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公开(公告)号：TWI544594B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW103116031
申请日：2014-05-06
Inventor： 史朝文 , SHIH, CHAO WEN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 王彥評 , WANG, YEN PING
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/291 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02175 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/10145 , H01L2224/1134 , H01L2224/11849 , H01L2224/13007 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/81191 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
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公开(公告)号：TW201535499A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103145995
申请日：2014-12-29
Inventor： 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 史朝文 , SHIH, CHAO WEN
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/7621 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L23/3178 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一種半導體結構包括：晶粒，其包括第一表面；凹槽，其從佈置在該第一表面上的洞孔延伸並包括佈置在該晶粒內的側壁；以及聚合物構件，其被配置用於填充並密封該凹槽，並包括第一外表面和第二外表面；其中，該第一外表面與該凹槽的該側壁交界。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构包括：晶粒，其包括第一表面；凹槽，其从布置在该第一表面上的洞孔延伸并包括布置在该晶粒内的侧壁；以及聚合物构件，其被配置用于填充并密封该凹槽，并包括第一外表面和第二外表面；其中，该第一外表面与该凹槽的该侧壁交界。
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公开(公告)号：TW201508885A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103114632
申请日：2014-04-23
Inventor： 呂俊麟 , LU, CHUN LIN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 王彥評 , WANG, YEN PING , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06051 , H01L2224/1134 , H01L2224/13012 , H01L2224/13026 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/13551 , H01L2224/13562 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13611 , H01L2224/13616 , H01L2224/14051 , H01L2224/16058 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81416 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/3512
Abstract: 本揭露提供一種半導體裝置及其製造方法，半導體裝置包含有載體，球下冶金墊設置於載體上，以及支柱設置於球下冶金墊之表面上。於一些實施例當中，支柱之高度與球下冶金墊之最長長度之比率介於大約0.25~0.7之間。於半導體裝置製造方法，包含有提供載體，設置球下冶金墊於載體上，以及形成支柱於球下冶金墊上。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体设备及其制造方法，半导体设备包含有载体，球下冶金垫设置于载体上，以及支柱设置于球下冶金垫之表面上。于一些实施例当中，支柱之高度与球下冶金垫之最长长度之比率介于大约0.25~0.7之间。于半导体设备制造方法，包含有提供载体，设置球下冶金垫于载体上，以及形成支柱于球下冶金垫上。
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公开(公告)号：TW201535600A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103145944
申请日：2014-12-27
Inventor： 繆佳君 , MIAO, CHIACHUN , 梁世緯 , LIANG, SHIHWEI , 吳凱強 , WU, KAICHIANG
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/564 , H01L23/16 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L2224/02311 , H01L2224/0239 , H01L2224/03828 , H01L2224/03831 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/05558 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/118 , H01L2224/1183 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13561 , H01L2224/13562 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81466 , H01L2224/81471 , H01L2224/81484 , H01L2224/81801 , H01L2224/94 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/3841 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01047 , H01L2224/11 , H01L2224/0231 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/013 , H01L2224/81 , H01L2224/03
Abstract: 一種積體電路結構包含基板、位於基板上的金屬墊、一部份位於金屬墊上的鈍化層、及位於鈍化層上的高分子層。後鈍化內連接結構(post-passivation interconnect,PPI)結構係一部份位於高分子層上，其中後鈍化內連接結構係電性耦接於金屬墊。積體電路結構更包含電性耦接於且位於一部份後鈍化內連接結構之上的第一焊料區、鄰接於第一焊料區的第二焊料區、位於第一焊料區之表面上的第一塗佈材料、以及位於第二焊料區之表面上的第二塗佈材料。第一塗佈材料及第二塗佈材料分別包圍第一焊料區及第二焊料區。第一塗佈材料係與第二塗佈材料分隔開。
Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路结构包含基板、位于基板上的金属垫、一部份位于金属垫上的钝化层、及位于钝化层上的高分子层。后钝化内连接结构(post-passivation interconnect,PPI)结构系一部份位于高分子层上，其中后钝化内连接结构系电性耦接于金属垫。集成电路结构更包含电性耦接于且位于一部份后钝化内连接结构之上的第一焊料区、邻接于第一焊料区的第二焊料区、位于第一焊料区之表面上的第一涂布材料、以及位于第二焊料区之表面上的第二涂布材料。第一涂布材料及第二涂布材料分别包围第一焊料区及第二焊料区。第一涂布材料系与第二涂布材料分隔开。
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公开(公告)号：TW201503306A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103103108
申请日：2014-01-28
Inventor： 劉明凱 , LIU, MING KAI , 呂俊麟 , LU, CHUN LIN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 王彥評 , WANG, YEN PING , 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L2224/02375 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05551 , H01L2224/06152 , H01L2224/06179 , H01L2224/13005 , H01L2224/13028 , H01L2224/13116 , H01L2224/1403 , H01L2224/14152 , H01L2224/14179 , H01L2224/14515 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/16105 , H01L2224/16106 , H01L2224/1703 , H01L2224/17051 , H01L2224/17104 , H01L2224/17515 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2924/0105 , H01L2924/01322 , H01L2924/00014 , H01L2924/206 , H01L2924/207 , H01L2924/00
Abstract: 一種表面固著半導體元件，包括一半導體裝置、一電路板、複數個第一焊錫凸塊及複數個第二焊錫凸塊。半導體裝置具有複數個晶粒墊。電路板具有複數個接觸墊。複數個第一焊錫凸塊係結合半導體裝置及電路板。每一第一焊錫凸塊係連接至少兩晶粒墊於對應之一接觸墊。每一第二焊錫凸塊係連接一晶粒墊於對應之一接觸墊。
Abstract in simplified Chinese: 一种表面固着半导体组件，包括一半导体设备、一电路板、复数个第一焊锡凸块及复数个第二焊锡凸块。半导体设备具有复数个晶粒垫。电路板具有复数个接触垫。复数个第一焊锡凸块系结合半导体设备及电路板。每一第一焊锡凸块系连接至少两晶粒垫于对应之一接触垫。每一第二焊锡凸块系连接一晶粒垫于对应之一接触垫。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201539672A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103144812
申请日：2014-12-22
Inventor： 繆佳君 , MIAO, CHIACHUN , 梁世緯 , LIANG, SHIHWEI , 吳凱強 , WU, KAICHIANG
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02245 , H01L2224/0401 , H01L2224/05569 , H01L2224/05624 , H01L2224/11013 , H01L2224/11916 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/81191 , H01L2924/00011 , H01L2924/013 , H01L2924/01322 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2224/81805
Abstract: 一種結構，包含晶粒基材；在晶粒基材上之鈍化層；在鈍化層上之第一和第二互連結構；以及在鈍化層、第一和第二互連結構之至少一者、或上述結合上之阻障物。第一和第二互連結構包含第一和第二介層物部，此第一和第二介層物部係穿過鈍化層而連接至晶粒基材的第一和第二導電結構。第一和第二互連結構更分別包含第一和第二連接墊，且分別在第一和第二介層物部與第一和第二連接墊之間包含位於鈍化層之一表面上的第一和第二轉換元件。阻障物設置於第一連接墊與第二連接墊之間。阻障物不完全包圍第一連接墊與第二連接墊之至少一者。
Abstract in simplified Chinese: 一种结构，包含晶粒基材；在晶粒基材上之钝化层；在钝化层上之第一和第二互链接构；以及在钝化层、第一和第二互链接构之至少一者、或上述结合上之阻障物。第一和第二互链接构包含第一和第二介层物部，此第一和第二介层物部系穿过钝化层而连接至晶粒基材的第一和第二导电结构。第一和第二互链接构更分别包含第一和第二连接垫，且分别在第一和第二介层物部与第一和第二连接垫之间包含位于钝化层之一表面上的第一和第二转换组件。阻障物设置于第一连接垫与第二连接垫之间。阻障物不完全包围第一连接垫与第二连接垫之至少一者。
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公开(公告)号：TW201347132A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102113900
申请日：2013-04-19
Inventor： 劉明凱 , LIU, MING KAI , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG
IPC: H01L23/528 , H01L23/538
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/50 , H01L23/488 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/52 , H01L24/13 , H01L24/15 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/13101 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/1703 , H01L2224/17519 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81986 , H01L2225/0651 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/00011 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/81805
