公开(公告)号：WO2010030474A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：PCT/US2009/054313

申请日：2009-08-19

Applicant: MICRON TECHNOLOGY, INC. ,  FAY, Owen, R. ,  FARNWORTH, Warren, M. ,  HEMBREE, David, R.

Inventor： FAY, Owen, R. ,  FARNWORTH, Warren, M. ,  HEMBREE, David, R.

IPC: H01L25/065

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/1162 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11826 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13075 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81365 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83141 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

Abstract: Interconnect structures for stacked dies, including penetrating structures for through-silicon vias, and associated systems and methods are disclosed. A system in accordance with a particular embodiment includes a first semiconductor substrate having a first substrate material, and a penetrating structure carried by the first semiconductor substrate. The system further includes a second semiconductor substrate having a second substrate material with a preformed recess. The penetrating structure of the first semiconductor substrate is received in the recess of the second semiconductor substrate and is mechanically engaged with the recess and secured to the second semiconductor substrate.

Abstract translation: 公开了用于堆叠管芯的互连结构，包括贯穿硅通孔的穿透结构以及相关的系统和方法。 根据特定实施例的系统包括具有第一衬底材料的第一半导体衬底和由第一半导体衬底承载的穿透结构。 该系统还包括第二半导体衬底，该第二半导体衬底具有带有预制凹槽的第二衬底材料。 第一半导体衬底的穿透结构被容纳在第二半导体衬底的凹部中，并且与凹部机械地接合并固定到第二半导体衬底。

公开(公告)号：WO1998027596A1

公开(公告)日：1998-06-25

申请号：PCT/SE1997002178

申请日：1997-12-19

Applicant: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ)

Inventor： TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ) ,  HESSELBOM, Lillebror, Hjalmar ,  BODÖ, Jan, Peter

IPC: H01L29/41

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/66 ,  H01L24/81 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81365 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H05K3/326 ,  H05K3/4007

Abstract: The present invention relates to self-aligned, flexible high density and impedance adjusted electrical connectors used in microelectronic systems. This invention solves the problem of having electrical connection and alignment at the same time. One connector (200) having a first part (204) consists of two metal layer structures, a first signal path (212) and a first ground path (210), covering the V-groove (202). The connector also has a second part (208) consisting of corresponding metal layers, a second signal path (224) covering the elastic bump (206) and a second signal ground plane (226), which fits into the V-groove (202). The first and the second signal path (212, 224) are in contact with each other when the first and the second part (204, 208) are brought together. The contact is self-aligned when put together. The electrical contact will remain even if displaced due to the thermal expansion.

Abstract translation: 本发明涉及用于微电子系统中的自对准，柔性高密度和阻抗调节的电连接器。 本发明解决了同时具有电连接和对准的问题。 具有第一部分（204）的一个连接器（200）由覆盖V形槽（202）的两个金属层结构，第一信号路径（212）和第一接地路径（210）组成。 连接器还具有由对应的金属层组成的第二部分（208），覆盖弹性凸块（206）的第二信号路径（224）和装配到V形槽（202）中的第二信号接地平面（226） 。 当第一和第二部分（204,208）被合在一起时，第一信号路径和第二信号路径彼此接触。 放在一起时，接触是自对准的。 即使由于热膨胀而发生位移，电气接触也将保持不变。

公开(公告)号：WO2017083015A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：PCT/US2016/053083

申请日：2016-09-22

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： SAHASRABUDHE, Shubhada H. ,  SANE, Sandeep B. ,  KUMAR, Siddarth ,  TANDON, Shalabh

IPC: H01L25/10 ,  H01L23/00 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/1607 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81365 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81951 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1815

Abstract: Discussed generally herein are methods and devices for more reliable Package on Package (PoP) Through Mold Interconnects (TMIs). A device can include a first die package including a first conductive pad on or at least partially in the first die package, a dielectric mold material on the first die package, the mold material including a hole therethrough at least partially exposing the pad, a second die package including a second conductive pad on or at least partially in the second die package the second die package on the mold material such that the second conductive pad faces the first conductive pad through the hole, and a shape memory structure in the hole and forming a portion of a solder column electrical connection between the first die package and the second die package.

