公开(公告)号：US07723730B2

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：US10999854

申请日：2004-11-29

申请人： Stefan Groetsch ,  Stefan Illek ,  Andreas Ploessl ,  Berthold Hahn

发明人： Stefan Groetsch ,  Stefan Illek ,  Andreas Ploessl ,  Berthold Hahn

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/641 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3677 ,  H01L24/97 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A carrier layer (1) for a semiconductor layer sequence comprising an electrical insulation layer (2) containing AlN or a ceramic. Furthermore a method for producing semiconductor chips is described.

摘要翻译： 一种用于半导体层序列的载体层（1），包括含有AlN或陶瓷的电绝缘层（2）。 另外，对半导体芯片的制造方法进行说明。

公开(公告)号：US20100084964A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12524890

申请日：2008-01-30

申请人： Stefan Groetsch ,  Georg Bogner ,  Berthold Hahn ,  Volker Haerle ,  Kirstin Petersen

发明人： Stefan Groetsch ,  Georg Bogner ,  Berthold Hahn ,  Volker Haerle ,  Kirstin Petersen

IPC分类号： H01J1/62

CPC分类号： H01L33/508 ,  H01L25/0753 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014

摘要： At least two semiconductor components emit electromagnetic radiation in different wavelength ranges. The superimposition of these electromagnetic radiations of all semiconductor components has at least one fraction in the visible wavelength range. At least one of the semiconductor components has a luminescence conversion element in the beam path.

摘要翻译： 至少两个半导体部件发射不同波长范围的电磁辐射。 所有半导体组件的这些电磁辐射的叠加在可见波长范围内至少有一个分数。 至少一个半导体部件在光束路径中具有发光转换元件。

公开(公告)号：US20090212307A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US11921530

申请日：2006-06-02

申请人： Johannes Baur ,  Volker Hárle ,  Berthold Hahn ,  Andreas Weimar ,  Raimund Oberschmid ,  Ewald Karl Michael Guenther ,  Franz Eberhard ,  Markus Richter ,  Jörg Strauss

发明人： Johannes Baur ,  Volker Hárle ,  Berthold Hahn ,  Andreas Weimar ,  Raimund Oberschmid ,  Ewald Karl Michael Guenther ,  Franz Eberhard ,  Markus Richter ,  Jörg Strauss

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a luminescence diode chip having a radiation exit area (1) and a contact structure (2, 3, 4) which is arranged on the radiation exit area (1) and comprises a bonding pad (4) and a plurality of contact webs (2, 3) which are provided for current expansion and are electrically conductively connected to the bonding pad (4), the bonding pad (4) is arranged in an edge region of the radiation exit area (1). The luminescence diode chip has reduced absorption of the emitted radiation (23) in the contact structure (2, 3, 4).

摘要翻译： 在具有辐射出射区域（1）的发光二极管芯片和设置在辐射出口区域（1）上的接触结构（2,3,4），并且包括接合焊盘（4）和多个接触腹板 2，3），其被设置用于电流膨胀并且导电连接到焊盘（4），焊盘（4）布置在辐射出口区域（1）的边缘区域中。 发光二极管芯片减少了接触结构（2,3,4）中发射的辐射（23）的吸收。

公开(公告)号：US20070117235A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11654224

申请日：2007-01-16

申请人： Wilhelm Stein ,  Michael Fehrer ,  Johannes Baur ,  Matthias Winter ,  Andreas Ploessl ,  Stephan Kaiser ,  Berthold Hahn ,  Franz Eberhard

发明人： Wilhelm Stein ,  Michael Fehrer ,  Johannes Baur ,  Matthias Winter ,  Andreas Ploessl ,  Stephan Kaiser ,  Berthold Hahn ,  Franz Eberhard

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/32

摘要： A method for producing an electrical contact of an optoelectronic semiconductor chip (1), comprising providing a mirror layer (2), comprised of a metal or metal alloy, over the semiconductor chip; providing a protective layer (3) over said mirror layer; providing a layer sequence of a barrier layer and a coupling layer (5) over said protective layer; and providing a solder layer (8) over said layer sequence.

