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公开(公告)号:TW201735116A
公开(公告)日:2017-10-01
申请号:TW105142441
申请日:2016-12-21
申请人: 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人: 沈 虹 , SHEN, HONG , 王 亮 , WANG, LIANG , 高 桂蓮 , GAO, GUILIAN
IPC分类号: H01L21/18 , H01L21/48 , H01L21/822 , H01L27/108
CPC分类号: H01L24/94 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L21/31051 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/32145 , H01L2224/83005 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2225/06541 , H01L2924/10253 , H01L2924/1032 , H01L2924/1205 , H01L2924/1207 , H01L2924/1304 , H01L2924/1436
摘要: 本發明提供用於提供具有已知良好晶粒的三維晶圓組件的範例系統和方法。一種範例方法編輯一半導體晶圓上的晶粒的索引編號並且移除有缺陷的晶粒,以便提供一具有全部為可操作的晶粒的晶圓。多個晶圓上的有缺陷晶粒可以被平行移除,並且產生於三維晶圓組件中堆疊全部為良好晶粒的晶圓。於一施行方式中,被移除的有缺陷的晶粒所留下的空間可以可操作的晶粒或是一填補材料被至少部分填補。有缺陷的晶粒可以在晶圓至晶圓組裝之前或之後被置換,以避免生產有缺陷的堆疊式裝置,或者,該些空間亦可以保持空白。一底部裝置晶圓亦可以移除或是置換其有缺陷的晶粒,從而產生會提供沒有任何有缺陷晶粒之三維堆疊的晶圓至晶圓組件。
简体摘要: 本发明提供用于提供具有已知良好晶粒的三维晶圆组件的范例系统和方法。一种范例方法编辑一半导体晶圆上的晶粒的索引编号并且移除有缺陷的晶粒,以便提供一具有全部为可操作的晶粒的晶圆。多个晶圆上的有缺陷晶粒可以被平行移除,并且产生于三维晶圆组件中堆栈全部为良好晶粒的晶圆。于一施行方式中,被移除的有缺陷的晶粒所留下的空间可以可操作的晶粒或是一填补材料被至少部分填补。有缺陷的晶粒可以在晶圆至晶圆组装之前或之后被置换,以避免生产有缺陷的堆栈式设备,或者,该些空间亦可以保持空白。一底部设备晶圆亦可以移除或是置换其有缺陷的晶粒,从而产生会提供没有任何有缺陷晶粒之三维堆栈的晶圆至晶圆组件。
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公开(公告)号:TWI599016B
公开(公告)日:2017-09-11
申请号:TW101138311
申请日:2012-10-17
申请人: 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人: 喬歐 伊利斯 , CHAU, ELLIS , 科 瑞拿杜 , CO, REYNALDO , 艾拉特瑞 羅席安 , ALATORRE, ROSEANN , 丹伯格 菲利普 , DAMBERG, PHILIP , 王威順 , WANG, WEI-SHUN , 楊時勇 , YANG, SE YOUNG , 趙志軍 , ZHAO, ZHIJUN
CPC分类号: H01L24/85 , H01L21/4853 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3677 , H01L23/4334 , H01L23/49517 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/45565 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48997 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/851 , H01L2224/8518 , H01L2224/85399 , H01L2224/85951 , H01L2224/85986 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1029 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2225/1094 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/1715 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19107 , H01L2924/3511 , H05K3/3436 , H05K2201/10515 , H05K2201/1053 , Y10T29/49149 , Y10T29/49151 , H01L2224/45664 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076
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公开(公告)号:TW201724450A
公开(公告)日:2017-07-01
申请号:TW105127674
申请日:2016-08-29
申请人: 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人: 烏卓 塞普里昂 艾米卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 卡特卡爾 拉傑許 , KATKAR, RAJESH
IPC分类号: H01L23/538
CPC分类号: H01L27/14634 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L24/09 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/82 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/09181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48101 , H01L2224/48227 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2924/00014 , H01L2924/143 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要: 在微電子封裝中,第一導線接合導線是耦合至基板的上表面。第一接合塊體是耦合至第一導線接合導線的另一端。第二導線接合導線是耦合至上表面。第二接合塊體是耦合至第二導線接合導線的另一端。第一導線接合導線和第二導線接合導線橫向地水平突出而遠離基板的上表面至少第一導線接合導線和第二導線接合導線兩者的直徑約2至3倍的距離。第一導線接合導線和第二導線接合導線是以與上表面在+/-10度內共平面的方式而呈水平達到所述距離。
简体摘要: 在微电子封装中,第一导线接合导线是耦合至基板的上表面。第一接合块体是耦合至第一导线接合导线的另一端。第二导线接合导线是耦合至上表面。第二接合块体是耦合至第二导线接合导线的另一端。第一导线接合导线和第二导线接合导线横向地水平突出而远离基板的上表面至少第一导线接合导线和第二导线接合导线两者的直径约2至3倍的距离。第一导线接合导线和第二导线接合导线是以与上表面在+/-10度内共平面的方式而呈水平达到所述距离。
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公开(公告)号:TWI584432B
公开(公告)日:2017-05-21
申请号:TW105103024
申请日:2013-06-07
申请人: 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人: 烏卓 塞普里昂 艾米卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 威奇克 查爾斯G , WOYCHIK, CHARLES G. , 卡斯奇 泰倫斯 , CASKEY, TERRENCE , 德塞 奇梭V , DESAI, KISHOR V. , 魏懷良 , WEI, HUAILIANG , 米切爾 克雷格 , MITCHELL, CRAIG , 哈巴 貝爾格森 , HABA, BELGACEM
CPC分类号: H01L23/34 , H01L21/76841 , H01L21/76883 , H01L21/76885 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05558 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/1134 , H01L2224/1147 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13565 , H01L2224/32105 , H01L2924/00011 , H01L2924/01322 , H01L2924/07811 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/81805
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公开(公告)号:TWI570855B
公开(公告)日:2017-02-11
申请号:TW103102080
申请日:2014-01-21
申请人: 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人: 佐尼 惠爾 , ZOHNI, WAEL , 曾仲權 , TSENG, CHUNG CHUAN
CPC分类号: H01L25/0655 , H01L21/56 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/80 , H01L2224/06136 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/49 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
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公开(公告)号:TWI570732B
公开(公告)日:2017-02-11
申请号:TW105102486
申请日:2013-08-27
申请人: 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人: 克里斯匹 里查 德威特 , CRISP, RICHARD DEWITT , 哈巴 貝爾格森 , HABA, BELGACEM , 佐尼 惠爾 , ZOHNI, WAEL
CPC分类号: H01L25/0652 , G11C5/063 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L2924/0002 , H05K1/0298 , H05K1/111 , H05K2201/10159 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TW201705133A
公开(公告)日:2017-02-01
申请号:TW105107285
申请日:2016-03-10
申请人: 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人: 孫卓文 , SUN, ZHUOWEN , 陳 勇 , CHEN, YONG
CPC分类号: G06F13/1673 , G06F12/00 , G06F12/0623 , G06F13/1694 , G11C5/04 , G11C5/06 , G11C8/06 , G11C8/12 , H01L2224/4824 , H01L2924/15311
摘要: 本發明提供一種設備,其大體上和減少負載的記憶體模組有關。於此設備中有一電路平台,其具有被耦合至該電路平台的複數個記憶體晶片。該複數個記憶體晶片中的每一個記憶體晶片各具有複數個記憶體晶粒。至少一控制器會被耦合至該電路平台並且進一步被耦合至該複數個記憶體晶片,用以和其複數個記憶體晶粒進行通信。該至少一控制器係用以接收晶片選擇信號,以便提供超過該些晶片選擇信號的複數個排選擇信號(rank select signal)。該複數個記憶體晶粒會在減少的負載中和該複數個記憶體晶片裡面的多條焊線耦和,以便耦合該電路平台,用以透過一記憶體通道進行通信。該負載減少充分,以使該記憶體模組中的至少兩個實例共用該記憶體通道。
简体摘要: 本发明提供一种设备,其大体上和减少负载的内存模块有关。于此设备中有一电路平台,其具有被耦合至该电路平台的复数个内存芯片。该复数个内存芯片中的每一个内存芯片各具有复数个内存晶粒。至少一控制器会被耦合至该电路平台并且进一步被耦合至该复数个内存芯片,用以和其复数个内存晶粒进行通信。该至少一控制器系用以接收芯片选择信号,以便提供超过该些芯片选择信号的复数个排选择信号(rank select signal)。该复数个内存晶粒会在减少的负载中和该复数个内存芯片里面的多条焊线耦和,以便耦合该电路平台,用以透过一内存信道进行通信。该负载减少充分,以使该内存模块中的至少两个实例共享该内存信道。
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公开(公告)号:TWI565027B
公开(公告)日:2017-01-01
申请号:TW103103345
申请日:2014-01-29
申请人: 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人: 哈巴 貝爾格森 , HABA, BELGACEM , 佐尼 惠爾 , ZOHNI, WAEL
