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公开(公告)号：TW201801245A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106105448
申请日：2017-02-18
申请人： 先科公司 , SEMTECH CORPORATION
发明人： 黃昌俊 , HUANG, CHANGJUN , 克拉克 喬納森 , CLARK, JONATHAN
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/60
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/304 , H01L21/561 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/295 , H01L23/3121 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/49575 , H01L23/60 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L27/0255 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/08146 , H01L2224/08148 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14181 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/17181 , H01L2224/2929 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/80203 , H01L2224/8082 , H01L2224/80895 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/8182 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10322 , H01L2924/10324 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10335 , H01L2924/1203 , H01L2924/141 , H01L2924/143 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/01082 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/81 , H01L2224/80 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 一種半導體裝置，其具有包含一第一保護電路的一第一半導體晶粒。包含一第二保護電路的一第二半導體晶粒被設置在該第一半導體晶粒之上。該第一半導體晶粒以及第二半導體晶粒的一部分被移除，以降低晶粒的厚度。一互連結構被形成以共同地連接該第一保護電路以及第二保護電路。入射至該互連結構的一暫態狀況係整體透過該第一保護電路以及第二保護電路來加以放電。任意數目的具有保護電路的半導體晶粒都可加以堆疊並且經由該互連結構來加以互連，以增進ESD電流放電能力。該晶粒堆疊可以藉由將一第一半導體晶圓設置在一第二半導體晶圓之上，並且接著單粒化該些晶圓來加以達成。或者是，利用晶粒至晶圓或晶粒至晶粒的組件。
简体摘要： 一种半导体设备，其具有包含一第一保护电路的一第一半导体晶粒。包含一第二保护电路的一第二半导体晶粒被设置在该第一半导体晶粒之上。该第一半导体晶粒以及第二半导体晶粒的一部分被移除，以降低晶粒的厚度。一互链接构被形成以共同地连接该第一保护电路以及第二保护电路。入射至该互链接构的一暂态状况系整体透过该第一保护电路以及第二保护电路来加以放电。任意数目的具有保护电路的半导体晶粒都可加以堆栈并且经由该互链接构来加以互连，以增进ESD电流放电能力。该晶粒堆栈可以借由将一第一半导体晶圆设置在一第二半导体晶圆之上，并且接着单粒化该些晶圆来加以达成。或者是，利用晶粒至晶圆或晶粒至晶粒的组件。
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公开(公告)号：TWI596651B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW104143236
申请日：2015-12-22
发明人： 內海淳 , UTSUMI, JUN , 後藤崇之 , GOTO, TAKAYUKI , 鈴木毅典 , SUZUKI, TAKENORI , 井手健介 , IDE, KENSUKE
CPC分类号： B23K20/02 , B23K20/00 , B23K20/22 , B32B37/14 , B81C3/001 , H01L21/02 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L2224/05572 , H01L2224/80895 , H01L2924/0002 , H01L2924/15787
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公开(公告)号：TWI595535B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW105125395
申请日：2016-08-10
发明人： 余振華 , YU, CHEN HUA , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 陳明發 , CHEN, MING FA , 陳怡秀 , CHEN, YI HSIU
CPC分类号： H01L24/06 , H01L21/31051 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L22/14 , H01L23/5226 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/14 , H01L24/80 , H01L24/89 , H01L2224/034 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/037 , H01L2224/0382 , H01L2224/039 , H01L2224/0391 , H01L2224/03914 , H01L2224/04 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05084 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05541 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/0603 , H01L2224/0612 , H01L2224/06515 , H01L2224/08145 , H01L2224/08225 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2924/00012 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2224/80 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042
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公开(公告)号：TW201712824A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105121277
申请日：2016-07-05
申请人： 蘋果公司 , APPLE INC.
