公开(公告)号：US07125582B2

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US10631627

申请日：2003-07-30

申请人： Michael L. McSwiney ,  Michael D. Goodner

发明人： Michael L. McSwiney ,  Michael D. Goodner

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/345

摘要： A method including combining a silicon source precursor and a nitrogen source precursor at a temperature up to 550° C.; and forming a silicon nitride film. A system including a chamber; a silicon precursor source coupled to the chamber; a controller configured to control the introduction into the chamber of a silicon precursor from the silicon precursor source; and a memory coupled to the controller comprising a machine-readable medium having a machine-readable program embodied therein for directing operation of the system, the machine-readable program including instructions for controlling the second precursor source to introduce an effective amount of silicon precursor into the chamber at a temperature up to 550° C.

摘要翻译： 一种方法，包括在高达550℃的温度下组合硅源前体和氮源前体; 并形成氮化硅膜。 包括室的系统 耦合到所述室的硅前体源; 控制器，被配置为控制从所述硅前体源引入所述室中的硅前体; 以及耦合到控制器的存储器，包括机器可读介质，其具有体现在其中的机器可读程序，用于引导系统的操作，该机器可读程序包括用于控制第二前驱源的指令，以将有效量的硅前体引入 该室温度高达550°C

公开(公告)号：US07030040B2

公开(公告)日：2006-04-18

申请号：US10284722

申请日：2002-10-31

申请人： Michael D. Goodner ,  Grant Kloster

发明人： Michael D. Goodner ,  Grant Kloster

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02118 ,  G03F7/095 ,  G03F7/165 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  Y10T428/24917

摘要： A surface may be selectively coated with a polymer using an induced surface grafting or polymerization reaction. The reaction proceeds in those regions that are polymerizable and not in other regions. Thus, a semiconductor structure having organic regions and metal regions exposed, for example, may have the organic polymers formed selectively on the organic regions and not on the unpolymerizable or metal regions.

摘要翻译： 使用诱导的表面接枝或聚合反应可以用聚合物选择性地涂布表面。 反应在可聚合的区域中进行，而不在其它区域。 因此，具有例如露出的有机区域和金属区域的半导体结构可以具有在有机区域而不是在不可聚合或金属区域上有选择地形成的有机聚合物。

公开(公告)号：US06908717B2

公开(公告)日：2005-06-21

申请号：US10415234

申请日：2001-10-09

申请人： Takashi Hirano ,  Shusaku Okaaki ,  Michael D. Goodner ,  Robert P. Meagley

发明人： Takashi Hirano ,  Shusaku Okaaki ,  Michael D. Goodner ,  Robert P. Meagley

IPC分类号： G03F7/023 ,  C08G69/26 ,  C08G69/40 ,  C08G69/42 ,  G03F7/004 ,  G03F7/022 ,  G03F7/037 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312

CPC分类号： G03F7/0233 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/0226

摘要： The present invention provides a positve photosensitive resin composition of high sensitivity which can form a pattern of high resolution and high residual film ration and which can give a cured film superior in mechanical properties, adhesivity and water absorptivity. That is, the present invention lies in a positive photosensitve resin compostion comprising 100 parts by weight of an alkali-soluble resin, 1 to 100 parts by weight of a photosensitve diazoquinone compound (B) and a filler (C), characterized in that content F of the filler (C) represented by the following formula is 2 to 70% by weight. F=filler(C)/[alkali-soluble resing+filler (C)]

摘要翻译： 本发明提供一种高灵敏度的阳离子感光性树脂组合物，其可以形成高分辨率和高残留膜比例的图案，并且可以得到机械性能，粘合性和吸水性优异的固化膜。 也就是说，本发明在于包含100重量份的碱溶性树脂，1至100重量份的光敏重氮醌化合物（B）和填料（C）的正光敏树脂组合物，其特征在于，含量 由下式表示的填料（C）的F为2〜70重量％。 F =填料（C）/ [碱溶性填料+填料（C）] <？在线配方说明=“In-line-formula”=“ 在线公式“end =”tail“？>

