公开(公告)号：JP2016152317A

公开(公告)日：2016-08-22

申请号：JP2015029025

申请日：2015-02-17

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 坂口 庄司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/288 ,  H01L29/739 ,  C23C18/32 ,  C25D7/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/7395 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/05693 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83815 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/13055

Abstract: 【課題】めっき層を形成しない部分への保護膜の貼り付けおよび剥離を安定的に行い、めっき層の異常析出を防止することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】半導体ウェハ30の側面を第2フィルム22で覆う際に、まず、押し付けローラー41により半導体ウェハ30の側面に第2フィルム22を押し付けた状態で半導体ウェハ30を回転させる。押し付けローラー41により湾曲した状態の第2フィルム22の短手方向の端部を、挟み込みローラー42によりそれぞれ半導体ウェハ30の両主面に貼り付ける。次に、半導体ウェハ30を1回転させ、第2フィルム22の長手方向の終端部が始端部22c上に重なった時点で押し付けローラー41を半導体ウェハ30から離し、第2フィルム22の長手方向の端部を出っ張り部として残す。次に、めっき処理後、出っ張り部を保持し半導体ウェハ30を逆回転させて第2フィルム22を剥離する。 【選択図】図11

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体器件制造方法，其能够稳定地进行保护膜与不形成镀层的部分的附着和剥离，以防止镀层的异常沉积。解决方案：半导体器件制造 方法包括以下步骤：首先使半导体晶片30在用第二膜覆盖半导体晶片30的侧面时，通过加压辊41将第二膜22按压到半导体晶片30的侧面的状态下旋转半导体晶片30 22; 在通过加压辊41分别通过折叠辊42分别向半导体晶片30的两个主表面弯曲的状态下，将第二膜22的较短方向的端部附接到第二膜22的较短方向; 随后，在第二膜22的较长方向上的端部与第二膜22的长度方向上的起始端22c重叠的时刻，将半导体晶片30旋转一周并且将压力辊41拉离半导体晶片30 将第二膜22的长度方向的端部作为突起部分留出; 并且随后，在电镀处理之后保持凸起部分并使半导体晶片30向后旋转以分离第二膜22.选择的图：图11

公开(公告)号：JP2015502038A

公开(公告)日：2015-01-19

申请号：JP2014542303

申请日：2012-08-29

Applicant: インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation

Inventor： ドーベンスペック・ティモシー・エイチ ,  ガンビーノ・ジェフリー・ピー ,  マジー・クリストファー・ディー ,  ケスタド・デヴィッド・エル ,  ソーター・ウォルフガング ,  サリヴァン・ティモシー・ディー

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00012

Abstract: 【課題】半田バンプによる半導体チップ・パッケージ基板への半導体ダイの電気的相互接続に使用されるポリマーの厚さ増強のための金属パッド構造を提供する。【解決手段】半田バンプ(160)を半導体ダイ(140)に結合するために使用される導電ボンド・パッド(235)に近接して立体的特徴部(305)が形成される。立体的特徴部(305)はギャップ(310)によって導電ボンド・パッド(235)から分離される。一実施形態では、立体的特徴部(305)は半田バンプ(160)の外周部をわずかに越えた位置に形成され、バンプ(160)のエッジは導電ボンド・パッド(235)を立体的特徴部(305)から分離するギャップ(310)と一致するように垂直に位置合わせされる。立体的特徴部(305)は、半導体ダイ(140)および導電ボンド・パッド(235)の上に配置された非導電層(240)の厚さの増強と、応力バッファリングを可能にする。【選択図】図3

Abstract translation: 一种通过焊料凸块在所述半导体管芯的半导体芯片封装衬底的电互连使用厚度增强聚合物提供一种金属衬垫结构。 在邻近的三维特征以使用焊锡凸块（160），用于耦合到半导体管芯（140）（235）（305）导电接合垫形成。 空间特征（305）从所述间隙的导电焊盘通过（310）（235）分离。 在一个实施例中，三维特征（305）被形成略微超出边缘的焊料凸块（160），凸块（160）的外周部的位置在空间上设有一个导电接合垫（235） （305）是垂直对齐，从而与从分离的间隙（310）重合。 空间特征（305），其厚度增加，所述半导体管芯（140）和设置在所述（235）的顶部上的导电接合垫非导电层（240），以允许应力缓冲。 点域

