半导体装置及其制造方法
    81.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1531071B

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200410028381.0

    申请日:2004-03-11

    Inventor: 臼井良辅

    Abstract: 一种半导体装置。其包括:层间绝缘膜(405)以及绝缘膜(409);埋设在绝缘膜(409)内的配线(407、408a、408b);载置在绝缘膜(409)上的电路元件(410a、410b);覆盖电路元件(410a、410b)而形成的封闭膜(415);覆盖封闭膜(415)而形成的导电性的遮蔽膜(416)。形成配线(408a、408b)与遮蔽膜(416)电连接的结构。

    半导体模块、半导体模块的制造方法以及便携式设备

    公开(公告)号:CN101312169A

    公开(公告)日:2008-11-26

    申请号:CN200810142810.5

    申请日:2008-01-31

    CPC classification number: H01L2224/11

    Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法以及便携式设备,其目的在于提高半导体模块的电极部的连接可靠性。在半导体模块中成为半导体基板的安装面的表面(特别是在外周缘部)形成有半导体元件的电极。为了进一步加宽该电极的间隔,在电极上形成绝缘层,并且形成贯通该绝缘层与电极连接的多个突起部以及一体地设置有这些突起部的再布线图案。再布线图案具有设置突起部的突起区域和与突起区域连接并延伸的布线区域。在此,绝缘层在突起部间形成为具有凹状的上表面,布线区域中的再布线图案则沿着该上表面形成。由此,与突起区域中的再布线图案相比,布线区域中的再布线图案以更向半导体基板的侧凹陷的状态形成。

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