发明人： 賴 冠宇 , LAI, KWAN-YU , 翟 軍 , ZHAI, JUN , 胡坤忠 , HU, KUNZHONG
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/7684 , H01L23/147 , H01L23/3107 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/80 , H01L24/89 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/10 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2924/181 , H01L2924/186
摘要： 本發明描述封裝及3D晶粒堆疊程序。在一實施例中，一種封裝包括：一第二層級晶粒，其混合結合至一第一封裝層級，該第一封裝層級包括囊封於一氧化物層中之一第一層級晶粒及延伸穿過該氧化物層之複數個氧化物穿孔(TOV)。在一實施例中，該等TOV及該第一層級晶粒具有約20微米或更小的高度。
简体摘要： 本发明描述封装及3D晶粒堆栈进程。在一实施例中，一种封装包括：一第二层级晶粒，其混合结合至一第一封装层级，该第一封装层级包括囊封于一氧化物层中之一第一层级晶粒及延伸穿过该氧化物层之复数个氧化物穿孔(TOV)。在一实施例中，该等TOV及该第一层级晶粒具有约20微米或更小的高度。
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公开(公告)号：TWI569316B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104137571
申请日：2015-11-13
发明人： 余振華 , YU, CHEN HUA , 陳明發 , CHEN, MING FA , 蔡文景 , TSAI, WEN CHING
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L24/81 , B81C1/00238 , B81C3/001 , B81C2203/031 , B81C2203/035 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03602 , H01L2224/03614 , H01L2224/03616 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05022 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05149 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/06051 , H01L2224/08225 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/119 , H01L2224/11912 , H01L2224/13012 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/16014 , H01L2224/16147 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/279 , H01L2224/27912 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29014 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29138 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29149 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/29166 , H01L2224/32014 , H01L2224/32147 , H01L2224/32225 , H01L2224/73103 , H01L2224/80805 , H01L2224/80893 , H01L2224/80894 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/83805 , H01L2224/83815 , H01L2224/8383 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2924/10158 , H01L2924/1461 , H01L2924/163 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L2224/0347 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/114 , H01L2224/1146 , H01L2224/1161 , H01L2224/274 , H01L2224/2746 , H01L2224/2761 , H01L21/302 , H01L2224/034 , H01L2224/0361 , H01L2224/80
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公开(公告)号：TWI567926B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103138513
申请日：2014-11-06
发明人： 盧禎發 , LU, CHEN FA , 蔡正原 , TSAI, CHENG YUAN , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L21/8221 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/80 , H01L24/89 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2224/023 , H01L2224/02351 , H01L2224/024 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05025 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05572 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/08145 , H01L2224/08146 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2225/06548 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82 , H01L2924/01074
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公开(公告)号：TW201642406A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105114086
申请日：2016-05-06
申请人： 聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人： 林子閎 , LIN, TZU HUNG , 蕭景文 , HSIAO, CHING WEN , 彭逸軒 , PENG, I HSUAN
CPC分类号： H01L25/16 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76802 , H01L21/76879 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/49811 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53228 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/89 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/02317 , H01L2224/02319 , H01L2224/02331 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/02379 , H01L2224/03002 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/08147 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/73259 , H01L2224/80003 , H01L2224/80006 , H01L2224/802 , H01L2224/8083 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/96 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1436 , H01L2924/18162 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/37001 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/80001
摘要： 本發明提供了一種半導體封裝組件及其形成方法。該半導體封裝組件包括：一第一半導體封裝。該第一半導體封裝包括：一第一半導體晶粒。一第一RDL結構耦接至該第一半導體晶粒並且包括一第一導電線路。該半導體封裝組件還包括：一第二半導體封裝，接合至該第一半導體封裝。該第二半導體封裝包括：一第二半導體晶粒。該第二半導體晶粒的主動面朝向該第一半體晶粒的主動面。一第二RDL結構耦接至該第二半導體晶粒且包括一第二導電線路。該第一導電線路直接接觸該第二導電線路。
