird die Öffnung (10, 10', 10f) mit dem Chip und den Anschlussflächen mit einer dichtende Masse ausgegossen, welche die Druckfestigkeit des gesamtem Chipmodul erhöht. Die Bildung der Leiterbahnstrukturen erfolgt bevorzugt nach dem vollständigen Verbindungsprozess des Chips (1 ). Die Wirtschaftlichkeit und Qualität des Chips und der Herstellungsprozesse wird damit erheblich verbessert und vereinfacht, auch eine dauerhafte sichere Verbindung zwischen dem Chip und den Leiterbahnen wird optimiert. Der Einsatz dieser Verbindungen ist auch in rauer Umgebung, zum Beispiel Wäschereien etc., vollauf gegeben.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (10), insbesondere für LIN-Bussysteme, mit einem integrierten Schaltkreis (12), der auf einer Oberseite mehrere Anschlussflächen (20) für eine Ein- und/oder Auskopplung elektrischer Signale aufweist; sowie mit mehreren elektrisch leitfähigen Kontaktzungen (22, 42, 46), die zumindest teilweise mit Verbindungs-Bonddrähten (24) an jeweils zugeordnete Anschlussflächen (20) des integrierten Schaltkreises (12) elektrisch angeschlossen sind; Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass benachbart zu einem Verbindungs-Bonddraht (24) ein Abschirm-Bonddraht (28) vorgesehen ist, der mit beiden Enden auf einem einheitlichen elektrischen Potential, insbesondere auf einer der Kontaktzungen (22, 42, 46), angeordnet ist. Verwendung für elektronische Schaltkreise.
Abstract:
A mounting structure for an IC tag where an IC chip (10) for mounting purpose is mounted electrically connected with antenna patterns (44a, 44b). The structure facilitates assembling work where the IC chip (10) is mounted on the antenna patterns (44a, 44b), reducing production costs of the IC tag. In the IC chip (10), conductive wires (12a, 12b) are wound around an IC chip (20), with the IC chip (10) being mechanically in contact with and electrically connected to electrodes formed on the IC chip (20), so as to circle the outer surfaces between opposite sides of the IC chip (20), and the IC chip (10) is joined to the antenna patterns (44a, 44b) via the conductive wires (12a, 12b).
Abstract:
The power semiconductor circuit comprises a power semiconductor module (2) provided in the form of a flat module. In order to utilize the design possibilities resulting therefrom and to provide a power semiconductor circuit that is characterized by having an automatable production and a particularly space-saving design. To this end, the flat module, with its substrate (11), is glued by means of a heat conducting adhesive (20) directly onto a heat conducting base plate (1) that acts as a cooling element (5).