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公开(公告)号:CN101432095B
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN200780015418.8
申请日:2007-04-26
Applicant: 株式会社电装 , 千住金属工业株式会社
CPC classification number: H05K3/3478 , B23K35/262 , B23K35/40 , H01L23/492 , H01L23/49866 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29211 , H01L2224/29355 , H01L2224/29499 , H01L2224/29582 , H01L2224/29611 , H01L2224/29694 , H01L2224/29695 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/15747 , H05K2201/0215 , H05K2201/2036 , H05K2203/0415 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/01026 , H01L2924/01049 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/13111 , H01L2224/13109 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明提供泡沫焊锡和电子器件。将半导体元件和基板通过焊锡接合而成的电子器件,会由于半导体元件和基板之间的间隙不适当而导致接合强度降低。因此在制造电子器件时采用在焊锡中分散高熔点金属颗粒而成的泡沫焊锡。但是在使用现有的焊锡来制造电子器件时,存在半导体元件倾斜或接合强度不足的问题。在本发明的泡沫焊锡中,当金属粒径为50μm时,高熔点金属颗粒的尺寸偏差在20μm以下,并且在高熔点金属颗粒的周围形成有高熔点金属颗粒与焊锡的主要成分构成的合金层。并且焊锡中完全没有空隙。另外,本发明的电子器件通过上述泡沫焊锡将半导体元件和基板接合而成,热循环性优良。
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公开(公告)号:CN104160493B
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201380012899.2
申请日:2013-02-28
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/498 , H01L23/49833 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01033
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法,将多组功率单元在预定方向上排列配置,且将该多组功率单元一体地进行树脂封装,所述功率单元中,多个半导体元件隔开预定的间隙而载置在金属板上,所述半导体装置中,在制造时填充的树脂流通的流路上的比预定位置靠树脂的流通方向下游侧的位置配置妨碍树脂向流通方向下游侧的流通的结构体,其中,所述流路位于在预定方向上彼此相邻配置的2个功率单元之间,所述预定位置是与隔开预定的间隙而载置的2个半导体元件中的位于接近树脂的流入口的一侧的近方半导体元件的该流入口侧的相反侧的端部对应的位置。
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公开(公告)号:CN103066027B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201210306999.3
申请日:2012-08-24
CPC classification number: H01L23/4334 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L25/071 , H01L2224/33 , H01L2924/0002 , H01L2924/181 , Y10T29/49002 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种动力模块、制造动力模块的方法以及成型模具,所述动力模块包括:半导体元件;第一冷却构件和第二冷却构件,所述第一冷却构件和所述第二冷却构件被配置为将所述半导体元件夹在它们之间;框架构件,其被配置为支撑在所述第一冷却构件与所述第二冷却构件之间的所述半导体元件;以及成型树脂件,其布置于所述第一冷却构件与所述第二冷却构件之间,其中,所述框架构件包括调节构件,所述调节构件调节所述第一冷却构件与所述第二冷却构件之间的距离。
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公开(公告)号:CN105814686A
公开(公告)日:2016-07-27
申请号:CN201480067494.3
申请日:2014-12-09
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置包括:第一开关元件(20);第二开关元件(30);第一金属构件(50);第二金属构件(54);第一端子(40),其具有在高电位侧上的电位;第二端子(42),其具有在低电位侧上的电位;第三端子(44),其具有中点电位;以及树脂部(66)。第一电位部(P)具有与所述第一端子的电位相等的电位。第二电位部(N)具有与所述第二端子的电位相等的电位。第三电位部(O)具有与所述第三端子的电位相等的电位。第一电位部和第二电位部之间的第一爬电距离大于第一电位部和第三电位部之间的第二爬电距离与第二电位部和第三电位部之间的第三爬电距离中的最小值。
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公开(公告)号:CN103066027A
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201210306999.3
申请日:2012-08-24
