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    Integrated circuits with leakage current test structure
    131.
    发明授权
    Integrated circuits with leakage current test structure 有权
    具有漏电流测试结构的集成电路

    公开(公告)号：US08796686B2

    公开(公告)日：2014-08-05

    申请号：US13219369

    申请日：2011-08-26

    申请人： Chung-Ying Yang ,  Hsien-Wei Chen

    发明人： Chung-Ying Yang ,  Hsien-Wei Chen

    IPC分类号： H01L23/58

    CPC分类号： H01L21/76895 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An integrated circuit includes a seal ring structure disposed around a circuit that is disposed over a substrate. A first pad is electrically coupled with the seal ring structure. A leakage current test structure is disposed adjacent to the seal ring structure. A second pad electrically coupled with the leakage current test structure, wherein the leakage current test structure is configured to provide a leakage current test between the seal ring structure and the leakage current test structure.

    摘要翻译： 集成电路包括设置在基板周围的电路周围的密封环结构。 第一垫片与密封环结构电耦合。 泄漏电流测试结构邻近密封环结构设置。 与泄漏电流测试结构电耦合的第二焊盘，其中所述漏电流测试结构被配置为在所述密封环结构和所述泄漏电流测试结构之间提供泄漏电流测试。

    Metal e-fuse structure design
    132.
    发明授权
    Metal e-fuse structure design 有权
    金属电熔丝结构设计

    公开(公告)号：US08749020B2

    公开(公告)日：2014-06-10

    申请号：US11716206

    申请日：2007-03-09

    申请人： Hsien-Wei Chen ,  Hao-Yi Tsai ,  Shin-Puu Jeng ,  Shih-Hsun Hsu

    发明人： Hsien-Wei Chen ,  Hao-Yi Tsai ,  Shin-Puu Jeng ,  Shih-Hsun Hsu

    IPC分类号： H01L29/00

    CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An integrated circuit structure is provided. The integrated circuit structure includes a semiconductor substrate; a dielectric layer over the semiconductor substrate; a metal fuse in the dielectric layer; a dummy pattern adjacent the metal fuse; and a metal line in the dielectric layer, wherein a thickness of the metal fuse is substantially less than a thickness of the metal line.

    摘要翻译： 提供集成电路结构。 集成电路结构包括半导体衬底; 半导体衬底上的电介质层; 电介质层中的金属保险丝; 与金属保险丝相邻的虚拟图案; 以及介电层中的金属线，其中金属熔丝的厚度基本上小于金属线的厚度。

    Package structures
    133.
    发明授权
    Package structures 有权
    包装结构

    公开(公告)号：US08618673B2

    公开(公告)日：2013-12-31

    申请号：US13539775

    申请日：2012-07-02

    申请人： Benson Liu ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Hao-Yi Tsai

    发明人： Benson Liu ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Hao-Yi Tsai

    IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

    CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/0401

    摘要： A package structure includes a substrate, a first die and at least one second die. The substrate includes a first pair of parallel edges and a second pair of parallel edges. The first die is mounted over the substrate. The first die includes a third pair of parallel edges and a fourth pair of parallel edges, wherein the third pair of parallel edges and the fourth pair of parallel edges are not parallel to the first pair of parallel edges and the second pair of parallel edges, respectively. The at least one second die is mounted over the first die.

    摘要翻译： 封装结构包括衬底，第一管芯和至少一个第二管芯。 衬底包括第一对平行边缘和第二对平行边缘。 第一个模具安装在基板上。 第一管芯包括第三对平行边缘和第四对平行边缘，其中第三对平行边缘和第四对平行边缘不平行于第一对平行边缘和第二对平行边缘， 分别。 至少一个第二管芯安装在第一管芯上。

    Calibration Kits for RF Passive Devices
    134.
    发明申请
    Calibration Kits for RF Passive Devices 有权
    RF被动设备的校准套件