Abstract translation: 这里通常讨论的是用于通过模具互连（TMI）更可靠地封装（PoP）封装的方法和设备。 器件可以包括第一管芯封装和第二管芯封装，第一管芯封装包括在第一管芯封装上或者至少部分地在第一管芯封装中的第一导电焊盘，在第一管芯封装上的电介质模制材料，模制材料包括穿过其中的至少部分地暴露焊盘的孔， 包括在第二管芯上或至少部分地在第二管芯中的第二导电焊盘的管芯封装将第二管芯封装封装在模具材料上，使得第二导电焊盘通过孔面对第一导电焊盘，并且在孔中形成形状记忆结构， 第一管芯封装和第二管芯封装之间的焊料柱电连接的一部分。

公开(公告)号：WO2013141003A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：PCT/JP2013/055742

申请日：2013-03-01

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 大島　正 ,  高尾　尚史 ,  伊藤　宏文

IPC: B23K20/00 ,  B23K20/10 ,  H01L21/60 ,  H01R4/02 ,  H01R43/02

CPC classification number: B23K20/10 ,  B32B7/04 ,  B32B15/01 ,  B32B2250/02 ,  B32B2311/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/80205 ,  H01L2224/80365 ,  H01L2224/80385 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81365 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T428/12472 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 　従来とは異なる新たな組織をもつ常温で固相接合した接合体を提供する。本発明の接合体は、第一被接合部材と第二被接合部材が固相接合されてなり、第一被接合部材と第二被接合部材の間に接合界面を有する。この接合体は、その接合界面を中央として両側に延びる全幅２０μｍの界面近傍域を構成する界面近傍組織の平均結晶粒径（ｄｓ）は、該界面近傍域の両外側にある界面周辺域を構成する界面周辺組織の平均結晶粒径（ｄｍ）に対して７５～１００％あることを特徴とする。本発明の接合体は、接合後の界面近傍組織が接合前の組織と殆ど同じであるため、被接合部材の本来有する特性をそのまま発揮し得る。

Abstract translation: 提供一种在室温下固相接合的接合体，所述接合体具有不同于传统接合体的新型结构。 通过将待接合的第一待接合部件与要接合的第二部件固相接合而形成的本发明的接合体在被接合的第一部件与待接合的第二部件之间具有接合界面。 该粘结体的特征在于，靠近界面的结构中的平均晶粒尺寸（ds），所述结构构成接近其界面的界面，其中心是接合界面，并且其两侧总共延伸 20μm的宽度对应于界面周围的结构中的平均晶粒尺寸（dm）的75-100％，所述结构构成围绕界面的区域，其位于接近界面的区域的两个外侧。 在本发明的接合体中，接合后的界面附近的结构与接合前的结构几乎相同。 因此，粘合体可以发挥这样的待结合部件固有的特性。

公开(公告)号：WO2015001484A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：PCT/IB2014/062767

申请日：2014-07-01

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： ALIANE, Abdelkader ,  REVAUX, Amélie

IPC: H01L23/485 ,  H01L29/06 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81125 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81365 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81466 ,  H01L2224/81486 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83125 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/05552

Abstract: L'invention concerne un procédé d'assemblage de type Flip-Chip, entre un premier (1) et un deuxième (2) composants comportant chacun des plots de connexion (11, 21) sur une de leurs faces, dites faces d'assemblage, selon lequel on reporte les composants l'un sur l'autre par leurs faces d'assemblage de sorte à réaliser des interconnexions électriques entre les plots du premier et ceux du deuxième composant. Selon l'invention, on réalise une transformation de l'oxyde de cuivre en cuivre par recuit UV, très localement dans l'espacement entre composants au moins autour des zones au droit des plots de connexion. Le procédé selon l'invention peut être utilisé pour n'importe quel composant transparent aux UV, y compris pour des substrats en matière plastique tels que des substrats en PEN ou en PET. L'invention concerne également l'assemblage entre deux composants obtenu par le procédé.

Abstract translation: 本发明涉及一种在第一（1）和第二（2）部件之间倒装芯片组装的方法，每个部件包括在相同的一个表面上的连接焊盘（11,21），其被称为组装面，其涉及将部件转移到 彼此经由其组装面，以便在第一和第二部件的焊盘之间产生电互连。 本发明涉及通过在组件之间的间隙中非常局部地至少在与连接焊盘相邻的区域的周围进行UV退火来将氧化铜转化为铜。 根据本发明的方法可用于对紫外线透明的任何组件，包括由诸如由PEN或PET制成的基材的塑料材料制成的基材。 本发明还涉及通过该方法获得的两种组分的组装。

