公开(公告)号：CN113308682B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202110580682.8

申请日：2021-05-26

申请人： 长安大学 ,  西安交通大学 ,  中国人民解放军空军工程大学

发明人： 袁战伟 ,  臧顺来 ,  刘欢 ,  何光宇 ,  柴艳

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  B05D7/24 ,  C23C16/02 ,  C23C16/06 ,  C23C16/34

摘要： 本发明公开了一种金属涂层结构及制备方法，结构包括金属基体、金属过渡层和涂层；金属基体上由内向外依次覆盖金属过渡层和涂层，涂层上设置有网状结构缝，网状结构缝将涂层上下表面贯穿，网状结构缝内填充有树脂材料。制备过程首先采用等离子体沉积技术在金属基体表面形成金属过渡层；在金属过渡层上铺覆涂层；将涂层表面加工出网状结构缝，网状结构缝将涂层上下表面贯穿，在网状结构缝内填充有树脂材料。提高了材料的抗疲劳性能。

公开(公告)号：CN114807859A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210262581.0

申请日：2022-03-17

申请人： 江苏精瓷智能传感技术研究院有限公司

发明人： 蒲健 ,  陈茂 ,  冯江涛 ,  池波

IPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C16/06 ,  C23C16/56

摘要： 本发明涉及薄膜制备的技术领域，尤其涉及一种高电阻温度系数铂薄膜及其制备方法。通过在氧化铝基底上沉积一层含氧铂薄膜层，并利用含氧铂薄膜层在后续热处理过程中发生的热分解、团聚和固态去湿过程，提高铂薄膜与氧化铝基底之间的结合力，同时由含氧铂薄膜热分解形成的孤立铂质点作为形核点，将促进后续沉积铂薄膜的再结晶与晶粒长大，经热处理后，即可获得具有高电阻温度系数和优良高温结构稳定性的铂薄膜。本发明制备的铂薄膜，电阻温度系数高，高温结构稳定性好，且结构与工艺简单，无需引入其他金属层或绝缘层作为粘附层或过渡层，是一种有效、经济和实用的方法，所制备的铂薄膜在高温铂薄膜传感器领域有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN114759106A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202110036449.3

申请日：2021-01-12

申请人： 宝山钢铁股份有限公司

发明人： 房文祺 ,  谯朝晖 ,  戴毅刚

IPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  C23C14/16 ,  C23C16/02 ,  C23C16/06 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

摘要： 本发明公开了一种适用于内联式薄膜光伏组件的涂镀钢板，其包括钢基板，设于钢基板表面的复合绝缘层，其中复合绝缘层包括与钢基板邻接的绝缘基层和位于绝缘基层上方的激光划线缓冲层；其中激光划线缓冲层含有下述各项组分的至少其中一项：SixNy，其中0.75≤x:y≤1；Si1‑x(R)xOy，其中R元素为Sb、Au、Cu、Sn和Ag中的至少其中一种，其中0≤x≤0.05，1.9≤y≤2。此外，本发明还公开了上述涂镀钢板的制造方法。本发明所述的涂镀钢板的表面粗糙度十分适宜，其耐热性能相当稳定，且对各类化学介质有良好抗性。该涂镀钢板的热膨胀系数与复合绝缘层及内联式薄膜光伏组件的吸光层相匹配，具有良好的推广前景和应用价值。

公开(公告)号：CN114672859A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202210236570.5

申请日：2022-03-11

申请人： 沈阳梅特科航空科技有限公司

发明人： 吴强 ,  樊海亮 ,  姚鹏飞 ,  韩雪华

IPC分类号： C25D3/50 ,  C25D5/50 ,  C22C19/03 ,  C22C30/00 ,  C23C16/06 ,  C23C28/02

摘要： 本发明公开了一种可作为热障涂层粘结层的铂改性铝化物涂层及其制备工艺，属于高温防护涂层技术领域。首先在基体上使用碱性电镀溶液沉积铂以形成镀铂层，然后通过CVD在镀铂层上沉积Al元素，最终获得可作为热障涂层粘结层的铂改性铝化物涂层；该涂层主体为β‑(Ni,Pt)Al涂层，涂层中Al含量为16～30wt％，Pt含量为10‑40wt％。本发明铝化物扩散涂层中主相为β‑(Ni,Pt)Al相，Pt存在于β‑NiAl相中，由于电镀溶液为碱性，涂层不含S、Cl等有害元素，并可通过CVD添加Zr、Hf、Si等元素中的一种或两种，提高了铂铝粘结层的高温氧化和热腐蚀寿命，改善高温下TBC的抗热循环氧化寿命。

公开(公告)号：CN114481097A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210102121.1

申请日：2022-01-27

申请人： 河源市艾佛光通科技有限公司

发明人： 李国强

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C14/54 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/56 ,  C23C14/58 ,  C23C16/56 ,  C23C16/34 ,  C23C16/06 ,  C23C16/54 ,  H03H3/02