公开(公告)号：US06682989B1

公开(公告)日：2004-01-27

申请号：US10300378

申请日：2002-11-20

申请人： Michael D. Goodner ,  Grant Kloster ,  Steven W. Johnston

发明人： Michael D. Goodner ,  Grant Kloster ,  Steven W. Johnston

IPC分类号： H01L2176

CPC分类号： H01L21/312 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1639 ,  C23C18/1641 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1868 ,  C23C18/1893 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/53238

摘要： A surface may be selectively coated with a polymer using an induced surface grafting or polymerization reaction. The reaction proceeds in those regions that are polymerizable and not in other regions. Thus, a semiconductor structure having organic regions and metal regions exposed, for example, may have the organic polymers formed selectively on the organic regions and not on the unpolymerizable or metal regions.

摘要翻译： 使用诱导的表面接枝或聚合反应可以用聚合物选择性地涂布表面。 反应在可聚合的区域中进行，而不在其它区域。 因此，具有例如露出的有机区域和金属区域的半导体结构可以具有在有机区域而不是在不可聚合或金属区域上有选择地形成的有机聚合物。

公开(公告)号：US5730601A

公开(公告)日：1998-03-24

申请号：US613348

申请日：1996-03-11

申请人： Christopher N. Bowman ,  Kristi S. Anseth ,  Anandkumar R. Kannurpatti ,  Michael D. Goodner

发明人： Christopher N. Bowman ,  Kristi S. Anseth ,  Anandkumar R. Kannurpatti ,  Michael D. Goodner

IPC分类号： A61K6/083 ,  A61C5/00

CPC分类号： A61K6/083

摘要： A composition for use in dental treatments of damaged or diseased teeth is provided. The composition comprises a combined filler material, photoinitiator and comonomer resin mixture polymerizable upon incidence of light. The comonomer resin mixture comprises a comonomer resin blend comprising at least two monomers from the same monomer series with at least a first monomer having a first molecular weight and a second monomer having a second molecular weight with the second molecular weight being greater than the first molecular weight of the first monomer. The comonomer resin mixture further comprises a third monomer combined with the comonomer resin blend.

摘要翻译： 提供了一种用于牙齿治疗受损或患齿的组合物。 组合物包含组合的填充材料，光引发剂和共聚单体树脂混合物在光入射时可聚合。 共聚单体树脂混合物包括共聚单体树脂混合物，其包含至少两种与至少第一分子量的第一单体相同的单体系列的单体和具有第二分子量的第二单体，第二分子量大于第一分子量 第一单体的重量。 共聚单体树脂混合物还包含与共聚单体树脂共混物组合的第三单体。

公开(公告)号：US08513111B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US11485078

申请日：2006-07-12

申请人： Robert P. Meagley ,  Kevin P. O'Brien ,  Tian-An Chen ,  Michael D. Goodner ,  James Powers ,  Huey-Chiang Liou

发明人： Robert P. Meagley ,  Kevin P. O'Brien ,  Tian-An Chen ,  Michael D. Goodner ,  James Powers ,  Huey-Chiang Liou

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L23/5222 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure may be covered with a thermally decomposing film. That film may then be covered by a sealing cover. Subsequently, the thermally decomposing material may be decomposed, forming a cavity.

摘要翻译： 半导体结构可以被热分解膜覆盖。 然后该膜可以被密封盖覆盖。 随后，热分解材料可能被分解，形成空腔。

公开(公告)号：US07732936B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11516288

申请日：2006-09-06

申请人： Michael D. Goodner ,  Kevin J. Lee

发明人： Michael D. Goodner ,  Kevin J. Lee

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3512 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49165

摘要： Embodiments of buffer coatings for semiconductor and integrated circuit manufacturing are presented herein, wherein the buffer coating is provided by mechanically blending a first polymer with at least a second polymer. The mechanically blended polymers producing a buffer coating that provides a barrier that is has an increased toughness and decreased shrinkage.