    公开(公告)号：US20130332092A1

    公开(公告)日：2013-12-12

    申请号：US13491364

    申请日：2012-06-07

    申请人： Jie Chen ,  Hao-Yi Tsai ,  Hsien-Wei Chen ,  Hung-Yi Kuo

    发明人： Jie Chen ,  Hao-Yi Tsai ,  Hsien-Wei Chen ,  Hung-Yi Kuo

    IPC分类号： G06F19/00 ,  G06F17/50 ,  H01L23/48

    CPC分类号： H01L23/66 ,  G01R1/07328 ,  G01R35/005 ,  G06F17/5009 ,  H01L21/76822 ,  H01L22/34 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/528 ,  H01L24/13 ,  H01L28/10 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

    摘要： A method includes measuring a first calibration kit in a wafer to obtain a first performance data. The wafer includes a substrate, and a plurality of dielectric layers over the substrate. The first calibration kit includes a first passive device over the plurality of dielectric layers, wherein substantially no metal feature is disposed in the plurality of dielectric layers and overlapped by the first passive device. The method further includes measuring a second calibration kit in the wafer to obtain a second performance data. The second calibration kit includes a second passive device identical to the first device and over the plurality of dielectric layers, and dummy patterns in the plurality of dielectric layers and overlapped by the second passive device. The first performance data and the second performance data are de-embedded to determine an effect of metal patterns in the plurality of dielectric layers to overlying passive devices.

    摘要翻译： 一种方法包括测量晶片中的第一校准套件以获得第一性能数据。 晶片包括衬底，以及在衬底上的多个电介质层。 第一校准套件包括多个电介质层上的第一无源器件，其中在多个电介质层中基本上没有金属特征被布置在第一无源器件中。 该方法还包括测量晶片中的第二校准套件以获得第二性能数据。 第二校准套件包括与第一器件相同并且在多个电介质层上相同的第二无源器件，以及多个电介质层中的虚设图案并且被第二无源器件重叠。 第一性能数据和第二性能数据被去嵌入以确定多个介电层中的金属图案对覆盖无源器件的影响。

    Corner stress release structure design for increasing circuit routing areas
    139.
    发明授权
    Corner stress release structure design for increasing circuit routing areas 有权
    拐角应力释放结构设计，增加电路布线面积

    公开(公告)号：US08436472B2

    公开(公告)日：2013-05-07

    申请号：US12702831

    申请日：2010-02-09

    申请人： Hsien-Wei Chen

    发明人： Hsien-Wei Chen

    IPC分类号： H01L23/48

    CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L2224/04042

    摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor chip, which further includes a corner and a seal ring dispatched adjacent edges of the semiconductor chip; and a corner stress release (CSR) structure adjacent the corner and physically adjoining the seal ring. The CSR structure includes a portion in a top metallization layer. A circuit component selected from the group consisting essentially of an interconnect structure and an active circuit is directly underlying the CSR structure.

    摘要翻译： 集成电路结构包括半导体芯片，该半导体芯片还包括分配在半导体芯片的相邻边缘上的角部和密封环; 以及邻近角落并物理地邻接密封环的角部应力释放（CSR）结构。 CSR结构包括顶部金属化层中的一部分。 从基本上由互连结构和有源电路组成的组中选择的电路部件直接位于CSR结构的下面。

    Pad structure having a metalized region and a non-metalized region
    140.
    发明授权
    Pad structure having a metalized region and a non-metalized region 有权
    垫结构具有金属化区域和非金属化区域

    公开(公告)号：US08426855B2

    公开(公告)日：2013-04-23

    申请号：US12693501

    申请日：2010-01-26

    申请人： Hsien-Wei Chen

    发明人： Hsien-Wei Chen

    IPC分类号： H01L23/58

    CPC分类号： H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L2224/02166

    摘要： An interconnect structure includes: a plurality of dielectric layers having aligned process control monitor (PCM) pads, and a conductive structure above a topmost one of the PCM pads. The conductive structure electrically connects the topmost PCM pad to a device under test above a level of the topmost PCM pad. The conductive structure is sized and shaped so as to leave a majority portion of the topmost PCM pad exposed for access by a test probe.

    摘要翻译： 互连结构包括：具有对准的过程控制监视器（PCM）焊盘的多个电介质层，以及位于最上面的PCM焊盘之上的导电结构。 导电结构将最上面的PCM焊盘电连接到被测器件的最高PCM焊盘的电平之上。 导电结构的尺寸和形状使得留下最高PCM垫的大部分暴露以供测试探针进入。