摘要翻译： 一种用于制造光电半导体芯片（1）的电接触的方法，包括在半导体芯片上提供由金属或金属合金构成的镜层（2）; 在所述镜层上提供保护层（3）; 在所述保护层上提供阻挡层和耦合层（5）的层序列; 以及在所述层序列上提供焊料层（8）。

公开(公告)号：US4710795A

公开(公告)日：1987-12-01

申请号：US705089

申请日：1985-02-25

申请人： Georg Nippert ,  Berthold Hahn ,  Jens Gobrecht

发明人： Georg Nippert ,  Berthold Hahn ,  Jens Gobrecht

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/04 ,  H01L21/447 ,  H01L23/10 ,  H01L23/14 ,  H01L23/40

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787

摘要： A semiconductor power module includes at least two mutually parallel ceramic substrates each having two sides, metallizations disposed on at least one side of each of the substrates, at least one controlled semiconductor power component disposed between each two respective substrates and contacted by the metallizations above and below the component, the substrate above the component having at least one hole formed therein above the component for accommodting control connections to the component.

摘要翻译： 半导体功率模块包括至少两个相互平行的陶瓷衬底，每个陶瓷衬底具有两个侧面，金属化层设置在每个衬底的至少一侧上，至少一个被控制的半导体功率部件设置在每个两个相应的衬底之间并且被上述金属化部分接触， 在部件下方，在部件上方具有至少一个孔的部件上方的基板，用于容纳到部件的控制连接。

公开(公告)号：US09057138B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US13263940

申请日：2010-04-09

申请人： Bernd Stuermer ,  Volkmar Frick ,  Michael Specht ,  Michael Sterner ,  Berthold Hahn ,  Ulrich Zuberbuehler

发明人： Bernd Stuermer ,  Volkmar Frick ,  Michael Specht ,  Michael Sterner ,  Berthold Hahn ,  Ulrich Zuberbuehler

IPC分类号： F03B13/00 ,  C25B1/04 ,  C10L3/08 ,  C12M1/107 ,  C12M1/00

CPC分类号： C25B1/04 ,  C10L3/08 ,  C12M21/04 ,  C12M43/00 ,  C12M43/08 ,  C25B15/08 ,  Y02E50/343 ,  Y02E60/324 ,  Y02E60/366 ,  Y02P20/129 ,  Y02P20/133 ,  Y02P20/134

摘要： An energy supply system is provided with an electricity generating device for regeneratively generating electrical energy that can be fed into an electricity supply grid. The energy supply system includes an electricity generating device for regeneratively generating electrical energy which can be fed into an electricity supply grid, a hydrogen generating device for generating hydrogen using electrical energy from the regenerative electricity generating device, a methanation device for converting hydrogen generated by the hydrogen generating device and a supplied carbon oxide gas into a gas containing methane, and a gas providing device for providing a supplementary gas or a replacement gas in a variably specifiable supplementary/replacement gas quality suitable for feeding into a gas supply grid with the use of the gas containing methane from the methanation device and/or the hydrogen from the hydrogen generating device. A method of operating the system is also provided.

摘要翻译： 能量供给系统具有用于再生发电的发电装置，该电能可供给到供电电网。 能量供给系统包括用于再生发电的发电装置，其可以供给到供电电网;氢发生装置，其使用来自再生发电装置的电能产生氢;甲烷化装置，用于将由 氢气生成装置和供给的碳氧化物气体组装成含有甲烷的气体，以及气体提供装置，用于以可变形式指定的补充/替换气体质量提供补充气体或替代气体，该气体适合于通过使用 含有来自甲烷化装置的甲烷的气体和/或来自氢生成装置的氢气。 还提供了一种操作该系统的方法。