公开(公告)号：JP2017117905A

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：JP2015250866

申请日：2015-12-24

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社 ,  Renesas Electronics Corp

Inventor： OTA YUICHI ,  KITA KENTARO ,  OURA TAKEHIRO ,  YOSHIDA KOHEI

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823892 ,  H01L23/544 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/0218 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2221/68304

Abstract: 【課題】半導体装置の製造歩留りを向上する。【解決手段】複数のボンディングパッドBPを覆う絶縁膜PSNと、絶縁膜PSN上に形成された第1保護膜RF1と、第1保護膜RF1上に形成された第2保護膜RF2と、を備える。製品チップSC1では、絶縁膜PSNに形成された第1開口部C1および第1保護膜RF1に形成された第2開口部C2を介して、複数の電極層MLが複数のボンディングパッドBPとそれぞれ電気的に接続し、第2保護膜RF2に形成された第3開口部C3を介して、複数のバンプ電極BEが複数の電極層MLとそれぞれ電気的に接続する。擬似チップSC2では、第1保護膜RF1に形成された第2開口部C2と、第2保護膜RF2に形成された第3開口部C3と、を有し、第3開口部C3が重なる第2開口部C2の底面に絶縁膜PSNが露出する。そして、複数のバンプ電極BEを覆うように主面上に保護テープが貼り付けられる。【選択図】図3

公开(公告)号：JP5965537B2

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：JP2015500432

申请日：2013-02-12

Applicant: マイクロン テクノロジー, インク.

Inventor： ガンディ,ジャスプリート,エス.

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/522 ,  H01L21/304 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03825 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L24/13 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/0538 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10253

公开(公告)号：JP6043466B2

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：JP2010157590

申请日：2010-07-12

Applicant: ウルトラテック インク

Inventor： ティモシー・ハリソン・ドーバンスペック ,  ジェフリー・ピー・ガンビーノ ,  ウォルフガング・ソーター ,  クリストファー・デービッド・マジー ,  デービッド・エル・クエスタッド ,  ティモシー・ドーリング・サリバン ,  ポール・フォティア

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/03005 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05563 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/131 ,  H01L24/13 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/3511

公开(公告)号：JP2011023719A

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：JP2010157590

申请日：2010-07-12

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： DAUBENSPECK TIMOTHY HARRISON ,  GAMBINO JEFFREY P ,  SAUTER WOLFGANG ,  MUZZY CHRISTOPHER DAVID ,  QUESTAD DAVID L ,  SULLIVAN TIMOTHY DOOLING ,  PAUL FORTIER

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/03005 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05563 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure of a control collapse chip connection (C4) and its manufacturing method, and particularly, a structure to improve reliability of lead-free C4 interconnection and its method. SOLUTION: The structure includes a ball limited metalization (BLM) layer and a solder ball of control collapse chip connection (C4) formed on the BLM layer. Moreover, the structure includes the final metal pad layer under the BLM layer and a cap layer under the final metal pad layer. Then the structure includes an air gap between the final metal pad layer and one of the BLM layer and cap layer under the C4 solder ball. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供控制崩溃芯片连接（C4）的结构及其制造方法，特别是提高无铅C4互连的可靠性的结构及其方法。 解决方案：该结构包括在BLM层上形成的球限制金属化（BLM）层和控制崩溃芯片连接（C4）的焊球。 此外，该结构包括在BLM层下面的最终金属焊盘层和在最终金属焊盘层下面的覆盖层。 然后，该结构在最终金属焊盘层与C4焊球之下的BLM层和盖层之一之间包括气隙。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2018081982A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：JP2016222189

申请日：2016-11-15

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 利根川 丘

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40151 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49177 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。 【解決手段】ソース電極SEおよびゲート電極GEを覆うように絶縁膜(PA)が形成され、その絶縁膜(PA)に、ソース電極SEの一部を露出する開口部(OPS)とゲート電極GEの一部を露出する開口部(OPG)とが形成されている。開口部(OPS)から露出するソース電極SE上には、めっき層PLSが形成され、開口部(OPG)から露出するゲート電極GE上には、めっき層PLGが形成されている。開口部(OPS)から露出する部分のソース電極SEとめっき層PLSとにより、ソースパッド(PDS)が形成され、開口部(OPG)から露出する部分のゲート電極GEとめっき層PLGとにより、ゲートパッド(PDG)が形成される。ゲートパッド用の開口部(OPG)の面積は、ソースパッド用の開口部(OPS)の面積よりも小さく、めっき層PLGの厚さは、めっき層PLSの厚さよりも厚い。 【選択図】図14

