公开(公告)号：JPWO2013011628A1

公开(公告)日：2015-02-23

申请号：JP2013524584

申请日：2012-06-14

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 伊東　健一 ,  健一 伊東 ,  義行 井手 ,  義行 井手 ,  薄窪　秀昭 ,  秀昭 薄窪 ,  浩二 中津 ,  浩二 中津 ,  貴史 内田 ,  貴史 内田

IPC分类号： H01L33/54 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60

CPC分类号： H01L33/58 ,  H01L24/97 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00

摘要： 発光装置は、基板(101)と、基板(101)の上に光出射面(121)と反対側の面を基板(101)側にして保持された発光素子(102)と、光出射面(121)の少なくとも一部が露出するように発光素子(102)を覆う第1の樹脂封止体(104)と、第1の樹脂封止体(104)及び光出射面(121)の上に接して形成された第2の樹脂封止体(105)とを備えている。第1の樹脂封止体(104)は、光反射材を含み、第2の樹脂封止体(105)は、発光素子(102)が放出する第1の光を波長が異なる第2の光に変換する機能及び第1の光及び第2の光を混合する機能を有している。

摘要翻译： 该发光器件包括：基板（101），其中所述相对表面的发光表面（121）在基板（101）侧被保持在发光表面上的基板（101）的发光器件（102）（ 覆盖所述发光元件（102），使得至少部分地暴露于121）（104），在第一树脂密封体（104）和所述发光表面（121的第一树脂密封体） 以及形成接触（105）的第二树脂密封体。 第一树脂密封体（104）包括一个光反射材料，第二树脂密封体（105），所述第一发光元件的第二光波长（102）发射的不同 它有混合功能和所述第一光和所述第二光转换的功能。

公开(公告)号：JP2015012292A

公开(公告)日：2015-01-19

申请号：JP2014129754

申请日：2014-06-25

申请人： 廣▲ジャー▼光電股▲ふん▼有限公司 ,  Huga Optotech Inc ,  英特明光能股▲分▼有限公司InterLight Optotech Corp ,  Intematix Technology Center Corp ,  英特明光能股▲分▼有限公司InterLight Optotech Corp

发明人： LIU HONG-ZHI ,  KUO YI-TING ,  CHENG TZU-CHI

IPC分类号： H01L33/48

CPC分类号： F21K9/00 ,  F21K9/232 ,  F21K9/90 ,  F21V19/003 ,  F21Y2103/10 ,  F21Y2107/00 ,  F21Y2115/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/117 ,  H05K3/285 ,  H05K3/326 ,  H05K3/3405 ,  H05K3/366 ,  H05K2201/09481 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】発光ダイオードモジュールを提供する。【解決手段】発光ダイオードモジュール100aは、透明基板106と、複数個の発光ダイオードチップ108と、電気線路と、透明カプセルと、2つの電極板118、120とを含む。透明基板106は、それぞれ異なる方向に向く第一表面102と第二表面104とを有する。複数個の発光ダイオードチップ108は、第一表面102上に固定される。電気線路は、複数個の発光ダイオードチップを互いに電気接続させる。透明カプセルは、第一表面102上に設けられ、かつ所定の発光ダイオードチップと電気線路とをほぼ完全に包囲する。2つの電極板118、120は、第一表面102又は第二表面104に接着され、かつ電気線路で所定の発光ダイオードチップ108を電気接続させることにより、発光ダイオードモジュール100aの2つの電源入力端を構成する。【選択図】図3A

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种发光二极管模块。解决方案：发光二极管模块100a包括：透明基板106; 多个发光二极管芯片108; 电线; 透明胶囊 和两个电极板118,120。透明基板106具有分别指向不同方向的第一表面102和第二表面104。 多个发光二极管芯片108固定在第一表面102上。电线将多个发光二极管芯片相互电连接。 透明胶囊布置在第一表面102上，几乎完全包围预定的发光二极管芯片和电线。 两个电极板118,120通过电线将预定的发光二极管芯片108电连接到第一表面102或第二表面104，并且配置发光二极管模块100a的两个电源输入端子。

公开(公告)号：JP2015008237A

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：JP2013133261

申请日：2013-06-26

申请人： 日亜化学工業株式会社 ,  Nichia Chem Ind Ltd

发明人： OKA YUTA ,  OKADA SATOSHI

IPC分类号： H01L33/60

CPC分类号： H01L33/60 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 【課題】発光素子からの光を十分に反射し、光取り出し効率を向上することが可能な発光装置を提供する。【解決手段】リードフレーム16と、リードフレーム16の上に接して配置された白色レジスト20と、白色レジスト20の上に配置された発光素子10と、を有し、発光素子10は透光性基板上に半導体層を有してなり、透光性基板と白色レジスト20とが接合部材28を介して接合されており、白色レジスト20は、リードフレーム16を露出させる開口部21を有し、発光素子10に接続されたワイヤ24が、開口部21内においてリードフレーム16と接続されていることを特徴とする発光装置。【選択図】図2

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够充分反射来自发光元件的光并且提高光提取效率的发光装置。解决方案：一种发光装置，包括：引线框16; 布置成在引线框架16上接触的白色抗蚀剂20; 以及布置在白色抗蚀剂20上的发光元件10.发光元件10被配置为在半透明基板上具有半导体层。 透光性基板和白色抗蚀剂20经由接合材料28彼此接合。白色抗蚀剂20具有用于使引线框16露出的开口21.与发光元件10连接的线24与引线 框架16在开口21中。

公开(公告)号：JP2014225644A

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：JP2014057970

申请日：2014-03-20

申请人： 日亜化学工業株式会社 ,  Nichia Chem Ind Ltd

发明人： YONEDA AKINORI ,  KIUCHI AKIYOSHI ,  KASAI HISATSUGU ,  AIHARA YOSHIYUKI ,  SASSA HIROKAZU ,  NAKAMURA SHINJI

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L24/85 ,  H01L24/96 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01L33/40 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L2021/60 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/2105 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/2401 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2405 ,  H01L2224/2413 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/85947 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82

摘要： 【課題】小型で十分な強度を有し且つ高い量産性を備えた発光装置を提供する。【解決手段】発光装置100は、p型半導体層9とn型半導体層11とを含み、p型半導体層9とn型半導体層11との間で発光する半導体チップ30と、半導体チップ30の上面側でかつp型半導体層9上に配置されたp側パッド電極5と、半導体チップ30の上面側でかつn型半導体層11上に配置されたn側パッド電極7と、半導体チップ30の上面を覆うように配置された樹脂層21と、樹脂層21の外面に配置され、半導体チップ30の上面側に位置する、p側接続電極23aおよびn側接続電極23bと、を有し、p側パッド電極5とp側接続電極23aとの間およびn側パッド電極23bとn側接続電極23bとの間の少なくとも一方が、樹脂内に配置された金属ワイヤにより接続されている。【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种尺寸小且具有足够的强度和高质量生产率的发光元件。解决方案：发光装置100包括：半导体芯片30，其包括p型半导体层9和 n型半导体层11，在p型半导体层9和n型半导体层11之间发光; 布置在半导体芯片30的顶面侧和p型半导体层9上的p侧焊盘电极5; 布置在半导体芯片30的顶面侧和n型半导体层11上的n侧焊盘电极7; 布置成覆盖半导体芯片30的顶面的树脂层21; 以及配置在树脂层21的外表面并且位于半导体芯片30的顶面侧的p侧连接电极23a和n侧连接电极23b。在p侧 焊盘电极5和p侧连接电极23a之间以及n侧焊盘电极7和n侧连接电极23b之间通过布置在树脂中的金属线连接。

公开(公告)号：JP2014224247A

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：JP2014085275

申请日：2014-04-17

申请人： エルジー イノテック カンパニー リミテッド ,  Lg Innotek Co Ltd ,  エルジー イノテック カンパニー リミテッド

发明人： KIM TAE-HOON ,  LEE JI NA ,  HAN MI JUNG

IPC分类号： C09K11/08 ,  C09K11/59 ,  C09K11/64 ,  H01L33/50

CPC分类号： H01L33/504 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7728 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7766 ,  C09K11/7783 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】色再現性に優れ、熱による輝度の低下が少ない蛍光体を提供すること。【解決手段】実施形態は、黄色波長領域の光を放出するシリケート(silicate)系の第1蛍光体と;緑色波長領域の光を放出するナイトライド(nitride)系の第2蛍光体と;赤色波長領域の光を放出するナイトライト系の第3蛍光体と;を含み、青色波長の光によって励起されて前記第1蛍光体乃至第3蛍光体が放出する光が合成されたスペクトルの半値幅は110nm以上である蛍光体を提供する。【選択図】図3B

