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1.

发明授权
具有选择性地修改的电气性质的引线的电子器件有权

公开(公告)号：CN105518856B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201480038210.8

申请日：2014-07-02

申请人： 罗森伯格高频技术有限及两合公司

发明人： S·S·卡希尔 , E·A·圣胡安

IPC分类号： H01L23/49 , H01L23/50 , H01L23/66

CPC分类号： H01L23/49541 , H01L21/4821 , H01L21/4846 , H01L23/49506 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L23/64 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2223/6611 , H01L2224/45541 , H01L2224/4555 , H01L2224/4556 , H01L2224/45565 , H01L2224/4569 , H01L2224/48011 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49052 , H01L2224/85444 , H01L2224/8592 , H01L2224/8593 , H01L2224/85931 , H01L2224/85935 , H01L2224/85939 , H01L2224/85947 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30111 , H01L2924/20654 , H01L2224/45099 , H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种裸片封装体，包括：裸片，其具有多个连接压焊点；裸片衬底，其支撑多个连接元件；第一引线，其包括具有第一芯直径的第一金属芯(10)和包围所述第一金属芯(S1)的电介质层(20,30)，其中，所述电介质层(20,30)具有沿着长度发生改变的第一电介质厚度，以及/或者所述电介质层具有至少部分包围所述电介质层(20,30)的外金属层(40,S4)，以选择性地修改所述第一引线的电气特性。

2.

发明授权
半导体装置用接合线有权转让

公开(公告)号：CN105830205B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201480068797.7

申请日：2014-12-04

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 宇野智裕 , 萩原快朗 , 小山田哲哉 , 小田大造

IPC分类号： H01L21/60 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22C9/06

CPC分类号： H01L24/45 , B23K35/0227 , B23K35/3006 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K35/322 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22C9/00 , C22C9/06 , C25D5/12 , C25D5/50 , C25D7/0607 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45032 , H01L2224/45101 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45163 , H01L2224/45164 , H01L2224/45166 , H01L2224/45541 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45655 , H01L2224/45664 , H01L2224/4809 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/85444 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/013 , H01L2924/10253 , H01L2924/206 , H01L2924/386 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/2076 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004 , H01L2924/01204 , H01L2924/01033 , H01L2924/01203

摘要： 本发明提供能够减少异常环路的发生的接合线。所述接合线的特征在于，具备：芯材，其含有超过50mol％的金属M；中间层，其形成于所述芯材的表面，包含Ni、Pd、所述金属M和不可避免的杂质，所述Ni的浓度为15～80mol％；以及，被覆层，其形成于所述中间层上，包含Ni、Pd和不可避免的杂质，所述Pd的浓度为50～100mol％，所述金属M为Cu或Ag，所述被覆层的Ni浓度低于所述中间层的Ni浓度。

3.

发明公开
半导体装置用接合线审中-实审转让

公开(公告)号：CN107962313A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201711344468.2

申请日：2016-05-19

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 山田隆 , 小田大造 , 榛原照男 , 大石良 , 斋藤和之 , 宇野智裕

IPC分类号： B23K35/02 , B23K35/30 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , H01L23/00

CPC分类号： B23K35/0227 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2101/40 , B32B15/00 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , C23C30/00 , C23C30/005 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45118 , H01L2224/4512 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45178 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/78 , H01L2224/78251 , H01L2224/85 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/0665 , H01L2924/0705 , H01L2924/10253 , H01L2924/186 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , Y10T428/12882 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967 , Y10T428/265 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01045 , H01L2924/01049 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00015 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/20105 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01027 , H01L2924/01047 , H01L2924/01013

摘要： 一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，可谋求高温下的球接合部的接合可靠性的提高和耐力比(＝最大耐力/0.2％耐力)为1.1～1.6。通过在线中包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素来提高在高温下的球接合部的接合可靠性，而且，在对与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，通过使线长度方向的晶体取向之中相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜100＞的取向比率为30％以上，使与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面的平均结晶粒径为0.9～1.5μm，从而使耐力比为1.6以下。

4.

