公开(公告)号：US07105460B2

公开(公告)日：2006-09-12

申请号：US10193489

申请日：2002-07-11

申请人： Bok Hoen Kim ,  Sudha Rathi ,  Sang H. Ahn ,  Christopher D. Bencher ,  Yuxiang May Wang ,  Hichem M'Saad ,  Mario D. Silvetti

发明人： Bok Hoen Kim ,  Sudha Rathi ,  Sang H. Ahn ,  Christopher D. Bencher ,  Yuxiang May Wang ,  Hichem M'Saad ,  Mario D. Silvetti

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76834 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

摘要： Methods are provided for depositing a dielectric material. The dielectric material may be used for an anti-reflective coating or as a hardmask. In one aspect, a method is provided for processing a substrate including introducing a processing gas comprising a silane-based compound and an organosilicon compound to the processing chamber and reacting the processing gas to deposit a nitrogen-free dielectric material on the substrate. The dielectric material comprises silicon and oxygen.

摘要翻译： 提供了沉积电介质材料的方法。 电介质材料可用于抗反射涂层或硬掩模。 一方面，提供了一种处理基板的方法，包括将包含硅烷类化合物和有机硅化合物的处理气体引入处理室，并使处理气体在基板上沉积无氮介电材料。 介电材料包括硅和氧。

公开(公告)号：US06946401B2

公开(公告)日：2005-09-20

申请号：US10655438

申请日：2003-09-04

申请人： Judy H. Huang ,  Christopher Dennis Bencher ,  Sudha Rathi ,  Christopher S. Ngai ,  Bok Hoen Kim

发明人： Judy H. Huang ,  Christopher Dennis Bencher ,  Sudha Rathi ,  Christopher S. Ngai ,  Bok Hoen Kim

IPC分类号： H01L21/302 ,  B08B7/00 ,  C23C16/02 ,  C23G5/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/10 ,  H01L23/52 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76834 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/0245 ,  C23G5/00 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides an in situ plasma reducing process to reduce oxides or other contaminants, using a compound of nitrogen and hydrogen, typically ammonia, at relatively low temperatures prior to depositing a subsequent layer thereon. The adhesion characteristics of the layers are improved and oxygen presence is reduced compared to the typical physical sputter cleaning process of an oxide layer. This process may be particularly useful for the complex requirements of a dual damascene structure, especially with copper applications.

摘要翻译： 本发明提供了一种原位等离子体还原方法以在沉积其后的层之前，在相对较低的温度下使用氮气和氢气（通常为氨）的化合物来还原氧化物或其它污染物。 与氧化物层的典型的物理溅射清洗工艺相比，这些层的粘合特性得到改善，氧的存在降低。 该方法对于双镶嵌结构的复杂要求尤其有用，特别是对于铜应用。

公开(公告)号：US09157151B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US11756358

申请日：2007-05-31

申请人： Annamalai Lakshmanan ,  Ganesh Balasubramanian ,  Francimar Schmitt ,  Bok Hoen Kim

发明人： Annamalai Lakshmanan ,  Ganesh Balasubramanian ,  Francimar Schmitt ,  Bok Hoen Kim

IPC分类号： H05H1/02 ,  H05H1/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/401 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862

摘要： The present invention generally provides an apparatus and method for eliminating the “first wafer effect” for plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). One embodiment of the present invention provides a method for preparing a chamber after the chamber being idle for a period of time. The method comprises a cleaning step followed by a season step and a heating step adapted to the length of the idle time.

摘要翻译： 本发明通常提供一种用于消除等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的“第一晶圆效应”的装置和方法。 本发明的一个实施例提供一种在腔室闲置一段时间之后制备腔室的方法。 该方法包括清洁步骤，随后是季节步骤和适应空闲时间长度的加热步骤。

公开(公告)号：US20120285492A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13456404

申请日：2012-04-26

申请人： Kwangduk Douglas Lee ,  Sudha Rathi ,  Ramprakash Sankarakrishnan ,  Martin Jay Seamons ,  Irfan Jamil ,  Bok Hoen Kim

发明人： Kwangduk Douglas Lee ,  Sudha Rathi ,  Ramprakash Sankarakrishnan ,  Martin Jay Seamons ,  Irfan Jamil ,  Bok Hoen Kim

IPC分类号： B08B5/00

CPC分类号： H01L21/31122 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31144

摘要： Embodiments of the invention generally relate to methods of dry stripping boron-carbon films. In one embodiment, alternating plasmas of hydrogen and oxygen are used to remove a boron-carbon film. In another embodiment, co-flowed oxygen and hydrogen plasma is used to remove a boron-carbon containing film. A nitrous oxide plasma may be used in addition to or as an alternative to either of the above oxygen plasmas. In another embodiment, a plasma generated from water vapor is used to remove a boron-carbon film. The boron-carbon removal processes may also include an optional polymer removal process prior to removal of the boron-carbon films. The polymer removal process includes exposing the boron-carbon film to NF3 to remove from the surface of the boron-carbon film any carbon-based polymers generated during a substrate etching process.

摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及干燥汽提硼 - 碳膜的方法。 在一个实施方案中，使用氢和氧的交替等离子体去除硼 - 碳膜。 在另一个实施方案中，使用共流氧和氢等离子体去除含硼碳膜。 除了作为上述氧等离子体中的任一种之外，还可以使用一氧化二氮等离子体。 在另一个实施方案中，使用由水蒸气产生的等离子体来除去硼 - 碳膜。 在除去硼 - 碳膜之前，硼 - 碳去除方法还可以包括任选的聚合物去除方法。 聚合物去除方法包括将硼 - 碳膜暴露于NF3以从硼 - 碳膜的表面除去在基板蚀刻工艺期间产生的任何碳基聚合物。

公开(公告)号：US08283237B2

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：US12978129

申请日：2010-12-23

申请人： Nagarajan Rajagopalan ,  Ji Ae Park ,  Ryan Yamase ,  Shamik Patel ,  Thomas Nowak ,  Li-Qun Xia ,  Bok Hoen Kim ,  Ran Ding ,  Jim Baldino ,  Mehul Naik ,  Sesh Ramaswami

发明人： Nagarajan Rajagopalan ,  Ji Ae Park ,  Ryan Yamase ,  Shamik Patel ,  Thomas Nowak ,  Li-Qun Xia ,  Bok Hoen Kim ,  Ran Ding ,  Jim Baldino ,  Mehul Naik ,  Sesh Ramaswami

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/44 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/11 ,  H01L24/742 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/742 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00

摘要： A through-silicon via fabrication method comprises forming a substrate by bonding the front surface of a silicon plate to a carrier using an adhesive layer therebetween to expose the back surface of the silicon plate. A silicon nitride passivation layer is deposited on the exposed back surface of the silicon plate of the substrate. A plurality of through holes are etched in the silicon plate, the through holes comprising sidewalls and bottom walls. A metallic conductor is deposited in the through holes to form a plurality of through-silicon vias.

摘要翻译： 通过硅通孔的制造方法包括通过使用其间的粘合剂层将硅板的前表面粘合到载体上来形成基板，以暴露硅板的背面。 氮化硅钝化层沉积在衬底的硅板的暴露的背面上。 在硅板中蚀刻多个通孔，通孔包括侧壁和底壁。 金属导体沉积在通孔中以形成多个通硅通孔。

公开(公告)号：US20110136327A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12824032

申请日：2010-06-25

申请人： Xinhai Han ,  Nagarajan Rajagopalan ,  Ji Ae Park ,  Bencherki Mebarki ,  Heung Lak Park ,  Bok Hoen Kim

发明人： Xinhai Han ,  Nagarajan Rajagopalan ,  Ji Ae Park ,  Bencherki Mebarki ,  Heung Lak Park ,  Bok Hoen Kim

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L21/203

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/868

摘要： Methods of forming high-current density vertical p-i-n diodes on a substrate are described. The methods include the steps of concurrently combining a group-IV-element-containing precursor with a sequential exposure to an n-type dopant precursor and a p-type dopant precursor in either order. An intrinsic layer is deposited between the n-type and p-type layers by reducing or eliminating the flow of the dopant precursors while flowing the group-IV-element-containing precursor. The substrate may reside in the same processing chamber during the deposition of each of the n-type layer, intrinsic layer and p-type layer and the substrate is not exposed to atmosphere between the depositions of adjacent layers.

摘要翻译： 描述了在衬底上形成高电流密度垂直p-i-n二极管的方法。 这些方法包括以下步骤：以含有IV族元素的前体和依次暴露于n型掺杂剂前体和p型掺杂剂前体的任一顺序同时组合。 通过在流过含IV族元素的前体的同时减少或消除掺杂剂前体的流动，在n型和p型层之间沉积本征层。 在沉积n型层，本征层和p型层期间，衬底可以驻留在相同的处理室中，并且衬底在相邻层的沉积之间不暴露于大气中。

公开(公告)号：US20080178797A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11668947

申请日：2007-01-30

申请人： MARK A. FODOR ,  Sophia M. Velastegui ,  Bok Hoen Kim ,  Dale R. DuBois

发明人： MARK A. FODOR ,  Sophia M. Velastegui ,  Bok Hoen Kim ,  Dale R. DuBois

IPC分类号： B05C11/00

CPC分类号： C23C16/46

摘要： A heater liner assembly suitable for covering the interior of a plasma processing chamber is provided. In some embodiments, a liner assembly for a processing chamber can include a heating element embedded in a body. A flange extending outward from an outer diameter of the body includes an upper surface having a sealing surface and at least one pad that extends from the upper surface of the flange to an elevation beyond the sealing surface. The pad contributes to control of the temperature of the liner assembly by maintaining the liner assembly spaced apart from the processing chamber.