CPC分类号: H01L25/0652 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/3185 , H01L23/3736 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/50 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/07 , H01L2224/04042 , H01L2224/06156 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/4824 , H01L2224/49175 , H01L2224/50 , H01L2224/73215 , H01L2225/0651 , H01L2225/06524 , H01L2225/06562 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15313 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/18165 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
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公开(公告)号:TW201701416A
公开(公告)日:2017-01-01
申请号:TW105128420
申请日:2013-12-19
申请人: 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人: 哈巴 貝爾格森 , HABA, BELGACEM , 莫罕默德 伊黎雅斯 , MOHAMMED, ILYAS , 卡斯奇 泰倫斯 , CASKEY, TERRENCE , 寇 芮那朵 , CO, REYNALDO , 查 艾里斯 , CHAU, ELLIS
CPC分类号: H05K1/11 , H01L21/56 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/3157 , H01L23/49811 , H01L23/528 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/10126 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/1191 , H01L2224/13017 , H01L2224/13022 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13101 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/14135 , H01L2224/16105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17051 , H01L2224/32225 , H01L2224/45012 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45101 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45624 , H01L2224/45655 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15322 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H05K1/0298 , H05K1/181 , H05K1/185 , H05K2201/10515 , H05K2201/10977 , Y02P70/611 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/014
摘要: 一種結構可以包含多個接合元件,該些接合元件具有連結至位在第一表面的一第一部分處的導電元件的基底以及遠離基板的末端表面。一介電質囊封元件可以疊置在該第一部分上並延伸自該第一部分以及填充該些接合元件之間的空間,以便彼此分離該些接合元件。該囊封元件具有一第三表面,該第三表面背向該第一表面。該些接合元件之未被囊封的部分係由未被該第三表面處的囊封元件遮蓋的該些末端表面中的至少多個部分所界定。該囊封元件至少部分界定該第一表面的一第二部分,該第二部分並非該第一部分而且面積的尺寸被設計成用以容納一微電子元件的整個面積。一些導體元件係在該第二部分處並且被配置成用於連接此微電子元件。
简体摘要: 一种结构可以包含多个接合组件,该些接合组件具有链接至位在第一表面的一第一部分处的导电组件的基底以及远离基板的末端表面。一介电质囊封组件可以叠置在该第一部分上并延伸自该第一部分以及填充该些接合组件之间的空间,以便彼此分离该些接合组件。该囊封组件具有一第三表面,该第三表面背向该第一表面。该些接合组件之未被囊封的部分系由未被该第三表面处的囊封组件遮盖的该些末端表面中的至少多个部分所界定。该囊封组件至少部分界定该第一表面的一第二部分,该第二部分并非该第一部分而且面积的尺寸被设计成用以容纳一微电子组件的整个面积。一些导体组件系在该第二部分处并且被配置成用于连接此微电子组件。
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公开(公告)号:TW201644018A
公开(公告)日:2016-12-16
申请号:TW105106674
申请日:2016-03-04
申请人: 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人: 高 桂蓮 , GAO, GUILIAN , 威奇克 查爾斯G , WOYCHIK, CHARLES G. , 烏卓 塞普里昂 艾米卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 王 亮 , WANG, LIANG
IPC分类号: H01L23/367 , H01L23/373 , F28F21/02 , H01L21/77
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/3675 , H01L23/373 , H01L24/00 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/11334 , H01L2224/16057 , H01L2224/16145 , H01L2224/2761 , H01L2224/32245 , H01L2224/81815 , H01L2224/838 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2924/01006 , H01L2924/10253
摘要: 提出一種具有熱控制的裝置。在一些實施例之中,該裝置包含置於一堆疊之中的複數晶粒,每一晶粒包含一晶片、穿過該晶片之一厚度的互連、位於該晶片一底側上且連接至互連之導電成分的金屬特徵、以及位於該晶片底側上的黏著或底部填充層。可以是一熱解石墨層、由奈米碳管構成之一疊層或者一石墨烯疊層的至少一熱傳導層耦接於該複數晶粒其中一者之一頂側與位於該堆疊中之一毗鄰晶粒的一底側之間。一散熱部件可以耦接至該熱傳導層。
简体摘要: 提出一种具有热控制的设备。在一些实施例之中,该设备包含置于一堆栈之中的复数晶粒,每一晶粒包含一芯片、穿过该芯片之一厚度的互连、位于该芯片一底侧上且连接至互连之导电成分的金属特征、以及位于该芯片底侧上的黏着或底部填充层。可以是一热解石墨层、由奈米碳管构成之一叠层或者一石墨烯叠层的至少一热传导层耦接于该复数晶粒其中一者之一顶侧与位于该堆栈中之一毗邻晶粒的一底侧之间。一散热部件可以耦接至该热传导层。
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