公开(公告)号：WO2017005716A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：PCT/EP2016/065765

申请日：2016-07-05

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： FRANKE, Martin ,  FRÜHAUF, Peter ,  KNOFE, Rüdiger ,  MÜLLER, Bernd ,  NERRETER, Stefan ,  NIEDERMAYER, Michael ,  WITTREICH, Ulrich ,  ZÄSKE, Manfred

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/4878 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/4275 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/08245 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2924/00014

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer kühlbaren elektronischen Komponente (12), indem ein Kühlelement (13) mit dieser verbunden wird. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Verbindung durch Anschieben, auch direktes Bonden genannt, erzeugt wird, wobei die Fügeflächen der elektronischen Komponente (12) und des Kühlelements (13) so glatt sind, dass in einem Übergang zwischen diesen beiden Bauteilen (15) Adhäsionskräfte zu einem Stoffschluss führen. Dieser Stoffschluss kann durch ein anschließendes Kaltverschweißen weiter gefestigt werden. Der Vorteil des entstandenen Übergangs (15) ist ein im Vergleich zu Übergängen mit einem Fügehilfsstoff geringerer thermischer Widerstand, weswegen vorteilhaft die elektronische Komponente (12) durch das Kühlelement (13) effektiver entwärmt werden kann. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Baugruppe, die nach dem genannten Verfahren hergestellt wurde.

Abstract translation: 本发明涉及通过冷却元件（13）与其连接的制造可冷却的电子元件（12）的方法。 根据本发明，它提供了通过推动连接，也直接接合称为产生，其中，所述电子元件（12）和所述冷却元件（13）的接合表面是十分光滑，在（15）至粘附这两个部件之间的过渡 导致材料连接。 这种粘结可通过随后的冷焊接得到进一步加强。 相比于具有接合佐剂通过冷却元件（13）转变较低的热阻，因此有利地将电子部件（12）所得到的过渡（15）的优点，被有效地冷却。 本发明也是一个组件，其通过相同的步骤制备。

公开(公告)号：WO2016180917A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/EP2016/060653

申请日：2016-05-12

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： TAUZIN, Aurélie ,  IMBERT, Bruno

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/7806 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/3245 ,  H01L21/76254 ,  H01L24/80 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80055 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/8009 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335

Abstract: Le procédé est réalisé entre un premier substrat (1) comprenant une première couche d'un premier matériau et un second substrat (2) comprenant une seconde couche (6) d'un second matériau, le premier matériau et le second matériau étant de natures différentes et choisis parmi des alliages d'éléments des colonnes III et V, le procédé comprenant les étapes de: a) Fournir le premier substrat (1) et le second substrat (2), b) Mettre en contact le premier substrat (1) et le second substrat (2) de sorte à former une interface de collage (7) entre la première couche et la seconde couche (6), c) Effectuer un premier traitement thermique à une première température prédéfinie, d) Amincir l'un des substrats (1,2), e) Déposer, à une température inférieure ou égale à la première température prédéfinie, une couche barrière (8), sur le substrat (1,2) aminci, et f) Effectuer un second traitement thermique à une seconde température prédéfinie, supérieure à la première température prédéfinie.

Abstract translation: 该过程在包括第一材料的第一层的第一衬底（1）和包括第二材料的第二层（6）的第二衬底（2）之间进行，第一材料和第二材料具有不同的性质 并选自列III和V的元素的合金，该方法包括以下步骤：a）提供第一基板（1）和第二基板（2）; b）使第一衬底（1）和第二衬底（2）接触以在第一层和第二层（6）之间形成结合界面（7）; c）在第一预定温度下进行第一热处理; d）使基板之一（1,2）变薄; e）在所述薄化衬底（1,2）上沉积低于或等于所述第一预定温度的温度下的阻挡层（8）; 以及f）在高于所述第一预定温度的第二预定温度下进行第二热处理。

