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1.

发明公开
打线结构及其制作方法无效

公开(公告)号：CN101527287A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910133707.9

申请日：2009-04-01

申请人： 杰群电子科技股份有限公司

发明人： 资重兴

IPC分类号： H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/56

CPC分类号： H01L24/85 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L25/0655 , H01L2224/05644 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45111 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48465 , H01L2224/48475 , H01L2224/48479 , H01L2224/48482 , H01L2224/48486 , H01L2224/48499 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85986 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2224/48471 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015 , H01L2924/01006 , H01L2224/4554

摘要： 本发明涉及一种打线结构，尤其涉及半导体元件的打线结构及其制作方法，主要包括有一芯片，且该芯片透过一导电线与一导电部相连接，其中芯片的主动表面上设置有至少一焊垫，并于焊垫上设置有一凸块，且该凸块的组成材料包括金，此外，凸块上还设置有一焊球，借由焊垫及凸块的设置可将焊球及芯片进行隔离，并避免在打线过程当中所产生的高温对芯片造成损害。

2.

发明公开
半导体装置用接合线审中-实审转让

公开(公告)号：CN107962313A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201711344468.2

申请日：2016-05-19

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 山田隆 , 小田大造 , 榛原照男 , 大石良 , 斋藤和之 , 宇野智裕

IPC分类号： B23K35/02 , B23K35/30 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , H01L23/00

CPC分类号： B23K35/0227 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2101/40 , B32B15/00 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , C23C30/00 , C23C30/005 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45118 , H01L2224/4512 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45178 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/78 , H01L2224/78251 , H01L2224/85 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/0665 , H01L2924/0705 , H01L2924/10253 , H01L2924/186 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , Y10T428/12882 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967 , Y10T428/265 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01045 , H01L2924/01049 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00015 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/20105 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01027 , H01L2924/01047 , H01L2924/01013

摘要： 一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，可谋求高温下的球接合部的接合可靠性的提高和耐力比(＝最大耐力/0.2％耐力)为1.1～1.6。通过在线中包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素来提高在高温下的球接合部的接合可靠性，而且，在对与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，通过使线长度方向的晶体取向之中相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜100＞的取向比率为30％以上，使与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面的平均结晶粒径为0.9～1.5μm，从而使耐力比为1.6以下。

3.

发明公开
插柱和穿透互连方式有权

公开(公告)号：CN103346134A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201210359588.0

申请日：2006-06-14

申请人： 丘费尔资产股份有限公司

发明人： 约翰·特雷扎 , 约翰·卡拉汉 , 格雷戈里·杜多夫

IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768 , H01L21/603 , H01L25/065

CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/4853 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/427 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/488 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68345 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2223/6616 , H01L2223/6622 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/114 , H01L2224/1147 , H01L2224/116 , H01L2224/11912 , H01L2224/13012 , H01L2224/13021 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13184 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/13609 , H01L2224/16146 , H01L2224/16237 , H01L2224/24226 , H01L2224/45111 , H01L2224/75 , H01L2224/75305 , H01L2224/81001 , H01L2224/81011 , H01L2224/81054 , H01L2224/81136 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81204 , H01L2224/81825 , H01L2224/81894 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06531 , H01L2225/06534 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2225/06596 , H01L2924/00013 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/183 , H01S5/18308 , H01S2301/176 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

摘要： 本发明公开了插柱和穿透互连方式。一种物理地和电气地互连两个芯片的方法，包括：将第一芯片上的导电触点与第二芯片上对应的导电触点对准，该第一芯片的导电触点为刚性材料，该第二芯片的导电触点为与该刚性材料相对的韧性材料；使对准的该第一芯片上的导电触点与该第二芯片上相应的导电触点接触；将该第一和第二芯片的触点提高至低于至少该刚性材料的液化温度，同时向该第一和第二芯片施加足够的压力，以使该刚性材料穿透该韧性材料从而形成两者之间的导电连接；以及在形成导电连接之后，冷却该第一和第二芯片的触点至环境温度。

4.