摘要翻译： 本文提出了用于半导体和集成电路制造的缓冲涂层的实施例，其中缓冲涂层通过将第一聚合物与至少第二聚合物机械共混来提供。 产生缓冲涂层的机械混合聚合物提供了增加的韧性和降低的收缩率的屏障。

公开(公告)号：US07615337B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US10927885

申请日：2004-08-27

申请人： Robert P. Meagley ,  Michael McSwiney ,  Michael D. Goodner ,  Robert Leet ,  Manish Chandhok

发明人： Robert P. Meagley ,  Michael McSwiney ,  Michael D. Goodner ,  Robert Leet ,  Manish Chandhok

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F7/40

摘要： A cap may be formed anisotropically over a photoresist feature. For example, a material, such as a polymer, may be coated over the photoresist feature. If the coated material is photoactive, the cap may be grown preferentially in the vertical direction, creating high aspect ratio structures in some embodiments of the present invention.

摘要翻译： 可以在光致抗蚀剂特征上各向异性地形成帽。 例如，可以在光致抗蚀剂特征上涂覆诸如聚合物的材料。 如果涂覆的材料是光活性的，则帽可以在垂直方向上优先生长，在本发明的一些实施方案中产生高纵横比结构。

公开(公告)号：US07585615B2

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：US11495368

申请日：2006-07-27

申请人： Kurt Schultz ,  Kevin J. Lee ,  Michael D. Goodner ,  Shane Nolen

发明人： Kurt Schultz ,  Kevin J. Lee ,  Michael D. Goodner ,  Shane Nolen

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004

CPC分类号： H01L24/11 ,  G03F7/0047 ,  H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： A composite photoresist comprises a photoresist material and a filler material dispersed within the photoresist material, wherein the filler material includes a plurality of nanoparticles. The photoresist material may comprise an acrylic-based photoresist, a novolak-based photoresist, a polyhydroxystyrene-based photoresist, a SLAM, or a BARC. The filler material may comprise base-soluble styrene-butadiene rubber nanospheres, nitrile-butadiene rubber nanospheres, polystyrene-based nanoparticles, acrylic-based nanoparticles, or inorganic nanoparticles. The nanoparticles may have an average diameter that is between around 10 nm and around 1000 nm and may have a loading in the photoresist material that is between around 5% and 50%. The composite photoresist may be used to form die-side metal bumps for use in a C4 connection that have a roughened sidewall surface but a smooth top surface.

摘要翻译： 复合光致抗蚀剂包括光致抗蚀剂材料和分散在光致抗蚀剂材料内的填充材料，其中填充材料包括多个纳米颗粒。 光致抗蚀剂材料可以包括基于丙烯酸的光致抗蚀剂，酚醛清漆型光致抗蚀剂，聚羟基苯乙烯类光致抗蚀剂，SLAM或BARC。 填料可以包括可溶的苯乙烯 - 丁二烯橡胶纳米球，腈 - 丁二烯橡胶纳米球，基于聚苯乙烯的纳米颗粒，基于丙烯酸的纳米颗粒或无机纳米颗粒。 纳米颗粒的平均直径可以在约10nm至约1000nm之间，并且可以在光致抗蚀剂材料中具有介于约5％和50％之间的负载。 复合光致抗蚀剂可用于形成用于具有粗糙侧壁表面但具有光滑顶表面的C4连接中的模头侧金属凸块。

公开(公告)号：US07470450B2

公开(公告)日：2008-12-30

申请号：US10764193

申请日：2004-01-23

申请人： Michael L. McSwiney ,  Mansour Moinpour ,  Michael D. Goodner

发明人： Michael L. McSwiney ,  Mansour Moinpour ,  Michael D. Goodner

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C07F7/025 ,  C23C16/345 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274

摘要： A silicon nitride film may be deposited on a work piece using conventional deposition techniques and a selected source for use as a silicon precursor. A nitrogen precursor may also be selected for film deposition. Using the selected precursor(s), the temperature for deposition may be 500° C., or less.

摘要翻译： 氮化硅膜可以使用常规沉积技术和所选择的源用作硅前体而沉积在工件上。 也可以选择氮前体用于膜沉积。 使用所选择的前体，沉积温度可以为500℃以下。