发明授权
键合线以及半导体封装件有权

公开(公告)号：CN105097748B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201410165198.9

申请日：2014-04-23

申请人： 北京富纳特创新科技有限公司

发明人： 王昱权 , 潜力

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L24/49 , H01L21/02603 , H01L21/4825 , H01L21/4853 , H01L21/4885 , H01L21/4889 , H01L23/04 , H01L23/49 , H01L23/52 , H01L23/552 , H01L24/42 , H01L24/44 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L24/47 , H01L24/48 , H01L29/413 , H01L2221/1094 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45193 , H01L2224/45541 , H01L2224/4556 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/15312 , H01L2924/181 , H01L2924/206 , H01L2924/2064 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种半导体封装件，其包括：一基板，该基板设置有多个导电迹线；一半导体预封装件，该半导体预封装件包括一半导体芯片和多个键合线，该半导体芯片表面设置有多个压焊点，且该多个键合线将所述半导体芯片的压焊点与所述基板上对应的导电迹线电性连接；一电磁屏蔽层，该电磁屏蔽层设置于所述半导体预封装件，并将整个半导体预封装件覆盖；一保护层，该保护层覆盖于所述电磁屏蔽层；所述键合线为碳纳米管复合线，该碳纳米管复合线包括碳纳米管单纱和包覆于该纳米管单纱的金属层，该碳纳米管单纱由多个碳纳米管加捻构成，该多个碳纳米管基本平行排列并沿该碳纳米管单纱轴向旋转。另外，本发明还提供一种键合线。

5.

发明公开
半导体装置用接合线无效转让

公开(公告)号：CN106233447A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020829.0

申请日：2015-04-21

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 小山田哲哉 , 宇野智裕 , 出合博之

IPC分类号： H01L21/60 , C22C9/00 , C22C9/06

CPC分类号： H01L24/45 , B23K35/302 , B32B15/018 , B32B15/20 , C22C9/00 , C22C9/06 , H01L24/43 , H01L2224/05624 , H01L2224/4321 , H01L2224/43825 , H01L2224/43827 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/01078 , H01L2924/013 , H01L2924/10253 , H01L2924/00 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01204 , H01L2924/01028 , H01L2924/01033

摘要： 提供一种改善球接合部的接合可靠性、球形成性，并适合于车载用装置的接合线。一种半导体装置用接合线，其特征在于，具有Cu合金芯材、和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，所述Cu合金芯材包含Ni，相对于线整体，Ni的浓度为0.1～1.2重量％，所述Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。

6.

发明公开
键合线以及半导体封装件有权

公开(公告)号：CN105097748A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410165198.9

申请日：2014-04-23

申请人： 北京富纳特创新科技有限公司

发明人： 王昱权 , 潜力

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L24/49 , H01L21/02603 , H01L21/4825 , H01L21/4853 , H01L21/4885 , H01L21/4889 , H01L23/04 , H01L23/49 , H01L23/52 , H01L23/552 , H01L24/42 , H01L24/44 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L24/47 , H01L24/48 , H01L29/413 , H01L2221/1094 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45193 , H01L2224/45541 , H01L2224/4556 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/15312 , H01L2924/181 , H01L2924/206 , H01L2924/2064 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种半导体封装件，其包括：一基板，该基板设置有多个导电迹线；一半导体预封装件，该半导体预封装件包括一半导体芯片和多个键合线，该半导体芯片表面设置有多个压焊点，且该多个键合线将所述半导体芯片的压焊点与所述基板上对应的导电迹线电性连接；一电磁屏蔽层，该电磁屏蔽层设置于所述半导体预封装件，并将整个半导体预封装件覆盖；一保护层，该保护层覆盖于所述电磁屏蔽层；所述键合线为碳纳米管复合线，该碳纳米管复合线包括碳纳米管单纱和包覆于该纳米管单纱的金属层，该碳纳米管单纱由多个碳纳米管加捻构成，该多个碳纳米管基本平行排列并沿该碳纳米管单纱轴向旋转。另外，本发明还提供一种键合线。