公开(公告)号：JP6073943B2

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：JP2015032839

申请日：2015-02-23

Applicant: ウルトラテック インク

Inventor： ティモシー・ハリソン・ドーバンスペック ,  ジェフリー・ピー・ガンビーノ ,  ウォルフガング・ソーター ,  クリストファー・デービッド・マジー ,  デービッド・エル・クエスタッド ,  ティモシー・ドーリング・サリバン ,  ポール・フォティア

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/03005 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05563 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/131 ,  H01L24/13 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/3511

公开(公告)号：JP2015128176A

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：JP2015032839

申请日：2015-02-23

Applicant: ウルトラテック インク

Inventor： ティモシー・ハリソン・ドーバンスペック ,  ジェフリー・ピー・ガンビーノ ,  ウォルフガング・ソーター ,  クリストファー・デービッド・マジー ,  デービッド・エル・クエスタッド ,  ティモシー・ドーリング・サリバン ,  ポール・フォティア

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/03005 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05563 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/131 ,  H01L24/13 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/3511

Abstract: 【課題】 制御崩壊チップ接続(C4)構造体及び製造方法、及び、より具体的には、鉛フリーC4相互接続の信頼性を改善するための構造体及び方法を提供する。 【解決手段】 構造体は、ボール制限メタライゼーション(BLM)層と、BLM層の上に形成された制御崩壊チップ接続(C4)はんだボールとを含む。さらに、構造体は、BLM層の下に最終金属パッド層を含み、最終金属パッド層の下にキャップ層を含む。さらにまた、構造体は、C4はんだボールの下に、最終金属パッド層とBLM層及びキャップ層のうちの1つとの間に形成されたエア・ギャップを含む。 【選択図】 図7

Abstract translation: 要解决的问题：提供控制崩溃芯片连接（C4）的结构和制造方法，特别是提高无铅C4互连的可靠性的结构和方法。解决方案：一种结构包括球限制金属化 （BLM）层和形成在BLM层上的控制崩溃芯片连接（C4）的焊球。 此外，该结构包括在BLM层下面的最终金属焊盘层和在最终金属焊盘层下面的覆盖层。 然后，该结构包括在最终金属焊盘层与C4焊球之下的BLM层和盖层之一之间形成的气隙。

公开(公告)号：JP2010157703A

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：JP2009271304

申请日：2009-11-30

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： DAUBENSPECK TIMOTHY HARRISON ,  GAMBINO JEFFREY P ,  SAUTER WOLFGANG ,  MUZZY CHRISTOPHER DAVID ,  SULLIVAN TIMOTHY DOOLING

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05098 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01093 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide structures with improved solder bump connections that prevent cracking and peeling, and to provide a method of fabricating such structures.
SOLUTION: The method includes steps of: forming an upper wiring layer in dielectric layers 10, 20 and 22; and depositing one or more dielectric layers on the upper wiring layer. The method further includes a step of forming a plurality of discrete trenches in the one or more dielectric layers extending to the upper wiring layer. The method further includes a step of depositing a ball limiting metallurgy or under bump metallurgy in the plurality of discrete trenches to form discrete metal islands in contact with the upper wring layer. A solder bump is formed in electrical connection to the plurality of the discrete metal islands.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有改善的防止开裂和剥离的焊料凸块连接的结构，并提供制造这种结构的方法。 解决方案：该方法包括以下步骤：在电介质层10,20和22中形成上布线层; 以及在所述上布线层上沉积一个或多个介电层。 该方法还包括在延伸到上布线层的一个或多个介电层中形成多个离散沟槽的步骤。 该方法还包括在多个离散的沟槽中沉积限界金属冶金或凸块下的冶金以形成与上部绞合层接触的离散的金属岛的步骤。 形成与多个离散金属岛电连接的焊料凸块。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT