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公开(公告)号：CN117410263A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310752416.8
申请日：2023-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 在一些实施例中，一种半导体封装件包括封装基板、位于所述封装基板上的多个半导体芯片、位于所述封装基板与所述多个半导体芯片之间的多个中介体以及与所述多个半导体芯片和所述多个中介体接触的模制层。所述多个半导体芯片包括第一半导体芯片以及在水平方向上与所述第一半导体芯片间隔开的第二半导体芯片和第三半导体芯片。所述多个中介体包括与所述第一半导体芯片垂直交叠的第一垂直连接中介体、与所述第二半导体芯片垂直交叠的第二垂直连接中介体、与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片垂直交叠的第一水平连接中介体以及与所述第二半导体芯片和所述第三半导体芯片垂直交叠的第二水平连接中介体。
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公开(公告)号：CN112652595A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011078418.6
申请日：2020-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/482 , H01L25/18 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体芯片，包括具有彼此相反的第一表面和第二表面的第一基板、在第一基板中的贯通电极、在第一表面上并电连接到贯通电极的第一芯片焊盘、以及在第一表面上并电连接到第一基板中的电路元件的第二芯片焊盘；再分配布线层，在第一半导体芯片的第一表面上，并包括电连接到第一芯片焊盘的第一再分配布线列和电连接到第二芯片焊盘的第二再分配布线列；第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片的第二表面上并电连接到贯通电极；以及模制构件，在第一和第二半导体芯片的侧表面上。
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公开(公告)号：CN112133679A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010342804.5
申请日：2020-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/07
Abstract: 提供了半导体装置，所述半导体装置可以包括：第一半导体芯片；第一重新分布层，位于第一半导体芯片的底表面上；第二半导体芯片，位于第一半导体芯片上；第二重新分布层，位于第二半导体芯片的底表面上；模制层，在第一半导体芯片的侧壁和第二半导体芯片的侧壁上以及第一半导体芯片的底表面上延伸；以及外部端子，延伸穿过模制层并且电连接到第一重新分布层。第二重新分布层可以包括暴露部分。第一重新分布层可以包括电连接到第一半导体芯片的第一导电图案以及与第一半导体芯片电绝缘的第二导电图案。第二重新分布层的暴露部分和第一重新分布层的第二导电图案可以通过第一连接引线电连接。
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公开(公告)号：CN104347601B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201410349913.4
申请日：2014-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/98
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/14155 , H01L2224/16058 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/2746 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/48228 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/8203 , H01L2224/92244 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06586 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明构思的实施例包括一种具有多个层叠的半导体芯片的半导体封装件。多层衬底包括中心绝缘层、设置在中心绝缘层的上表面上的上布线层和设置在中心绝缘层的下表面上的第一下布线层。利用各种方式将层叠的半导体芯片连接至多层衬底和/或彼此连接。半导体封装件能够像基于倒装芯片接合的半导体封装件那样进行高性能操作，并且还通过克服由于单个半导体芯片导致的限制符合大容量的需要。本发明构思的实施例还包括用于制造该半导体封装件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531547A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310282434.0
申请日：2013-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/488 , H01L21/58 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/13 , H01L23/49838 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15151 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开了半导体封装件及形成所述半导体封装件的方法。在所述半导体封装件和所述方法中，封装基板包括不与半导体芯片堆叠的孔。因此，可以在无空隙的情况下形成模制层。
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公开(公告)号：CN102891136A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210249511.8
申请日：2012-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/3185 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/24146 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92144 , H01L2225/06524 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及半导体封装及其形成方法和包括该半导体封装的系统。一种半导体封装可以包括：基板，包括基板连接端子；至少一个半导体芯片，堆叠在基板上并具有芯片连接端子；第一绝缘层，至少覆盖基板的一部分和至少一个半导体芯片的一部分；和/或互连，穿透第一绝缘层以将基板连接端子连接到芯片连接端子。一种半导体封装可以包括：堆叠的半导体芯片，半导体芯片的边缘部分构成台阶结构，每个半导体芯片包括芯片连接端子；至少一个绝缘层，覆盖半导体芯片的至少边缘部分；和/或互连，穿透至少一个绝缘层以连接到每个半导体芯片的芯片连接端子。
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公开(公告)号：CN1287621C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200410001317.3
申请日：2004-01-06
CPC classification number: H04W72/1236 , H04L47/14 , H04L47/2416 , H04L47/2441 , H04L47/50 , H04L49/90 , H04W28/14
Abstract: 这里公开了一种用于移动通信系统中的基站的业务调度装置和方法，以发送请求发送给特定移动台的具有不同QoS(业务质量)的实时和非实时数据流。提供了延迟调整器，用于确定发送顺序，以使实时业务优先于非实时业务被发送。还提供了发送缓冲器，用于接收并存储按由延迟调整器确定的顺序输出的实时业务和非实时业务，以及速率调整器，用于计算时隙的分配功率，该时隙作为用于发送存储在发送缓冲器中的预定量的业务的发送单元，根据可用时隙功率改变数据流的发送顺序，并且根据被改变的发送顺序将数据流封装在时隙中。
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公开(公告)号：CN1551653A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410001317.3
申请日：2004-01-06
CPC classification number: H04W72/1236 , H04L47/14 , H04L47/2416 , H04L47/2441 , H04L47/50 , H04L49/90 , H04W28/14
Abstract: 这里公开了一种用于移动通信系统中的基站的业务调度装置和方法，以发送请求发送给特定移动台的具有不同QoS(业务质量)的实时和非实时数据流。提供了延迟调整器，用于确定发送顺序，以使实时业务优先于非实时业务被发送。还提供了发送缓冲器，用于接收并存储按由延迟调整器确定的顺序输出的实时业务和非实时业务，以及速率调整器，用于计算时隙的分配功率，该时隙作为用于发送存储在发送缓冲器中的预定量的业务的发送单元，根据可用时隙功率改变数据流的发送顺序，并且根据被改变的发送顺序将数据流封装在时隙中。
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公开(公告)号：CN117425346A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310542290.1
申请日：2023-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：外围电路结构，包括衬底上的外围电路和电连接到外围电路的第一接合焊盘；以及单元阵列结构，包括半导体层上的存储单元、以及电连接到存储单元并接合到第一接合焊盘的第二接合焊盘。单元阵列结构还包括：堆叠结构，包括绝缘层和电极；半导体层的表面上的外部连接焊盘；虚设图案，相对于衬底位于与半导体层相同的水平处；以及在半导体层和虚设图案上的光敏绝缘层。光敏绝缘层的与外部连接焊盘竖直重叠的部分的第一厚度大于光敏绝缘层的与虚设图案竖直重叠的另一部分的第二厚度。
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