简体摘要： 本发明提供了一种半导体封装组件及其形成方法。该半导体封装组件包括：一第一半导体封装。该第一半导体封装包括：一第一半导体晶粒。一第一RDL结构耦接至该第一半导体晶粒并且包括一第一导电线路。该半导体封装组件还包括：一第二半导体封装，接合至该第一半导体封装。该第二半导体封装包括：一第二半导体晶粒。该第二半导体晶粒的主动面朝向该第一半体晶粒的主动面。一第二RDL结构耦接至该第二半导体晶粒且包括一第二导电线路。该第一导电线路直接接触该第二导电线路。
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公开(公告)号：TWI550824B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW103123336
申请日：2014-07-07
申请人： 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： 河崎一茂 , KAWASAKI, KAZUSHIGE , 栗田洋一郎 , KURITA, YOICHIRO
CPC分类号： H01L25/18 , H01L21/563 , H01L21/76898 , H01L23/295 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02317 , H01L2224/02372 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05026 , H01L2224/05571 , H01L2224/08146 , H01L2224/11002 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/2929 , H01L2224/29298 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73251 , H01L2224/73253 , H01L2224/73259 , H01L2224/80203 , H01L2224/80862 , H01L2224/80895 , H01L2224/9202 , H01L2224/9222 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/11 , H01L2224/80001 , H01L2224/81 , H01L2924/014
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公开(公告)号：TW201624550A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104137571
申请日：2015-11-13
发明人： 余振華 , YU, CHEN HUA , 陳明發 , CHEN, MING FA , 蔡文景 , TSAI, WEN CHING
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L24/81 , B81C1/00238 , B81C3/001 , B81C2203/031 , B81C2203/035 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03602 , H01L2224/03614 , H01L2224/03616 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05022 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05149 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/06051 , H01L2224/08225 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/119 , H01L2224/11912 , H01L2224/13012 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/16014 , H01L2224/16147 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/279 , H01L2224/27912 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29014 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29138 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29149 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/29166 , H01L2224/32014 , H01L2224/32147 , H01L2224/32225 , H01L2224/73103 , H01L2224/80805 , H01L2224/80893 , H01L2224/80894 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/83805 , H01L2224/83815 , H01L2224/8383 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2924/10158 , H01L2924/1461 , H01L2924/163 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L2224/0347 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/114 , H01L2224/1146 , H01L2224/1161 , H01L2224/274 , H01L2224/2746 , H01L2224/2761 , H01L21/302 , H01L2224/034 , H01L2224/0361 , H01L2224/80
摘要： 本發明提供接合結構及其製造方法。導電層係形成於接合結構的第一表面，接合結構包括接合至第二基材的第一基材，接合結構的第一表面為第一基材之被暴露出的表面。具有複數個第一開口和複數個第二開口的圖案化罩幕係形成於導電層上，第一開口和第二開口暴露出導電層的複數個部分。複數個第一接合連接件的複數個第一部分係形成於第一開口中，而複數個第二接合連接件的複數個第一部分係形成於第二開口中。導電層係被圖案化以形成第一接合連接件的第二部分和第二接合連接件的第二部分。，接合接合結構係利用第一接合連接件和第二接合連接件被接合至第三基材。
简体摘要： 本发明提供接合结构及其制造方法。导电层系形成于接合结构的第一表面，接合结构包括接合至第二基材的第一基材，接合结构的第一表面为第一基材之被暴露出的表面。具有复数个第一开口和复数个第二开口的图案化罩幕系形成于导电层上，第一开口和第二开口暴露出导电层的复数个部分。复数个第一接合连接件的复数个第一部分系形成于第一开口中，而复数个第二接合连接件的复数个第一部分系形成于第二开口中。导电层系被图案化以形成第一接合连接件的第二部分和第二接合连接件的第二部分。，接合接合结构系利用第一接合连接件和第二接合连接件被接合至第三基材。
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公开(公告)号：TW201620047A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW105104354
申请日：2012-07-12
发明人： 阮 璧顏 , NGUYEN, BICH-YEN , 沙達卡 瑪麗姆 , SADAKA, MARIAM
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/80 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/80006 , H01L2224/80095 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/95001 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06572 , H01L2924/01029 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/1461 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
摘要： 形成鍵結半導體結構之方法包含形成穿透晶圓互連使之貫穿一第一底材結構之一材料層，將一個或多個半導體結構鍵結在該材料層上方，以及使該些半導體結構在電性上與該些穿透晶圓互連耦合。在該些已處理半導體結構相反於該第一底材結構之一面，將一第二底材結構鍵結在該些已處理半導體結構上方。然後移除該第一底材結構之一部分，留下其中有該些穿透晶圓互連之材料層附著至該些已處理半導體結構。接著，使至少一個穿透晶圓互連在電性上耦合至另一結構之一導電部件，之後，該第二底材結構便可移除。應用此等方法形成之鍵結半導體結構。
简体摘要： 形成键结半导体结构之方法包含形成穿透晶圆互连使之贯穿一第一底材结构之一材料层，将一个或多个半导体结构键结在该材料层上方，以及使该些半导体结构在电性上与该些穿透晶圆互连耦合。在该些已处理半导体结构相反于该第一底材结构之一面，将一第二底材结构键结在该些已处理半导体结构上方。然后移除该第一底材结构之一部分，留下其中有该些穿透晶圆互连之材料层附着至该些已处理半导体结构。接着，使至少一个穿透晶圆互连在电性上耦合至另一结构之一导电部件，之后，该第二底材结构便可移除。应用此等方法形成之键结半导体结构。
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