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公开(公告)号:CN104617075A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201410162691.5
申请日:2014-04-22
申请人: 南茂科技股份有限公司
发明人: 廖宗仁
IPC分类号: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC分类号: H01L25/105 , H01L23/3107 , H01L23/433 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49555 , H01L23/49568 , H01L23/49582 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2224/1191 , H01L2224/13147 , H01L2224/1626 , H01L2224/811 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/81897 , H01L2224/81904 , H01L2224/81951 , H01L2225/1029 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要: 本公开提供一种引线框架的封装结构,其包含一裸晶、一介电层、至少一导电柱、至少一引线框架以及至少一锡球。介电层设置于裸晶的表面上。至少一导电柱穿透介电层并设置该表面上。至少一引线框架设置于介电层上并与至少一导电柱间有一间隔。锡球填充该间隔并电性连接该至少一导电柱及该至少一引线框架。
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公开(公告)号:CN103354210B
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201310263865.2
申请日:2013-06-27
申请人: 清华大学
IPC分类号: H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号: H01L24/81 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L2224/13011 , H01L2224/13015 , H01L2224/13017 , H01L2224/13023 , H01L2224/14051 , H01L2224/1705 , H01L2224/17107 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81201 , H01L2224/8122 , H01L2224/81345 , H01L2224/81355 , H01L2224/81359 , H01L2224/8182 , H01L2224/81897 , H01L2224/81898 , H01L2224/81906 , H01L2224/94 , H01L2224/81
摘要: 本发明针对现有键合方法都存在温度高、压力大且表面改性成本高等问题,提供一种键合方法及采用该键合方法形成的键合结构,其能够克服这些缺陷且能够在常温低压下进行晶圆级键合,该键合方法包括:生成能够相互嵌套的键合结构,其中所述能够相互嵌套的键合结构之间的摩擦热大于它们之间的键合能;以及利用所述能够相互嵌套的键合结构之间的摩擦热来键合所述能够相互嵌套的键合结构。
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公开(公告)号:CN102903696B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201210047895.5
申请日:2012-02-27
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L24/14 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/0346 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11472 , H01L2224/1161 , H01L2224/11622 , H01L2224/13011 , H01L2224/13014 , H01L2224/13078 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/1405 , H01L2224/14051 , H01L2224/145 , H01L2224/16238 , H01L2224/17107 , H01L2224/81141 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/81897 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01083 , H01L2924/01053 , H01L2924/01079 , H01L2924/01051 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 本披露涉及半导体器件的导电凸块结构。用于半导体器件的典型结构包括基板,其包括主表面和在基板的主表面之上分布的导电凸块。导电凸块的第一子集中的每个都包括规则体,并且导电凸块的第二子集中的每个都包括环形体。
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公开(公告)号:CN103354210A
公开(公告)日:2013-10-16
申请号:CN201310263865.2
申请日:2013-06-27
申请人: 清华大学
IPC分类号: H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号: H01L24/81 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L2224/13011 , H01L2224/13015 , H01L2224/13017 , H01L2224/13023 , H01L2224/14051 , H01L2224/1705 , H01L2224/17107 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81201 , H01L2224/8122 , H01L2224/81345 , H01L2224/81355 , H01L2224/81359 , H01L2224/8182 , H01L2224/81897 , H01L2224/81898 , H01L2224/81906 , H01L2224/94 , H01L2224/81
摘要: 本发明针对现有键合方法都存在温度高、压力大且表面改性成本高等问题,提供一种键合方法及采用该键合方法形成的键合结构,其能够克服这些缺陷且能够在常温低压下进行晶圆级键合,该键合方法包括:生成能够相互嵌套的键合结构,其中所述能够相互嵌套的键合结构之间的摩擦热大于它们之间的键合能;以及利用所述能够相互嵌套的键合结构之间的摩擦热来键合所述能够相互嵌套的键合结构。
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公开(公告)号:CN101127334B
公开(公告)日:2013-09-04
申请号:CN200710126476.X
申请日:2007-06-18
申请人: 美国博通公司
CPC分类号: H01L23/3675 , H01L21/565 , H01L22/10 , H01L23/315 , H01L23/367 , H01L23/4334 , H01L23/49816 , H01L24/17 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2224/16113 , H01L2224/16245 , H01L2224/17519 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48157 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/81897 , H01L2224/83101 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3025 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要: 本发明涉及一种改进型集成电路(IC)封装体及其制造方法。一方面,IC器件封装体包括带有接触焊盘的IC管芯,该接触焊盘位于IC管芯表面的热点处。热点连接于热互连构件。封装体密封在塑封材料中。散热器安装在塑封材料上并与热互连构件相连。另一方面,热互连构件将散热器与衬底热连接。
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公开(公告)号:CN104617075B
公开(公告)日:2017-12-15
申请号:CN201410162691.5
申请日:2014-04-22
申请人: 南茂科技股份有限公司
发明人: 廖宗仁
IPC分类号: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC分类号: H01L25/105 , H01L23/3107 , H01L23/433 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49555 , H01L23/49568 , H01L23/49582 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2224/1191 , H01L2224/13147 , H01L2224/1626 , H01L2224/811 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/81897 , H01L2224/81904 , H01L2224/81951 , H01L2225/1029 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要: 本公开提供一种引线框架的封装结构,其包含一裸晶、一介电层、至少一导电柱、至少一引线框架以及至少一锡球。介电层设置于裸晶的表面上。至少一导电柱穿透介电层并设置该表面上。至少一引线框架设置于介电层上并与至少一导电柱间有一间隔。锡球填充该间隔并电性连接该至少一导电柱及该至少一引线框架。
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公开(公告)号:CN102903696A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201210047895.5
申请日:2012-02-27
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L24/14 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/0346 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11472 , H01L2224/1161 , H01L2224/11622 , H01L2224/13011 , H01L2224/13014 , H01L2224/13078 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/1405 , H01L2224/14051 , H01L2224/145 , H01L2224/16238 , H01L2224/17107 , H01L2224/81141 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/81897 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01083 , H01L2924/01053 , H01L2924/01079 , H01L2924/01051 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 本披露涉及半导体器件的导电凸块结构。用于半导体器件的典型结构包括基板,其包括主表面和在基板的主表面之上分布的导电凸块。导电凸块的第一子集中的每个都包括规则体,并且导电凸块的第二子集中的每个都包括环形体。
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公开(公告)号:CN101127334A
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:CN200710126476.X
申请日:2007-06-18
申请人: 美国博通公司
CPC分类号: H01L23/3675 , H01L21/565 , H01L22/10 , H01L23/315 , H01L23/367 , H01L23/4334 , H01L23/49816 , H01L24/17 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2224/16113 , H01L2224/16245 , H01L2224/17519 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48157 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/81897 , H01L2224/83101 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3025 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要: 本发明涉及一种改进型集成电路(IC)封装体及其制造方法。一方面,IC器件封装体包括带有接触焊盘的IC管芯,该接触焊盘位于IC管芯表面的热点处。热点连接于热互连构件。封装体密封在塑封材料中。散热器安装在塑封材料上并与热互连构件相连。另一方面,热互连构件将散热器与衬底热连接。
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