公开(公告)号：US08575587B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US13236793

申请日：2011-09-20

申请人： Koji Asakawa ,  Shigeki Hattori ,  Hideyuki Nishizawa ,  Satoshi Mikoshiba ,  Reika Ichihara ,  Masaya Terai

发明人： Koji Asakawa ,  Shigeki Hattori ,  Hideyuki Nishizawa ,  Satoshi Mikoshiba ,  Reika Ichihara ,  Masaya Terai

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L51/0591 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/77

摘要： A storage device includes: a plurality of first electrode wirings; a plurality of second electrode wirings which cross the first electrode wirings; a via plug which is formed between the second electrode wiring and the two adjacent first electrode wirings, and in which a maximum diameter of a bottom surface opposing the first electrode wirings in a direction vertical to a direction in which the first electrode wirings stretch is smaller than a length corresponding to a pitch of the first electrode wiring plus a width of the first electrode wirings; a first storage element which is formed between the via plug and one of the two first electrode wirings; and a second storage element which is formed between the via plug and the other one of the two first electrode wirings.

摘要翻译： 存储装置包括：多个第一电极布线; 与第一电极布线交叉的多个第二电极布线; 形成在所述第二电极布线和所述两个相邻的第一电极布线之间的通孔塞，其中与所述第一电极布线相反的方向上的与所述第一电极相对的底面的最大直径在与所述第一电极布线拉伸的方向垂直的方向上布线的最大直径较小 比对应于第一电极布线的间距加上第一电极布线的宽度的长度; 第一存储元件，其形成在所述通孔插头和所述两个第一电极布线中的一个之间; 以及第二存储元件，其形成在所述通孔插头和所述两个第一电极布线中的另一个之间。

公开(公告)号：US20130248962A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13602523

申请日：2012-09-04

申请人： Misako Morota ,  Hideyuki Nishizawa ,  Shigeki Hattori ,  Masaya Terai ,  Koji Asakawa

发明人： Misako Morota ,  Hideyuki Nishizawa ,  Shigeki Hattori ,  Masaya Terai ,  Koji Asakawa

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/788 ,  G11C13/0014 ,  G11C2213/18 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0591

摘要： A nonvolatile semiconductor memory device of an embodiment includes: a semiconductor layer; an organic molecular layer formed on the semiconductor layer, the organic molecular layer including a plurality of organic molecules, each of the organic molecules includes a tunnel insulating unit of alkyl chain having one end bonded to the semiconductor layer, a charge storing unit, and a bonding unit configured to bond the other end of the alkyl chain to the charge storing unit; a block insulating film formed on the organic molecular layer; and a gate electrode formed on the block insulating film.

摘要翻译： 实施例的非易失性半导体存储器件包括：半导体层; 形成在所述半导体层上的有机分子层，所述有机分子层包含多个有机分子，所述有机分子中的每一个包括具有与所述半导体层接合的一端的烷基链的隧道绝缘单元，电荷存储单元和 接合单元，被配置为将所述烷基链的另一端键合到所述电荷存储单元; 形成在有机分子层上的块绝缘膜; 以及形成在所述块绝缘膜上的栅电极。

公开(公告)号：US20130242670A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13601539

申请日：2012-08-31

申请人： Shigeki Hattori ,  Masakazu Yamagiwa ,  Masaya Terai ,  Hideyuki Nishizawa ,  Koji Asakawa ,  Yoshiaki Fukuzumi

发明人： Shigeki Hattori ,  Masakazu Yamagiwa ,  Masaya Terai ,  Hideyuki Nishizawa ,  Koji Asakawa ,  Yoshiaki Fukuzumi

IPC分类号： H01L29/788 ,  G11C16/04

CPC分类号： H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

摘要： A nonvolatile semiconductor storage device includes a semiconductor layer, a first insulating film formed on the semiconductor layer, a charge storage layer formed on the first insulating film and having fine metal grains, a second insulating film formed on the charge storage layer, and a gate electrode formed on the second insulating film. During a write operation, a differential voltage is applied across the gate electrode and the semiconductor layer to place the gate electrode at a lower voltage than the semiconductor layer and cause a positive electric charge to be stored in the charge storage layer.