摘要翻译： 提供一种适用于覆盖等离子体处理室内部的加热器衬套组件。 在一些实施例中，用于处理室的衬套组件可以包括嵌入在主体中的加热元件。 从主体的外径向外延伸的凸缘包括具有密封表面的上表面和从凸缘的上表面延伸到超过密封表面的高度的至少一个垫。 衬垫有助于通过保持衬套组件与处理室间隔开来控制衬套组件的温度。

公开(公告)号：US07399364B2

公开(公告)日：2008-07-15

申请号：US11423586

申请日：2006-06-12

申请人： Vu Ngoc Tran Nguyen ,  Bok Hoen Kim ,  Kang Sub Yim

发明人： Vu Ngoc Tran Nguyen ,  Bok Hoen Kim ,  Kang Sub Yim

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76831 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829

摘要： A method of forming a cap layer over a dielecrtic layer on a substrate including forming a plasma from a process gas including oxygen and tetraethoxysilane, and depositing the cap layer on the dielectric layer, where the cap layer comprises a thickness of about 600 Å or less, and a compressive stress of about 200 MPa or more. Also, a method of forming a cap layer over a dielectric layer on a substrate including forming a process gas by flowing together about 200 mgm to about 8000 mgm of tetraethoxysilane, about 2000 to about 20000 sccm of oxygen (O2), and about 2000 sccm to about 20000 sccm of carrier gas, generating a plasma from the process gas, where one or more RF generators supply about 50 watts to about 100 watts of low frequency RF power to the plasma, and about 100 watts to about 600 watts of high frequency RF power to the plasma, and depositing the cap layer on the dielectric layer.

摘要翻译： 一种在衬底上的薄层上形成覆盖层的方法，包括由包括氧和四乙氧基硅烷的工艺气体形成等离子体，以及将所述覆盖层沉积在所述电介质层上，其中所述覆盖层包含约600或更小的厚度 ，压缩应力为200MPa以上。 另外，在衬底上的电介质层上形成覆盖层的方法，包括通过将约200mgm至约8000mgm的四乙氧基硅烷流动而形成工艺气体，约2000至约200sccm的氧（O 2） SUB>）和约2000sccm至约20000sccm的载气，从处理气体产生等离子体，其中一个或多个RF发生器为等离子体提供约50瓦到约100瓦的低频RF功率，并且约100 瓦特到等离子体的大约600瓦的高频RF功率，并且将覆盖层沉积在电介质层上。

公开(公告)号：US20080050932A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11508545

申请日：2006-08-23

申请人： Annamalai Lakshmanan ,  Vu NT Nguyen ,  Sohyun Park ,  Ganesh Balasubramanian ,  Steven Reiter ,  Tsutomu Kiyohara ,  Francimar Schmitt ,  Bok Hoen Kim

发明人： Annamalai Lakshmanan ,  Vu NT Nguyen ,  Sohyun Park ,  Ganesh Balasubramanian ,  Steven Reiter ,  Tsutomu Kiyohara ,  Francimar Schmitt ,  Bok Hoen Kim

IPC分类号： H01L21/473

CPC分类号： C23C16/4404 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185

摘要： The present invention generally provides an apparatus and method for reducing defects on films deposited on semiconductor substrates. One embodiment of the present invention provides a method for depositing a film on a substrate. The method comprises treating the substrate with a first plasma configured to reduce pre-existing defects on the substrate, and depositing a film comprising silicon and carbon on the substrate by applying a second plasma generated from at least one precursor and at least one reactant gas.

摘要翻译： 本发明通常提供一种用于减少沉积在半导体衬底上的薄膜上的缺陷的装置和方法。 本发明的一个实施方案提供了一种在基材上沉积膜的方法。 该方法包括用配置成减少衬底上预先存在的缺陷的第一等离子体处理衬底，以及通过施加由至少一种前体和至少一种反应气体产生的第二等离子体将包含硅和碳的膜沉积在衬底上。

公开(公告)号：US07091137B2

公开(公告)日：2006-08-15

申请号：US10888110

申请日：2004-07-09

申请人： Albert Lee ,  Annamalai Lakshmanan ,  Bok Hoen Kim ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek Le

发明人： Albert Lee ,  Annamalai Lakshmanan ,  Bok Hoen Kim ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek Le

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

摘要： Methods and apparatus are provided for processing a substrate with a bilayer barrier layer. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including depositing a nitrogen containing barrier layer on a substrate surface and then depositing a nitrogen free barrier layer thereon. The barrier layer may be deposited over dielectric materials, conductive materials, or both. The bilayer barrier layer may also be used as an etch stop, an anti-reflective coating, or a passivation layer.

摘要翻译： 提供了用于处理具有双层阻挡层的衬底的方法和装置。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括在衬底表面上沉积含氮阻挡层，然后在其上沉积无氮阻挡层。 阻挡层可以沉积在电介质材料，导电材料或两者上。 双层阻挡层也可以用作蚀刻停止层，抗反射涂层或钝化层。