发明公开
一种低寄生电感的IGBT功率模块无效

公开(公告)号：CN103022022A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210569533.2

申请日：2012-12-25

申请人： 浙江大学

发明人： 盛况 , 陈思哲 , 汪涛 , 郭清 , 谢刚

IPC分类号： H01L25/07 , H03K17/567

CPC分类号： H03K17/168 , H01L23/492 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45111 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种低寄生电感的IGBT功率模块，包括上桥臂IGBT芯片、下桥臂IGBT芯片、上桥臂反并二极管芯片、下桥臂反并二极管芯片，下桥臂反并二极管芯片压接在上桥臂IGBT芯片表面，下桥臂反并二极管芯片的阴极与上桥臂IGBT芯片的发射极直接相连；下桥臂IGBT芯片与上桥臂反并二极管芯片分别置于相邻放置的基板上。本发明采用任意类型的IGBT芯片与任意类型的反并二极管的组合。一方面，本发明采用反向压接的办法，最大限度的将回路中的电感降到最低，使得应用中的开关回路避免出现过大的振荡和尖峰，另一方面，本发明减小了模块中芯片的占用面积，从而达到降低模块尺寸的目的，为实际应用带来便利。

5.

发明公开
发光器件、用于制造发光器件的方法、以及背光单元无效

公开(公告)号：CN102185077A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110022580.0

申请日：2011-01-17

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 朴东昱

IPC分类号： H01L33/48 , G02B6/00 , F21S8/00 , F21Y101/02

CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L33/60 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/45 , H01L2224/45111 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45166 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48811 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/78301 , H01L2224/85385 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/15156 , H01L2924/15787 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2224/43 , H01L2924/01006

摘要： 公开了一种发光器件、制造该发光器件的方法、以及背光单元。该发光器件包括：主体，该主体包括腔体，以使该主体的上部是敞口的，其中，所述腔体具有相对于该腔体的底表面以第一角度倾斜的侧壁；第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极形成在主体中，其中该第一电极和第二电极的至少一部分沿着所述腔体的侧壁形成；发光芯片，该发光芯片位于第一电极、第二电极以及所述腔体的底表面上方；至少一根电线，该至少一根电线的一端结合到发光芯片的顶表面，该至少一根电线的另一端结合到第一电极和第二电极的位于所述腔体的侧壁上的部分；以及成型构件，该成型构件形成在所述腔体中，以密封所述发光芯片。

6.

发明授权
横跨连接的芯片系统及其形成方法有权

公开(公告)号：CN100585846C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200680029640.9

申请日：2006-06-14

申请人： 丘费尔资产股份有限公司

发明人： 约翰·特雷扎

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/4853 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/427 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/488 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68345 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2223/6616 , H01L2223/6622 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/114 , H01L2224/1147 , H01L2224/116 , H01L2224/11912 , H01L2224/13012 , H01L2224/13021 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13184 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/13609 , H01L2224/16146 , H01L2224/16237 , H01L2224/24226 , H01L2224/45111 , H01L2224/75 , H01L2224/75305 , H01L2224/81001 , H01L2224/81011 , H01L2224/81054 , H01L2224/81136 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81204 , H01L2224/81825 , H01L2224/81894 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06531 , H01L2225/06534 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2225/06596 , H01L2924/00013 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/183 , H01S5/18308 , H01S2301/176 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种系统，该系统包括第一芯片，其上具有第一半导体装置和第一电连接；第二芯片，其上具有第二半导体装置和第二电连接；第三芯片，其上具有第三半导体装置和第三电连接，所述第三芯片层叠于所述第一芯片和第二芯片之上并横跨所述第一芯片和第二芯片的至少一部分，并被连接至所述第一和第二芯片，从而所述第三电连接的至少一部分被连接至所述第一电连接的至少一部分，所述第三电连接的其它部分被连接至所述第二电连接的其它部分。

7.