摘要翻译： 要解决的问题：提供具有优异的色彩再现性和由于热量而引起的亮度降低的荧光体。解决方案：实施例提供一种荧光体，包括：发射黄色波长区域的光的基于硅酸盐的第一荧光体; 在绿色波长区域中发射光的基于氮化物的第二荧光体; 以及在红色波长区域中发射光的基于氮化物的第三荧光体。 作为荧光体由第一至第三荧光体发射的混合光的光谱的最大半值的全宽度为具有蓝色波长的光，为110nm以上。

公开(公告)号：JPWO2012049854A1

公开(公告)日：2014-02-24

申请号：JP2012538578

申请日：2011-10-13

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 桑原田　隆志 ,  隆志 桑原田 ,  徹 青柳 ,  徹 青柳 ,  智之 草野 ,  智之 草野

IPC分类号： H01L33/60

CPC分类号： F21V7/0025 ,  F21V13/04 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00

摘要： 発光装置は、基板112と、基板の上に光出射領域を上にして固定された発光素子110とを備えている。基板は、それぞれが発光素子110を囲み、互いに間隔をおいて形成された複数の凸部125、126を有し、複数の凸部のそれぞれにおける発光素子側の側面は、光出射領域から側方へ出射された光を反射する反射面125A、126Aである。反射面は発光素子を囲む同心円状に配置され、反射面の上端部の位置は発光素子から遠い位置に配置された反射面ほど高い位置にある。

公开(公告)号：JP2014003108A

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：JP2012136529

申请日：2012-06-18

申请人： Fuji Electric Co Ltd ,  富士電機株式会社

发明人： SASAKI OSAMU

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L24/05 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0259 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/732 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device including a protection element which can improve voltage overload capacity by lowering an operating voltage of the protection element.SOLUTION: In a semiconductor device, an impurity concentration of a fourth semiconductor layer which is a base of a parasitic bipolar transistor is made lower in comparison with an impurity concentration of a third semiconductor layer which is an anode of a parasitic diode. The impurity concentration is made to be a concentration at which the parasitic bipolar transistor causes a snapback phenomenon.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种包括保护元件的半导体器件，该保护元件可以通过降低保护元件的工作电压来提高电压过载能力。解决方案：在半导体器件中，第四半导体层的杂质浓度为 与作为寄生二极管的阳极的第三半导体层的杂质浓度相比，使寄生双极晶体管更低。 使杂质浓度成为寄生双极晶体管引起快速恢复现象的浓度。

公开(公告)号：JP5383460B2

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：JP2009276554

申请日：2009-12-04

申请人： 新光電気工業株式会社

发明人： 啓悟 牧 ,  大介 伊藤

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L22/22 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP5343245B2

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：JP2008127918

申请日：2008-05-15

申请人： 新光電気工業株式会社

发明人： 啓 村山

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L23/147 ,  H01L21/486 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/60 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/18 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：JP5280410B2

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：JP2010140192

申请日：2010-06-21

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 伸介 神戸

IPC分类号： H03K17/16 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H02M1/34 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/866 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H03K17/08148 ,  Y02B70/1483 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device of the present invention includes a switching transistor, and a recovery diode and a snubber device which are mounted on a single conductive substrate (frame) on which the switching transistor is also mounted. The snubber device includes a SiC-MOSFET connected between an output terminal C and a reference terminal E of the switching transistor, a Zener diode formed between a gate terminal G and a drain terminal D of the SiC-MOSFET, and a resistor formed between the gate terminal G and a source terminal S of the SiC-MOSFET. The reference terminal E of the switching transistor, the source terminal S of the SiC-MOSFET, and an anode terminal of the recovery diode are commonly connected.