公开(公告)号：WO2011114751A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：PCT/JP2011/001642

申请日：2011-03-18

申请人： 古河電気工業株式会社 ,  西久保 英郎 ,  増森 俊二 ,  原田 琢也 ,  石井 智紘 ,  藤原 英道

发明人： 西久保　英郎 ,  増森　俊二 ,  原田　琢也 ,  石井　智紘 ,  藤原　英道

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/4924 ,  H01L21/4853 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13305 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13313 ,  H01L2224/13316 ,  H01L2224/13317 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/1332 ,  H01L2224/13323 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13349 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29305 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29317 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/2932 ,  H01L2224/29323 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29349 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29366 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81125 ,  H01L2224/81127 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83125 ,  H01L2224/83127 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H05K2203/0338 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 　熱サイクル特性に優れる金属多孔質体からなる導電性バンプ、導電性ダイボンド部等の導電接続部材を提供する。　半導体素子の電極端子又は回路基板の電極端子の接合面に形成された導電接続部材であって、該導電接続部材が平均一次粒子径１０～５００ｎｍの金属微粒子（Ｐ）と、有機溶剤（Ｓ）、又は有機溶剤（Ｓ）及び有機バインダー（Ｒ）からなる有機分散媒（Ｄ）とを含む導電性ペーストを加熱処理して金属微粒子同士が結合して形成された金属多孔質体であり、該金属多孔質体の空隙率が５～３５体積％であり、該金属多孔質体を構成している金属微粒子の平均粒子径が１０～５００ｎｍの範囲であり、かつ該金属微粒子間に存在する平均空孔径が１～２００ｎｍの範囲である、ことを特徴とする導電接続部材。

摘要翻译： 公开了一种导电连接构件，例如由具有优异热循环的多孔金属体组成的导电凸块，以及导电芯片接合单元等。 一种形成在半导体元件电极端子或电路基板电极端子的接合表面处的导电连接构件，其中，所述导电连接构件是通过热处理包含细金属的导电膏而将金属微粒接合在一起而形成的多孔金属体 平均一次粒径为10-500nm的颗粒（P），有机溶剂（S）或由有机溶剂（S）和有机粘合剂（R）组成的有机分散介质（D）。 细金属颗粒的孔隙率在10-500nm的范围内; 存在于金属微粒子之间的平均孔径在1〜200nm的范围内。

公开(公告)号：WO2015057216A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：PCT/US2013/065246

申请日：2013-10-16

申请人： INTEL CORPORATION ,  ZHANG, Qinglei ,  LOTZ, Stefanie M.

发明人： ZHANG, Qinglei ,  LOTZ, Stefanie M.

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L23/49838 ,  C23C18/32 ,  C23C18/42 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5381 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81125 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： Embodiments of the present disclosure are directed towards techniques and configurations for dual surface finish package substrate assemblies. In one embodiment a method includes depositing a first lamination layer on a first side of a package substrate and a first surface finish on one or more electrical contacts disposed on a second side of the package substrate; removing the first lamination layer from the first side of the package substrate; depositing a second lamination layer on the second side of the package substrate and a second surface finish on the one or more electrical contacts disposed on the first side of the package substrate; and removing the second lamination layer from the second side of the package substrate. Other embodiments may be described and/or claimed.

摘要翻译： 本公开的实施例涉及用于双表面光洁度封装衬底组件的技术和构造。 在一个实施例中，一种方法包括在封装衬底的第一侧上沉积第一层压层，以及在布置在封装衬底的第二侧上的一个或多个电触点上沉积第一表面光洁度; 从封装基板的第一侧移除第一层压层; 在所述封装基板的第二侧上沉积第二层压层，以及在所述一个或多个电触点上设置在所述封装基板的第一侧上的第二表面光洁度; 以及从所述封装衬底的第二侧移除所述第二层压层。 可以描述和/或要求保护其他实施例。

公开(公告)号：WO2015001484A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：PCT/IB2014/062767

申请日：2014-07-01

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： ALIANE, Abdelkader ,  REVAUX, Amélie

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L29/06 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81125 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81365 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81466 ,  H01L2224/81486 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83125 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/05552

摘要： L'invention concerne un procédé d'assemblage de type Flip-Chip, entre un premier (1) et un deuxième (2) composants comportant chacun des plots de connexion (11, 21) sur une de leurs faces, dites faces d'assemblage, selon lequel on reporte les composants l'un sur l'autre par leurs faces d'assemblage de sorte à réaliser des interconnexions électriques entre les plots du premier et ceux du deuxième composant. Selon l'invention, on réalise une transformation de l'oxyde de cuivre en cuivre par recuit UV, très localement dans l'espacement entre composants au moins autour des zones au droit des plots de connexion. Le procédé selon l'invention peut être utilisé pour n'importe quel composant transparent aux UV, y compris pour des substrats en matière plastique tels que des substrats en PEN ou en PET. L'invention concerne également l'assemblage entre deux composants obtenu par le procédé.

摘要翻译： 本发明涉及一种在第一（1）和第二（2）部件之间倒装芯片组装的方法，每个部件包括在相同的一个表面上的连接焊盘（11,21），其被称为组装面，其涉及将部件转移到 彼此经由其组装面，以便在第一和第二部件的焊盘之间产生电互连。 本发明涉及通过在组件之间的间隙中非常局部地至少在与连接焊盘相邻的区域的周围进行UV退火来将氧化铜转化为铜。 根据本发明的方法可用于对紫外线透明的任何组件，包括由诸如由PEN或PET制成的基材的塑料材料制成的基材。 本发明还涉及通过该方法获得的两种组分的组装。

公开(公告)号：WO2014160675A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/US2014/031668

申请日：2014-03-25

申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： GANDHI, Jaspreet S. ,  ENGLAND, Luke G. ,  FAY, Owen R.

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32054 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3301 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81125 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81901 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012

摘要： Semiconductor devices and device packages include at least one semiconductor die electrically coupled to a substrate through a plurality of conductive structures. The at least one semiconductor die may be a plurality of memory dice, and the substrate may be a logic die. An underfill material disposed between the at least one semiconductor die and the substrate may include a thermally conductive material. An electrically insulating material is disposed between the plurality of conductive structures and the underfill material. Methods of attaching a semiconductor die to a substrate, such as for forming semiconductor device packages, include covering or coating at least an outer side surface of conductive structures, electrically coupling the semiconductor die to the substrate with an electrically insulating material, and disposing a thermally conductive material between the semiconductor die and the substrate.

摘要翻译： 半导体器件和器件封装包括通过多个导电结构电耦合到衬底的至少一个半导体管芯。 所述至少一个半导体管芯可以是多个存储器管芯，并且所述衬底可以是逻辑管芯。 设置在至少一个半导体管芯和衬底之间的底部填充材料可以包括导热材料。 电绝缘材料设置在多个导电结构和底部填充材料之间。 将半导体管芯附着到诸如用于形成半导体器件封装的衬底的方法包括覆盖或涂覆导电结构的至少外侧表面，用电绝缘材料将半导体管芯电耦合到衬底，并且设置热 导电材料在半导体管芯和衬底之间。