公开(公告)号：WO2013134054A4

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：PCT/US2013028530

申请日：2013-03-01

Applicant: SET NORTH AMERICA LLC

Inventor： SCHULTE ERIC

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/8102 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81099 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81355 ,  H01L2224/81365 ,  H01L2224/81379 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: Methods and systems for low-force, low-temperature thermocompression bonding. The present application teaches new methods and structures for three-dimensional integrated circuits, in which cold thermocompression bonding is used to provide reliable bonding. To achieve this, reduction and passivation steps are preferably both used to reduce native oxide on the contact metals and to prevent reformation of native oxide, preferably using atmospheric plasma treatments. Preferably the physical compression height of the elements is set to be only enough to reliably achieve at least some compression of each bonding element pair, compensating for any lack of flatness. Preferably the thermocompression bonding is performed well below the melting point. This not only avoids the deformation of lower levels which is induced by reflow techniques, but also provides a steep relation of force versus z-axis travel, so that a drastically- increasing resistance to compression helps to regulate the degree of thermocompression.

Abstract translation: 低力，低温热压接的方法和系统。 本申请教导了三维集成电路的新方法和结构，其中使用冷热压接用于提供可靠的结合。 为了实现这一点，还原和钝化步骤优选地用于减少接触金属上的自然氧化物并且防止天然氧化物的重整，优选使用大气等离子体处理。 优选地，元件的物理压缩高度被设置为仅足以可靠地实现每个结合元件对的至少一些压缩，补偿任何缺乏平坦度。 优选地，热压粘合在熔点以下进行。 这不仅避免了通过回流技术引起的较低水平的变形，而且还提供了力与z轴行程之间的陡峭关系，使得对压缩的显着增加的抗力有助于调节热压的程度。

公开(公告)号：WO2013134054A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：PCT/US2013/028530

申请日：2013-03-01

Applicant: SET NORTH AMERICA, LLC

Inventor： SCHULTE, Eric

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/8102 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81099 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81355 ,  H01L2224/81365 ,  H01L2224/81379 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: Methods and systems for low-force, low-temperature thermocompression bonding. The present application teaches new methods and structures for three-dimensional integrated circuits, in which cold thermocompression bonding is used to provide reliable bonding. To achieve this, reduction and passivation steps are preferably both used to reduce native oxide on the contact metals and to prevent reformation of native oxide, preferably using atmospheric plasma treatments. Preferably the physical compression height of the elements is set to be only enough to reliably achieve at least some compression of each bonding element pair, compensating for any lack of flatness. Preferably the thermocompression bonding is performed well below the melting point. This not only avoids the deformation of lower levels which is induced by reflow techniques, but also provides a steep relation of force versus z-axis travel, so that a drastically- increasing resistance to compression helps to regulate the degree of thermocompression.

Abstract translation:

用于低力低温热压接合的方法和系统。 本申请教导了用于三维集成电路的新方法和结构，其中使用冷热压结合来提供可靠的结合。 为了实现这一点，优选使用还原和钝化步骤来减少接触金属上的自然氧化物，并优选使用大气等离子体处理来防止天然氧化物的重新形成。 优选地，元件的物理压缩高度被设定为仅足够可靠地实现每个接合元件对的至少一些压缩，从而补偿任何不平整度。 优选地，热压结合远低于熔点进行。 这不仅避免了由回流技术引起的较低水平面的变形，而且还提供了力与z轴行程之间的陡峭关系，因此对压缩的急剧增加的阻力有助于调节热压缩的程度。

公开(公告)号：WO2013033034A2

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：PCT/US2012052552

申请日：2012-08-27

Applicant: L LIVERMORE NAT SECURITY LLC ,  SHAH KEDAR G ,  PANNU SATINDERPALL S ,  TOOKER ANGELA C

Inventor： SHAH KEDAR G ,  PANNU SATINDERPALL S ,  TOOKER ANGELA C

IPC: H01L21/60 ,  H05K3/32 ,  H05K3/40

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1624 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/811 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81365 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85365 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H05K3/328 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of making high-density electrical interconnects between micro-electronic components using rivet bonds, by positioning a first substrate over a second substrate to align a through-hole and adjacent first metal bond pad of the first substrate with a second metal bond pad of the second substrate, and forming a metal bump through the through-hole so that the metal bump bonds to and electrically connects the first and second metal bond pads via the through-hole.

Abstract translation: 一种使用铆钉结合在微电子元件之间形成高密度电互连的方法，通过将第一衬底放置在第二衬底上以使第一衬底的通孔和相邻的第一金属键合焊盘与第二衬底的第二金属键合焊盘对齐， 第二衬底，并且穿过通孔形成金属凸块，使得金属凸块通过通孔结合并电连接第一金属接合焊盘和第二金属接合焊盘。