公开(公告)号：CN107829075A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711049354.5

申请日：2013-10-25

申请人： 应用材料公司

发明人： 傅新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  阿蒂夫·努里 ,  张镁 ,  戴维·汤普森 ,  史蒂夫·G·加奈耶姆

IPC分类号： C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/06 ,  C23C16/14 ,  C23C16/345 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76877

摘要： 本发明提供使用含钨反应气体沉积钨膜或含钨膜的原子层沉积方法，所述含钨反应气体包含以下的一或多种：五氯化钨、具有经验式WCl5或WCl6的化合物。

公开(公告)号：CN104701297B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201310652962.0

申请日：2013-12-05

申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 余云初 ,  沈忆华

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/823475 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/84 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66545

摘要： 一种互连结构，包括：基底；位于所述基底表面的第一互连部件和第二互连部件，所述第一互连部件具有第一接触区，所述第二互连部件具有对应的第二接触区；位于所述第一互连部件、第二互连部件之间的层间介质层；位于所述层间介质层内的互连线层，所述互连线层分别连接第一接触区和第二接触区，实现第一互连部件和第二互连部件的电连接。所述互连线层位于层间介质层内，有效缩短了信号从第一互连部件的第一接触区传输到第二互连部件的第二接触区的距离，简化了互连结构，减小了互连结构的总体厚度，进而提高了器件的响应速度。

公开(公告)号：CN107452708A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710333168.8

申请日：2017-05-12

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 内田慎一 ,  田中敬一郎 ,  藏本贵文

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  G01R22/10 ,  G01R15/18

CPC分类号： H01L23/5227 ,  G01R15/18 ,  G01R15/181 ,  G01R19/0092 ,  H01F17/0013 ,  H01F27/2804 ,  H01F27/34 ,  H01F41/041 ,  H01F2017/0073 ,  H01F2017/008 ,  H01F2017/0086 ,  H01F2027/2809 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/552 ,  H01L29/0649 ,  G01R22/10 ,  H01L21/76838

摘要： 本申请涉及半导体器件、电能测量仪器和半导体器件的制造方法。根据一个实施例，半导体器件包括Si衬底、形成在设置于Si衬底之上的布线层中的电感器和形成为围绕电感器的屏蔽件，其中屏蔽件包括在布线层中的其中形成电感器的层和该层之上的层中形成的金属以及在Si衬底和Si衬底之上的布线层之间形成的硅化物。

公开(公告)号：CN107104051A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201610096054.1

申请日：2016-02-22

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 洪庆文 ,  吴家荣 ,  李怡慧 ,  刘盈成 ,  黄志森

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66477 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76859

摘要： 本发明公开一种半导体元件以及其制作方法，其于形成了对应外延层的第一开孔之后再形成对应栅极结构的第二开孔，并第二开孔形成之后进行预先非晶化注入制作工艺以于外延层中形成非晶区，由此避免用以形成第二开孔的制作工艺影响到非晶区的状况。以本发明的制作方法形成的半导体元件包括接触结构设置与合金层。接触结构设置于第二开孔中以与金属栅极电连接，合金层设置于金属栅极上且设置于接触结构与金属栅极之间，且合金层包括金属栅极的材料的合金。

公开(公告)号：CN106340444A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610534646.7

申请日：2016-07-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 廖振良 ,  梁嘉尧 ,  陈瑞龙 ,  林生元 ,  黄以理 ,  李国熙 ,  陈柏安

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4933 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02356 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

摘要： 一种半导体结构包括：隔离结构、栅极堆叠件、间隔件、和图案化的抗蚀保护氧化物。隔离结构形成在半导体衬底中并且使半导体衬底的器件区域电隔离。栅极结构位于隔离结构上。间隔件形成为沿着隔离结构上的栅极堆叠件的侧壁。图案化的抗蚀保护氧化物位于隔离结构上方并且覆盖间隔件的侧壁，使得间隔件介于图案化的抗蚀保护氧化物和栅极堆叠件之间。本发明还提供了隔离结构上具有抗蚀保护氧化物的半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN105390370A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510514930.3

