公开(公告)号：CN104716086A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410575580.7

申请日：2014-10-24

申请人： 株式会社东芝

发明人： 川崎敦子

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L24/24 ,  H01L21/31144 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/19 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/8009 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/80001

摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。根据实施方式的半导体装置的制造方法，形成第一导电层以及第一绝缘层从表面露出的第一布线层，形成第二导电层以及第二绝缘层从表面露出的第二布线层，通过使所述第一绝缘层的表面中的、包括所述第一导电层的周围的一部分区域比所述第一导电层的表面低来在所述第一绝缘层的表面形成第一非接合面，将所述第一导电层的表面与所述第二导电层的表面连接，并且，将除了所述第一非接合面的所述第一绝缘层的表面与所述第二绝缘层的表面接合。

公开(公告)号：CN104037102A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310226966.2

申请日：2013-06-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘丙寅 ,  黄信华 ,  黄志辉 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  卢彦池 ,  施俊吉 ,  蔡嘉雄

IPC分类号： H01L21/603

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了混合接合及执行混合接合的设备，其中一种方法包括执行混合接合以将第一封装元件与第二封装元件接合，以便形成接合对。在该接合对中，第一封装元件中的第一金属焊盘与第二封装元件中的第二金属焊盘接合，并且第一封装元件的表面处的第一表面介电层与第二封装元件的表面处的第二表面介电层接合。在混合接合之后，对该接合对执行热压缩退火。

公开(公告)号：CN104054171B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201280053476.0

申请日：2012-08-03

申请人： 国际商业机器公司

发明人： E·C·库尼 ,  J·S·杜恩 ,  D·W·马丁 ,  C·F·马桑特 ,  B-A·雷尼 ,  师利仁 ,  E·J·斯普罗吉斯 ,  曾康怡

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L23/4825 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76819 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L29/1054 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/804 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 公开了用于接合基板表面的方法、接合基板组件和用于接合基板组件的设计结构。通过使用器件基板(10)的第一表面(15)形成产品芯片(25)的器件结构(18、19、20、21)。在产品芯片上形成用于器件结构的互连结构的布线层(26)。布线层被平整化。临时操作晶片(52)被可去除地接合到平整化后的布线层。响应可去除地将临时操作晶片接合到平整化后的第一布线层，器件基板的与第一表面相对的第二表面(54)被接合到最终操作基板(56)。然后从组件去除临时操作晶片。

公开(公告)号：CN103094138B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201210433490.5

申请日：2012-11-02

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·V·源

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/13649 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13676 ,  H01L2224/13681 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29564 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/2958 ,  H01L2224/29649 ,  H01L2224/29655 ,  H01L2224/29657 ,  H01L2224/29666 ,  H01L2224/29676 ,  H01L2224/29681 ,  H01L2224/29684 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开涉及具有增强的铜对铜接合的三维（3D）集成电路及其形成方法。至少在第一器件晶片的Cu表面上形成至少一个金属粘附层。具有另一Cu表面的第二器件晶片被放置在第一器件晶片的Cu表面顶上且在至少一个金属粘附层上面。第一器件晶片和第二器件晶片然后被接合在一起。接合包含在施加或不施加外部施加的压力的情况下在低于400°C的温度下加热器件晶片。在加热期间，两个Cu表面被接合在一起，并且至少一个金属粘附层从两个Cu表面得到氧原子，并且在Cu表面之间形成至少一个金属氧化物接合层。

公开(公告)号：CN102484100A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080041417.2

申请日：2010-09-03

申请人： EV集团E·索尔纳有限责任公司

发明人： M.温普林格

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80205 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80815 ,  H01L2224/8082 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 用于将多个芯片（3）接合到在前侧包含芯片（3’）的基础晶片（1）上的方法，其中在基础晶片（1）的背侧以至少一个层堆叠芯片（3），并且在垂直相邻的芯片（3，3’）之间建立导电连接（7），所述方法具有以下的步骤：a）将基础晶片（1）的前侧（2）固定在载体(5)上，b）将至少一层芯片（3）放置在基础晶片（1）的背侧（6）上的定义位置中，和c）在与载体(5)固定的基础晶片（1）上热处理芯片（3，3’），其特征在于，在步骤c）之前，将基础晶片（1）的芯片（3’）至少部分地分隔成基础晶片（1）的分离的芯片堆叠片段（1c）。

公开(公告)号：CN101740414A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910149028.0

申请日：2009-06-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  邱文智 ,  吴文进

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L24/74 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/80055 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49133 ,  Y10T29/49135 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明是有关于一种半导体晶粒的接合方法，该接合方法包含下列步骤：提供第一晶粒和第二晶粒。首先，扫描第一晶粒和第二晶粒至少其中之一，以判断其厚度变化。其次，将第一晶粒的第一表面朝向第二晶粒的第二表面。利用厚度变化，调整第一晶粒与第二晶粒，使得第一表面与第二表面互相平行。最后，将第二晶粒接合至第一晶粒之上。其中，调整第一晶粒与第二晶粒的步骤包含倾斜第一晶粒和第二晶粒其中之一。本发明在将晶粒接合至晶粒或晶圆上时，有较大的产量以及更增进的可信赖度。