Abstract: 本發明一實施例提供一種堆疊封裝元件，包括：一第一封裝體，包括一第一晶片、一第一基板、以及一第一連接件，其中第一晶片配置於第一基板的一第一表面上，第一連接件連接第一基板的一第二表面；以及一第二封裝體，包括一第二晶片、一第二基板、一第二連接件、以及一閒置連接件，其中第二晶片配置於第二基板的一表面上，第二連接件與閒置連接件配置於第二基板的表面上，其中，第一連接件連接至第二連接件，閒置連接件不連接第一封裝體的任一連接件。
Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例提供一种堆栈封装组件，包括：一第一封装体，包括一第一芯片、一第一基板、以及一第一连接件，其中第一芯片配置于第一基板的一第一表面上，第一连接件连接第一基板的一第二表面；以及一第二封装体，包括一第二芯片、一第二基板、一第二连接件、以及一闲置连接件，其中第二芯片配置于第二基板的一表面上，第二连接件与闲置连接件配置于第二基板的表面上，其中，第一连接件连接至第二连接件，闲置连接件不连接第一封装体的任一连接件。
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公开(公告)号：TW201347105A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102111828
申请日：2013-04-02
Inventor： 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 謬佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 呂俊麟 , LU, CHUN LIN
IPC: H01L23/12 , H01L23/485
CPC classification number: H01L23/485 , G06F17/5068 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H05K1/0271 , H05K1/115 , H05K2201/068 , H05K2201/09781 , H05K2201/10378
Abstract: 本發明實施例之結構包含具有複數個焊球的基底，半導體晶片以及電性連接基底與半導體晶片的中介層，中介層包括第一側及與第一側相反的第二側，至少一第一禁止區穿過中介層延伸至這些焊球的每一個焊球上方，至少一主動貫穿導通孔從中介層的第一側延伸至中介層的第二側，其中至少一主動貫穿導通孔在至少一第一禁止區之外形成，且在至少一第一禁止區內無主動貫穿導通孔形成，以及至少一偽貫穿導通孔從中介層的第一側延伸至中介層的第二側，其中至少一偽貫穿導通孔在至少一第一禁止區內形成。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例之结构包含具有复数个焊球的基底，半导体芯片以及电性连接基底与半导体芯片的中介层，中介层包括第一侧及与第一侧相反的第二侧，至少一第一禁止区穿过中介层延伸至这些焊球的每一个焊球上方，至少一主动贯穿导通孔从中介层的第一侧延伸至中介层的第二侧，其中至少一主动贯穿导通孔在至少一第一禁止区之外形成，且在至少一第一禁止区内无主动贯穿导通孔形成，以及至少一伪贯穿导通孔从中介层的第一侧延伸至中介层的第二侧，其中至少一伪贯穿导通孔在至少一第一禁止区内形成。
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公开(公告)号：TW201801269A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105138411
申请日：2016-11-23
Inventor： 賴昱嘉 , LAI, YU-CHIA , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 黃章斌 , HUANG, CHANG-PIN , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI , 杜賢明 , TU, HSIEN-MING , 郭鴻毅 , KUO, HUNG-YI , 蔡豪益 , TSAI, HAO-YI , 梁世緯 , LIANG, SHIH-WEI , 劉人瑄 , LIU, REN-XUAN
CPC classification number: H01L23/528 , H01L23/3171 , H01L23/5226 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647
Abstract: 一種積體電路上的導電端子。導電端子包括導電接墊、介電層及導通孔。導電接墊配置於積體電路上並電連接至積體電路。介電層覆蓋積體電路及導電接墊，介電層包括排列成陣列的多個接觸開口，且導電接墊被接觸開口局部地暴露出。導通孔配置於介電層上並經由接觸開口電連接至導電接墊。導通孔包括排列成陣列的多個凸出部。凸出部分佈於導通孔的頂表面上，且凸出部對應於接觸開口。
Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路上的导电端子。导电端子包括导电接垫、介电层及导通孔。导电接垫配置于集成电路上并电连接至集成电路。介电层覆盖集成电路及导电接垫，介电层包括排列成数组的多个接触开口，且导电接垫被接触开口局部地暴露出。导通孔配置于介电层上并经由接触开口电连接至导电接垫。导通孔包括排列成数组的多个凸出部。凸出部分布于导通孔的顶表面上，且凸出部对应于接触开口。
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公开(公告)号：TW201715681A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105133833
申请日：2016-10-20
Inventor： 黃章斌 , HUANG, CHANG-PIN , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 楊慶榮 , YANG, CHING-JUNG , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI , 杜賢明 , TU, HSIEN-MING , 郭鴻毅 , KUO, HUNG-YI , 蔡豪益 , TSAI, HAO-YI , 梁世緯 , LIANG, SHIH-WEI , 賴昱嘉 , LAI, YU-CHIA
IPC: H01L23/50
CPC classification number: H01L24/08 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/10 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/0231 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511
Abstract: 一種實施例方法包括：提供具有凹槽的載板，並且將晶粒貼合至載板，其中晶粒至少局部地安置於凹槽中。上述方法更包括：在載板上及晶粒的至少一部分周圍形成模製化合物；在所述模製化合物上形成扇出型重佈線層，扇出型重佈線層電性連接至晶粒；以及移除載板。
Abstract in simplified Chinese: 一种实施例方法包括：提供具有凹槽的载板，并且将晶粒贴合至载板，其中晶粒至少局部地安置于凹槽中。上述方法更包括：在载板上及晶粒的至少一部分周围形成模制化合物；在所述模制化合物上形成扇出型重布线层，扇出型重布线层电性连接至晶粒；以及移除载板。
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