申请日：2015-08-20

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 思鲁提·维韦克·托姆贝尔 ,  伊斯达克·卡里姆 ,  桑杰·戈皮纳特 ,  丹耐克·迈克尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/32053 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/505 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53266 ,  H01L21/02697 ,  H01J37/32082

摘要： 提供了使用四碘化钛前体低温沉积纯钛薄膜的方法和装置，具体提供了在低温下沉积高度保形和纯的钛薄膜的方法。方法包括将衬底暴露于四碘化钛，吹扫室，将衬底暴露于等离子体，吹扫室，并重复这些操作。在低于约450℃的低温下沉积钛膜。

公开(公告)号：CN104603954A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201280067725.1

申请日：2012-11-23

申请人： 艾柯西柯集团股份有限公司

发明人： L·图斯 ,  M·阿莱曼 ,  J·约翰 ,  T·埃默罗

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02366 ,  H01L21/268 ,  H01L21/32053 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种用于在纹理化的硅衬底表面上形成金属硅化物层的方法，该方法包括：在纹理化的硅衬底上提供金属层；以及执行脉冲激光退火步骤，该步骤提供至少一个UV激光脉冲，该UV激光脉冲具有范围在0.1J/cm2和1.5J/cm2之间的激光能量密度以及范围在1ns和10ms之间的激光脉冲历时，由此将金属层的至少一部分转换成金属硅化物层。另外，本发明涉及在用于制造光伏电池的工艺中使用这一方法，其中介电层是表面钝化层，或者其中介电层是防反射涂层。

公开(公告)号：CN103985673A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410032835.5

申请日：2014-01-23

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 塚本惠介 ,  三原龙善

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/11531 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/324 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  Y10S438/926

摘要： 在半导体衬底的存储器单元区域中形成非易失性存储器的存储器单元的控制栅极电极和存储器栅极电极，并且在外围电路区域中形成需栅极电极。然后在存储器单元区域中形成用于存储器单元的源极或者漏极的n+型半导体区域，并且在外围电路区域中形成用于MISFET的源极或者漏极的n+型半导体区域。然后在n+型半导体区域之上形成金属硅化物层，但是未在控制栅极电极、存储器栅极电极和栅极电极之上形成金属硅化物层。随后去除栅极电极并且替换为用于MISFET的栅极电极。然后在去除栅极电极并且将它替换为用于MISFET的栅极电极之后，在存储器栅极电极和控制栅极电极之上形成金属硅化物层。

公开(公告)号：CN102201343A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110106317.X

申请日：2011-04-26

申请人： 复旦大学

发明人： 吴东平 ,  胡成 ,  朱伦 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/32053 ,  H01L29/04 ,  H01L29/413 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种纳米MOS器件的制备方法，其制备的栅极为金属栅，因而可避免多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能；并且该方法是通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线(即金属栅)，而不需要利用高分辨率的光刻技术来形成金属半导体化合物纳米线，因而大大节约了成本；同时，还公开了一种纳米MOS器件，其栅极为金属栅，因而可避免多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能。

公开(公告)号：CN101297391B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200680039845.5

申请日：2006-08-28

申请人： 美光科技公司

发明人： 古尔特杰·S·桑胡 ,  柯克·D·普拉尔

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/321 ,  H01L21/308 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/67063 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32134

摘要： 在不执行间隔物蚀刻的情况下形成间距倍增工艺中的间隔物(175)。而在衬底(110)上形成心轴(145)，且接着使所述心轴(145)的侧面在例如氧化、氮化或硅化步骤中反应以形成可相对于所述心轴(145)的未反应部分选择性地移除的材料。选择性地移除所述未反应部分以留下独立式间隔物(175)的图案。所述独立式间隔物(175)可用作用于例如蚀刻所述衬底(110)的随后加工步骤的掩膜。