公开(公告)号：CN106653745A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611077363.0

申请日：2016-11-30

申请人： 辽宁大学

发明人： 蔡小五 ,  魏俊秀 ,  高哲 ,  梁超 ,  刘兴辉 ,  翟丽蓉 ,  吕川 ,  闫明

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/732 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/732

摘要： 一种用于ESD保护的双向纵向NPN结构，包括有P型衬底，其结构为：在P型衬底上设有DNW阱，在DNW阱两边设有NWell阱，中间设有PWell阱；一侧的NWell阱上部向上依次设有PESD区域和第一N+注入区，另一侧的NWell阱上部向上依次设有PESD区域和第二N+注入区；PWell阱上部，在PESD区域和第一N+注入区与PESD区域和第二N+注入区之间，设有STI区域。本发明通过上述结构，提供了一种用于ESD保护的双向纵向NPN结构，且不需要增加额外的二极管，减小了版图面积。

公开(公告)号：CN106449740A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610715458.4

申请日：2016-08-25

申请人： 华东光电集成器件研究所

发明人： 姜楠 ,  简崇玺 ,  赵建强 ,  陈计学 ,  赵娟

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/66272

摘要： 本发明公开一种自由集电极纵向PNP管，包括P型衬底，P型衬底中心设有N-阱，N-阱外侧的P型衬底上设有外P+埋层，N-阱中心设有内P+埋层，P型衬底上方覆盖有N-外延层，N-外延层由外向内嵌有外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区，外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区间隔设置，外P+隔离区的底部与外P+埋层的顶部相接，N+隔离区的底部与N-阱的顶部相接；内P+隔离区的底部与内P+埋层的顶部相接；N-外延层中心还设有N-基区，N-基区上设有N+基区，N-基区中心设有P+发射区；发射极与N-阱通过深磷短接，接器件工作电压，使N-阱与P型衬底、内P+埋层形成的PN结构处于反偏状态，实现器件纵向集电自由，克服了传统纵向PNP管集电极必须固定在最低电位的缺点。

公开(公告)号：CN105977287A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610587282.9

申请日：2016-07-25

申请人： 电子科技大学

发明人： 张有润 ,  王文 ,  郭飞 ,  钟晓康 ,  刘程嗣 ,  刘凯

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/732

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/1608

摘要： 本发明属于高功率半导体器件技术领域，涉及一种碳化硅双极结型晶体管。本发明包括从下至上依次层叠设置的集电极、N+衬底、N‑集电区和P型基区；所述P型基区的上表面一端具有基极，另一端具有N+发射区，所述N+发射区上表面具有发射极；其特征在于，所述基极与N+发射区之间的P型基区上表面具有AlN层，所述AlN层与基极和N+发射区通过重掺杂层隔离，且重掺杂层还沿N+发射区上表面向远离基极的一侧延伸并与发射极连接。本发明的有益效果为，相比于传统技术，大大降低了工艺的复杂程度，提高了器件的良品率和可靠性，同时提高了SiC BJT器件的电流增益。

公开(公告)号：CN105849873A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480070604.1

申请日：2014-12-17

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 梅本康成 ,  德田大辅 ,  西明恒和 ,  德矢浩章

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/737

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/732 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7375 ,  H01L29/7378 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13563 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10337 ,  H01L2924/10338 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明涉及半导体装置。在具备双极晶体管BT的半导体装置中，柱状凸点(20)和与发射极层(5)电连接的第二布线(14)接触的第三开口(16)从与发射极层(5)的正上对应的位置向发射极层(5)的长边方向偏移，第三开口(16)相对于发射极层(5)，被配置成发射极层(5)的长边方向的端部与第三开口(16)的开口端几乎一致。

公开(公告)号：CN105633078A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510976838.9

申请日：2015-12-23

申请人： 成都芯源系统有限公司

发明人： 连延杰 ,  傅达平 ,  吉杨永

IPC分类号： H01L27/082 ,  H01L21/8228

CPC分类号： H01L21/82285 ,  H01L21/761 ,  H01L27/0826 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/107 ,  H01L29/732

摘要： 提出了一种双极结型半导体器件及其制造方法。根据本公开的实施例，双极结型半导体器件包括形成于半导体衬底中的第一掩埋层、形成于该第一掩埋层上的第一外延层和第二外延层、制作于第一外延层和第二外延层中的PNP双极结型晶体管单元、NPN双极结型晶体管单元和第一隔离结构。该第一隔离结构位于PNP双极结型晶体管单元和NPN双极结型晶体管单元之间，并且与所述第一掩埋层连接在一起形成隔离屏障。该隔离屏障不仅将PNP双极结型晶体管单元与NPN双极结型晶体管单元有效地隔离开，而且将它们与半导体衬底有效地隔离，阻止载流子注入衬底以及寄生BJT的形成。

公开(公告)号：CN103548138B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201280022565.9

申请日：2012-05-09

申请人： 美国亚德诺半导体公司

发明人： E·科尼

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0262 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7436

摘要： 一种设备包括静电释放(ESD)保护装置。在一个实施例中，保护装置在防止其发生瞬间电事件的内部电路的第一节点和第二节点之间。保护装置包括双极型器件或硅控整流器(SCR)。双极型器件或SCR可具有修改的结构或附加电路以具有选择的保持电压和/或触发电压来提高对内部电路的保护。附加电路可包括一个或多个电阻器、一个或多个二极管、和/或计时器电路，以将双极型器件或SCR的触发和/或保持电压调节成期望电平。保护装置可提供针对例如从大约100V至330V的瞬间电压的保护。

公开(公告)号：CN105409006A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480040051.5

申请日：2014-07-02

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 山下胜重 ,  西村兼一 ,  山本敦也 ,  青木成刚

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/49 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/0623 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8725

摘要： 半导体装置具有：硅基板，具有包含第一导电型杂质的高浓度层；低浓度成，形成在高浓度层之上，包含第一导电型杂质；第一电极以及第二电极，形成在低浓度层之上；纵型半导体元件，在第二电极与高浓度层之间流过电流；以及第一沟槽部，使第一电极与高浓度层之间电导通。第一沟槽部具有包含第一导电型的杂质的第一多晶硅、和在平面视图中包围第一多晶硅的含有第一导电型杂质的扩散层。第一多晶硅形成为将低浓度层贯通并到达高浓度层，第一多晶硅和扩散层的第一导电型杂质浓度在从低浓度层至高浓度层的方向上是一定的。

公开(公告)号：CN102842605B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110342757.5

申请日：2011-11-03

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 范盛宏 ,  胡楚威 ,  林建志 ,  邱志钟 ,  曾峥 ,  曹卫立

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/73

CPC分类号： H01L29/0692 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/402 ,  H01L29/732

摘要： 本发明公开一种双极结型晶体管，其包括射极区、基极区、位于所述射极区与所述基极区之间的第一隔离区、位于所述第一隔离区上且与所述射极区至少部分的外围重叠的栅极、集极区、以及位于所述基极区与所述集极区之间的第二隔离区。本发明所公开的双极结型晶体管，通过在第一隔离区上设置栅极，对射极区而言，可减轻金属硅化物侵蚀主动区域边缘的现象。

公开(公告)号：CN102037558B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200980113255.6

申请日：2009-02-17

申请人： 先进模拟科技公司

发明人： 唐纳德·R·迪斯尼 ,  理查德·K·威廉斯

IPC分类号： H01L21/8249

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76267 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82285 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0825 ,  H01L27/0826 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/732

摘要： 形成在半导体衬底中的隔离的晶体管包括埋设的底隔离区域和填充沟槽，该填充沟槽从衬底的表面向下延伸到底隔离区域。底隔离区域与填充沟槽一起形成衬底的隔离袋。在替代的实施例中，掺杂的侧壁区域从沟槽的底部向下延伸到底隔离区域。衬底不包含外延层，从而克服了与制造外延层有关的许多问题。

公开(公告)号：CN104952869A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510128280.9

申请日：2015-03-23

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： H·L·爱德华兹 ,  A·A·萨尔曼 ,  L·于

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0262 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8224 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0288 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66113 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/861 ,  H02H9/046

摘要： 本发明涉及具有多个雪崩二级管的ESD保护电路。公开了一种静电放电(ESD)保护电路(图3C)。该电路包括具有基极、集电极和发射极的双极晶体管(304)。多个二极管(308-316)中的每个二极管具有耦合到基极的第一端子和耦合到集电极的第二端子。集电极连接到第一端子(V+)。发射极连接到电源端子(V-)。