公开(公告)号：WO2015107290A2

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：PCT/FR2015050052

申请日：2015-01-09

Applicant: COMMISSARIAT L ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

Inventor： DEGUET CHRYSTEL ,  FOURNEL FRANK ,  MORICEAU HUBERT ,  SANCHEZ LOIC

IPC: H01L21/58

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/0519 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75735 ,  H01L2224/75841 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80019 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/802 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80385 ,  H01L2224/80424 ,  H01L2224/80444 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2924/05442 ,  H01L21/78

Abstract: This process comprises: placing (70) chips in preset locations by attracting a transfer layer of the chip using a pad, the attractive force between the transfer layer and the pad being a force chosen from the group composed of a magnetic force, an electrostatic force and an electromagnetic force; and bonding (74) the chips thus placed on respective receiving zones of an active side of a receiver substrate, this bonding comprising: preparing (30, 62, 72) bonding sides of the chips and the receiving zones so that they are able to bond without adhesive, then in step c), bringing (78) each bonding side into direct contact with its respective receiving zone and thus bonding the chips to the receiver substrate without adhesive.

Abstract translation: 该方法包括：通过使用焊盘吸引芯片的转移层来将（70）芯片放置在预设位置，转移层和焊盘之间的吸引力是从由磁力，静电力 和电磁力; 并且将由此放置在接收器基板的有源侧的相应接收区上的芯片接合（74），该接合包括：准备（30,62,72）将芯片和接收区域粘合在一起，使得它们能够结合 没有粘合剂，然后在步骤c）中，使（78）每个粘合侧与其相应的接收区域直接接触，并且因此将芯片粘合到接收器基底而没有粘合剂。

公开(公告)号：WO2017021231A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：PCT/EP2016/067827

申请日：2016-07-26

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： FOURNEL, Frank ,  BAILLIN, Xavier ,  CHERAMY, Séverine ,  LEDUC, Patrick ,  SANCHEZ, Loic

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80205 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442

Abstract: Procédé de collage direct d'une puce électronique (100) sur un substrat (102) ou sur une autre puce électronique, comportant les étapes de : - traitement hydrophile d'une partie (105) d'une face de la puce électronique et d'une partie (110) d'une face (108) du substrat ou de l'autre puce électronique; - dépôt d'un fluide aqueux (112) sur la partie de la face du substrat ou de la deuxième puce électronique; - dépôt de la partie de la face de la puce électronique sur le fluide aqueux; - séchage du fluide aqueux jusqu'à une solidarisation de la partie de la face de la puce électronique avec la partie de la face du substrat ou de l'autre puce électronique; et comportant en outre, pendant au moins une partie du séchage du fluide aqueux, une émission d'ultrasons dans le fluide aqueux à travers le substrat ou l'autre puce électronique.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于将电子芯片（100）直接接合到基板（102）或另一电子芯片上的方法，所述方法包括以下步骤：对表面的一部分（105）进行亲水处理 所述电子芯片和所述基板或所述另一个电子芯片的表面（108）的一部分（110） 将水性流体（112）沉积在所述基底或所述第二电子芯片的所述表面的所述部分上; 将所述电子芯片的所述表面的所述部分沉积在所述水性流体上; 干燥含水流体直到电子芯片的表面部分刚性地连接到基板或另一个电子芯片表面的部分; 所述方法还在水性流体的至少部分干燥过程中还包括通过基底或其它电子芯片将超声发射到水性流体中。

公开(公告)号：WO2009124921A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：PCT/EP2009/054115

申请日：2009-04-07

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  DI CIOCCIO, Léa ,  GROSSI, François ,  GUEGUEN, Pierric ,  VANDROUX, Laurent

Inventor： DI CIOCCIO, Léa ,  GROSSI, François ,  GUEGUEN, Pierric ,  VANDROUX, Laurent

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/90 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08235 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83141 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

Abstract: L' invention concerne un procédé de formation, en surface d'un substrat (2), d'au moins une zone d'attache hydrophile (12) en vue d'un auto-assemblage d'un composant ou d'une puce (3), dans lequel on réalise une zone hydrophobe (20), qui délimite ladite zone d'attache hydrophile.

Abstract translation: 本发明涉及一种在基材（2）的表面上形成至少一个亲水附着区（12），用于自组装组件或芯片（3）的方法，其中疏水区（ 20），其限定所述亲水性附着区。