CPC classification number: H01L23/4334 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L25/071 , H01L2224/33 , H01L2924/0002 , H01L2924/181 , Y10T29/49002 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种动力模块、制造动力模块的方法以及成型模具,所述动力模块包括:半导体元件;第一冷却构件和第二冷却构件,所述第一冷却构件和所述第二冷却构件被配置为将所述半导体元件夹在它们之间;框架构件,其被配置为支撑在所述第一冷却构件与所述第二冷却构件之间的所述半导体元件;以及成型树脂件,其布置于所述第一冷却构件与所述第二冷却构件之间,其中,所述框架构件包括调节构件,所述调节构件调节所述第一冷却构件与所述第二冷却构件之间的距离。
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公开(公告)号:CN117083877A
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202280025434.X
申请日:2022-03-17
Applicant: 株式会社电装
IPC: H04R1/34
Abstract: 功率模块具备元件(3)以及具有层叠部的绝缘电路基板(2)。层叠部包含第一金属层(21)、夹设于元件(3)与第一金属层(21)之间的接合层、第二金属层(23)、以及夹设于第一金属层(21)与第二金属层(23)之间的树脂层(22)。绝缘电路基板(2)具备以夹持元件(3)的方式设置的一对层叠部。层叠部构成为从第二金属层(23)之外向元件(3)发出的超声波脉冲成为以下那样的检测时间的关系。超声波脉冲在第二金属层(23)中往返两次的时间,比超声波脉冲在从第二金属层(23)至元件(3)的范围往返一次的时间长。
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公开(公告)号:CN105814686B
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201480067494.3
申请日:2014-12-09
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 种半导体装置包括:第开关元件(20);第二开关元件(30);第金属构件(50);第二金属构件(54);第端子(40),其具有在高电位侧上的电位;第二端子(42),其具有在低电位侧上的电位;第三端子(44),其具有中点电位;以及树脂部(66)。第电位部(P)具有与所述第端子的电位相等的电位。第二电位部(N)具有与所述第二端子的电位相等的电位。第三电位部(O)具有与所述第三端子的电位相等的电位。第电位部和第二电位部之间的第爬电距离大于第电位部和第三电位部之间的第二爬电距离与第二电位部和第三电位部之间的第三爬电距离中的最小值。
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公开(公告)号:CN106992158A
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:CN201610839901.9
申请日:2016-09-21
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/00
Abstract: 一种半导体装置,包括:半导体元件;热沉,其包括第一表面和第二表面,所述半导体元件接合到所述第一表面,所述第二表面为所述第一表面的相对侧上的表面;以及封装件,其与所述半导体元件以及所述热沉的所述第一表面相接触,所述封装件在外面中包括凹部,其中所述热沉包括厚部和薄部,所述薄部具有比所述厚部的厚度小的厚度,并且所述薄部位于以最短距离将所述半导体元件的外面与所述凹部连接的线上。
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公开(公告)号:CN104160493A
公开(公告)日:2014-11-19
申请号:CN201380012899.2
申请日:2013-02-28
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/498 , H01L23/49833 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01033
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法,将多组功率单元在预定方向上排列配置,且将该多组功率单元一体地进行树脂封装,所述功率单元中,多个半导体元件隔开预定的间隙而载置在金属板上,所述半导体装置中,在制造时填充的树脂流通的流路上的比预定位置靠树脂的流通方向下游侧的位置配置妨碍树脂向流通方向下游侧的流通的结构体,其中,所述流路位于在预定方向上彼此相邻配置的2个功率单元之间,所述预定位置是与隔开预定的间隙而载置的2个半导体元件中的位于接近树脂的流入口的一侧的近方半导体元件的该流入口侧的相反侧的端部对应的位置。
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公开(公告)号:CN103493197A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201280018795.8
申请日:2012-04-18
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L24/30 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/06181 , H01L2224/32245 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37155 , H01L2224/40245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/83205 , H01L2224/83801 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置,包括:第一半导体元件(10);第一厚板部(31),由导体形成且电连接到第一半导体元件的下表面侧的电极(11);第二半导体元件(20),其主表面面向第一半导体元件的主表面;第二厚板部(32),由导体形成且电连接到第二半导体元件的下表面侧的电极(21);第三厚板部(41),由导体形成且电连接到第一半导体元件的上表面侧的电极(12);第四厚板部(42),由导体形成且电连接到第二半导体元件的上表面侧的电极(22);第一薄板部(33、34),由导体形成并被设置在第二厚板部上且比第二厚板部薄;以及第二薄板部(43、44),由导体形成并被设置在第三厚板部上且比第三厚板部薄。第一薄板部和第二薄板部固定在一起并且电连接。
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