公开(公告)号：US08796115B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13440472

申请日：2012-04-05

申请人： Jörg Erich Sorg ,  Stefan Gruber ,  Siegfried Herrmann ,  Berthold Hahn

发明人： Jörg Erich Sorg ,  Stefan Gruber ,  Siegfried Herrmann ,  Berthold Hahn

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/00 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L25/0753 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/508 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A light-emitting diode arrangement comprising a plurality of semiconductor chips which are provided for emitting electromagnetic radiation from their front side and which are fixed by their rear side—opposite the front side—on a first main face of a common carrier body, wherein the semiconductor chips consist of a respective substrateless semiconductor layer stack and are fixed to the common carrier body without an auxiliary carrier, and to a method for producing such a light-emitting diode arrangement.

摘要翻译： 一种发光二极管装置，包括多个半导体芯片，所述多个半导体芯片被设置用于从其前侧发射电磁辐射并且通过它们的正面侧的后侧固定在公共载体主体的第一主面上，其中， 半导体芯片由相应的无基板的半导体层堆叠构成，并且在没有辅助载体的情况下固定到公共载体主体，以及制造这种发光二极管装置的方法。

公开(公告)号：US08598014B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US13281598

申请日：2011-10-26

申请人： Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Härle ,  Stephan Kaiser ,  Frank Otte ,  Andreas Plössl

发明人： Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Härle ,  Stephan Kaiser ,  Frank Otte ,  Andreas Plössl

IPC分类号： H01L21/26

CPC分类号： H01L21/76251 ,  B23K26/40 ,  B23K26/50 ,  B23K2103/172 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

摘要： Presented is a method for producing an optoelectronic component. The method includes separating a semiconductor layer based on a III-V-compound semiconductor material from a substrate by irradiation with a laser beam having a plateau-like spatial beam profile, where individual regions of the semiconductor layer are irradiated successively.

摘要翻译： 提出了一种用于制造光电子部件的方法。 该方法包括通过用具有平台状空间光束轮廓的激光束照射从衬底分离基于III-V-化合物半导体材料的半导体层，其中半导体层的各个区域被连续照射。

公开(公告)号：US08575003B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US12583500

申请日：2009-08-21

申请人： Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Härle ,  Stephan Kaiser ,  Frank Otte ,  Andreas Plössl

发明人： Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Härle ,  Stephan Kaiser ,  Frank Otte ,  Andreas Plössl

IPC分类号： H01L21/26

CPC分类号： H01L21/76251 ,  B23K26/40 ,  B23K26/50 ,  B23K2103/172 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

摘要： Presented is a method for producing an optoelectronic component. The method includes separating a semiconductor layer based on a III-V-compound semiconductor material from a substrate by irradiation with a laser beam having a plateau-like spatial beam profile, where individual regions of the semiconductor layer are irradiated successively.

公开(公告)号：US08524573B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US10544306

申请日：2004-01-27

申请人： Stephan Kaiser ,  Volker Härle ,  Berthold Hahn

发明人： Stephan Kaiser ,  Volker Härle ,  Berthold Hahn

IPC分类号： H01L21/428

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/7806 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/83001

摘要： A method for producing a semiconductor component, in which a semiconductor layer is separated from a substrate by irradiation with laser pulses, the pulse duration of the laser pulses being less than or equal to 10 ns. The laser pulses have a spatial beam profile with a flank slope is chosen to be gentle enough to prevent cracks in the semiconductor layer that arise as a result of thermally induced lateral stresses during the separation of semiconductor layer and substrate.

摘要翻译： 一种半导体元件的制造方法，其中通过激光脉冲照射半导体层与衬底分离，激光脉冲的脉冲持续时间小于或等于10ns。 激光脉冲具有空间光束轮廓，其侧面斜率被选择为足够温和以防止在半导体层和衬底的分离期间由于热诱导的横向应力引起的半导体层中的裂纹。