摘要： 本发明提供一种薄膜测厚与修整设备、PVD镀膜系统及薄膜制备方法。所述薄膜测厚与修整设备，包括载片装置、测厚装置、修膜装置、传送装置和PLC控制装置；载片装置包括具有载片腔的第一壳体，载片腔中放置用于容置晶片的载片器；测厚装置包括X射线荧光测量装置和激光共焦显微测量装置；修膜装置包括具有修膜腔的第四壳体；修膜腔中分别设有修膜载片台以及用于对晶片表面进行清理和修平处理的聚焦离子束装置；传送装置包括具有传送腔的第五壳体；传送腔中设有用于取放晶片的机械手；PLC控制装置分别与前述装置连接。采用本发明的薄膜测厚与修整设备、镀膜系统及薄膜制备方法，可以获得薄膜厚度均匀性≤0.1％的4‑8英寸晶片。

公开(公告)号：CN114420533A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111491362.1

申请日：2021-12-08

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 李振亚 ,  王鹏 ,  王敏 ,  高尚

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  C23C16/06 ,  C23C16/56

摘要： 本发明涉及一种在半导体晶片上制备钨的方法。该方法中，利用化学气相沉积在半导体晶片的第一表面沉积钨，所述半导体晶片的与所述第一表面相对的第二表面即背面贴附在基座上，并且在体生长阶段插入至少一次热退火操作，通过所述热退火操作可以缓解沉积在半导体晶片上的钨积聚的应力，降低半导体晶片的翘曲风险，减少化学气相沉积的工艺气体对半导体晶片背面的破坏，达到保护晶片背面的目的。

公开(公告)号：CN114269970A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080059499.7

申请日：2020-08-10

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 基莱·乔丹·布莱克内 ,  照健·史蒂文·黎 ,  托马斯·M·普拉特 ,  埃里克·H·伦茨 ,  詹森·史蒂文斯

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/30 ,  C23C16/38 ,  C23C16/42 ,  C23C16/02 ,  C23C16/06 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

摘要： 使用不含卤化物的金属有机前体将基本上不含碳的含钼和含钨膜沉积在半导体衬底上。前体不包括金属‑碳键、羰基配体，并且优选不包括β‑氢原子。沉积碳含量小于约5％原子，例如小于约3％原子的含金属膜，例如氮化钼、氧氮化钼、硅化钼和硼化钼。在一些实施方案中，通过使含金属前体与在衬底表面上的反应物在不存在等离子体的情况下(例如使用几个ALD循环)反应来沉积膜。在一些实施方案中，然后用等离子体中的第二反应物加工所形成的膜以改变其性质(例如，使膜致密，降低膜的电阻率，或增加其功函数)。该膜可用作pMOS设备中的衬里、扩散阻挡层和电极材料。

公开(公告)号：CN111172510B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202010015406.2

申请日：2020-01-07

申请人： 杭州电子科技大学 ,  浙江酷锐特表面技术有限公司

发明人： 陆潇晓 ,  王寅峰 ,  刘蓉 ,  裘洁琼 ,  席俊华 ,  郭家瑞 ,  桂培培 ,  金浙广 ,  胡畅

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01M4/36 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

摘要： 本发明公开一种高镍三元正极材料Al2O3/Al复合改性层的化学气相沉积制备方法。本发明利用AlCl3和Al粉作为反应原料，基于反应原理，通过调控区间的温度差，定向将反应原料中的Al以气相形式运输至高镍三元正极材料表面，与材料表面的残余碱性成分发生反应，生成一层均匀地、具有保护作用、可提高材料电导率的Al2O3/Al复合改性层，进而提高高镍三元正极材料的循环寿命、循环稳定性和安全性。该方法具有成本低廉、操作简单、反应时间短、反应温度低、不引入杂相、有效降低碱度等的优点。

公开(公告)号：CN113481484B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202110745661.7

申请日：2021-07-01

申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司

发明人： 高政宁 ,  宋维聪

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18

摘要： 本发明提供一种电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的制备方法，该钴锗合金薄膜中，锗的原子百分比含量为15％‑20％，钴锗合金薄膜的电阻温度系数小于200ppm/℃，制备方法包括将生长基底放置于沉积腔室内，依次或者先后向沉积腔室内通入含钴气体和含锗气体，以于生长基底上制备电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的步骤。该钴锗合金薄膜电阻温度系数小，此外还具有抗氧化性好，稳定性高等优点，在用于制备诸如接触孔等互连结构时，可以显著提高器件本身的抗温度性能，从而实现在不改变器件设计的情况下，减小器件发热和提高器件性能的效果。且可以采用PECVD和PEALD工艺制备，可以与现有的半导体制备工艺完美融合，有助于降低其制备成本，提高其适用性。

公开(公告)号：CN114107958A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110792371.8

申请日：2021-07-13

申请人： 圆益IPS股份有限公司

发明人： 朴坰 ,  权玹范 ,  李大成

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C23C14/54 ,  C23C16/06 ,  C23C16/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/06 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种利用基板处理装置的基板处理方法，基板处理装置包括：腔室，形成用于处理基板的处理空间；基板支撑部，设置在腔室，以支撑基板；气体喷射部，设置在基板支撑部上部，以喷射用于执行工艺的气体；排气部，排放处理空间的气体，并且包括用于控制压力的阀门；加热器，设置在腔室的外侧；基板处理方法包括反复一次以上的变压步骤，其中，变压步骤包括：增压步骤，向处理空间注入工艺气体，将腔室的内部压力从第一压力增压至高于常压的第二压力；降压步骤，将腔室的内部压力从第二压力降压至第三压力；其中，降压步骤中的工艺气体供应量小于增压步骤的工艺气体供应量，第三压力为常压。