发明授权
用于芯片的电源/接地布局有权转让

公开(公告)号：CN103270590B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201180061291.X

申请日：2011-10-20

申请人： 马维尔国际贸易有限公司

发明人： S·萨塔德加 , 韩忠群 , 李维旦 , 游淑华 , 郑全成 , 吴亚伯

IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528 , H01L25/065 , H01L23/50 , H01L21/98

CPC分类号： H01L21/76885 , H01L23/3107 , H01L23/5226 , H01L23/5286 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/061 , H01L2224/16145 , H01L2224/16245 , H01L2224/45111 , H01L2224/45116 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/731 , H01L2224/85 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 本发明的实施例提供一种芯片，该芯片包括形成在第一半导体管芯(104)之上的基部金属层(102)，以及形成在基部金属层之上的第一金属层(110)。第一金属层包括多个岛部(112)，该岛部(112)被配置为在芯片中路由(i)接地信号或(ii)电源信号中的至少一个。芯片还包括形成在第一金属层之上的第二金属层(118)。第二金属层包括多个岛部(120)，该岛部(120)被配置为在芯片中路由(i)接地信号或(ii)电源信号中的至少一个。

8.

发明授权
插柱和穿透互连方式有权转让

公开(公告)号：CN101253601B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200680029457.9

申请日：2006-06-14

申请人： 丘费尔资产股份有限公司

发明人： 约翰·特雷扎 , 约翰·卡拉汉 , 格雷戈里·杜多夫

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/4853 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/427 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/488 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68345 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2223/6616 , H01L2223/6622 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/114 , H01L2224/1147 , H01L2224/116 , H01L2224/11912 , H01L2224/13012 , H01L2224/13021 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13184 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/13609 , H01L2224/16146 , H01L2224/16237 , H01L2224/24226 , H01L2224/45111 , H01L2224/75 , H01L2224/75305 , H01L2224/81001 , H01L2224/81011 , H01L2224/81054 , H01L2224/81136 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81204 , H01L2224/81825 , H01L2224/81894 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06531 , H01L2225/06534 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2225/06596 , H01L2924/00013 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/183 , H01S5/18308 , H01S2301/176 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

摘要： 一种物理地和电气地互连两个芯片的方法，包括：将第一芯片上的导电触点与第二芯片上对应的导电触点对准，该第一芯片的导电触点为刚性材料，该第二芯片的导电触点为与该刚性材料相对的韧性材料；使对准的该第一芯片上的导电触点与该第二芯片上相应的导电触点接触；将该第一和第二芯片的触点提高至低于至少该刚性材料的液化温度，同时向该第一和第二芯片施加足够的压力，以使该刚性材料穿透该韧性材料从而形成两者之间的导电连接；以及在形成导电连接之后，冷却该第一和第二芯片的触点至环境温度。

9.

发明授权
金属细线的真直性的测定方法及测定装置失效

公开(公告)号：CN101201242B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710198980.0

申请日：2007-12-11

申请人： 田中电子工业株式会社

发明人： 三村利孝 , 高田满生

IPC分类号： G01B11/00 , G01B11/24 , G01B11/30

CPC分类号： H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45111 , H01L2224/45116 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/45164 , H01L2224/45169 , H01L2224/45184 , H01L2224/78 , H01L2224/85 , H01L2224/859 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01204 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/14 , H01L2924/20752 , H01L2224/48 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

摘要： 提供简单且正确的评估成为焊(压)接线测平原因的蜿蜒的一种金属细线的真直性的测定方法。于垂下金属细线并自垂直方向对该金属细线拍摄，区分弧状连接线长度2～25倍的多数区间并评估由拍摄影像求取的曲线的蛇行度。影响测平的焊(压)接线的蜿蜒，由以挟持曲线的平行线的间隔予以把握成蛇行宽幅，但长周期的蜿蜒即使蛇行宽幅较大，亦不影响测平，影响测平的曲率半径较小的蜿蜒与弧状连接线长度有关而把握成于上述区间的蛇行宽幅。焊(压)接线的摄影区分配合机器的精确度而将供试焊(压)接线区分成长度方向，以于宽幅方向上已放大的影像处理成2值数据，作为连续曲线予以评估。