摘要翻译： 非易失性半导体存储装置包括半导体层，形成在半导体层上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上并具有细金属颗粒的电荷存储层，形成在电荷存储层上的第二绝缘膜和栅极 电极形成在第二绝缘膜上。 在写入操作期间，在栅极电极和半导体层两端施加差分电压，以使栅极电极位于比半导体层低的电压下，并将正电荷存储在电荷存储层中。

公开(公告)号：US20130169217A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13807671

申请日：2011-06-13

申请人： Kazunori Watanabe ,  Koji Asakawa ,  Seiichi Iwao

发明人： Kazunori Watanabe ,  Koji Asakawa ,  Seiichi Iwao

IPC分类号： H02J7/00

CPC分类号： H02J7/0047 ,  H01M10/44 ,  H01M10/488 ,  H02J7/0077 ,  H02J2007/0049

摘要： Under a control by a controller (14), a rechargeable electric device makes a full charge display to display on a display unit (15) that a secondary battery (11) is fully charged, after a start of charging the secondary battery (11) in a case where either when a count value of a counter reaches a first predetermined value (C1) corresponding to the full charge of the secondary battery (11), or when a duty ratio of switching signals which make an on/off control of a switching element (131) becomes smaller than or equal to a predetermined value (D) corresponding to the charge current obtained at a time of the full charge of the secondary battery (11).

摘要翻译： 在控制器（14）的控制下，在二次电池（11）开始充电之后，可再充电电子装置进行充满电显示，以在二次电池（11）完全充电的显示单元（15）上显示， 在计数器的计数值达到与二次电池（11）的全部电荷对应的第一预定值（C1）的情况下，或当对二次电池（11）的开/关控制的开关信号的占空比 开关元件（131）变得小于或等于对应于在二次电池（11）的完全充电时获得的充电电流的预定值（D）。

公开(公告)号：US20130162377A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13702879

申请日：2011-09-12

申请人： Shinichiro Ando ,  Koji Asakawa ,  Akifumi Sato ,  W. P. Hemantha Desilva ,  Tomoo Yamazaki

发明人： Shinichiro Ando ,  Koji Asakawa ,  Akifumi Sato ,  W. P. Hemantha Desilva ,  Tomoo Yamazaki

IPC分类号： H01H71/10

CPC分类号： H01H71/0207 ,  H01H9/342 ,  H01H73/04 ,  H01H77/104 ,  H01H77/108 ,  H01H2077/025

摘要： A molded case housing each part is configured of a case main body (54) and a cover (55) placed on an upper portion of the case main body, the case main body (54) is configured of a bottom portion case (56) that forms a bottom portion of a circuit breaker and an intermediate case (57), placed on an upper portion of the bottom portion case, having a dividing wall that blocks off a space between the intermediate case and the bottom portion case. A power source side terminal block (3) and second movable contact (4) are fitted inside the bottom portion case, and a first movable contact (5), the load side terminal block (9), the contact portion (52), and the arc extinguishing chamber (6) are fitted inside the intermediate case.

摘要翻译： 由壳体主体（54）和放置在壳体主体上部的盖（55）构成的壳体，其中，壳体主体（54）由底部壳体（56）构成， 形成断路器的底部和放置在底部壳体的上部的中间壳体（57），具有阻挡中间壳体和底部壳体之间的空间的分隔壁。 电源侧端子块（3）和第二可动触头（4）装配在底部壳体内，第一可动触头（5），负载侧端子块（9），接触部分（52）和 灭弧室（6）安装在中间壳体内。

公开(公告)号：US08450768B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US13335984

申请日：2011-12-23

申请人： Ryota Kitagawa ,  Koji Asakawa ,  Akira Fujimoto ,  Tsutomu Nakanishi ,  Eishi Tsutsumi

发明人： Ryota Kitagawa ,  Koji Asakawa ,  Akira Fujimoto ,  Tsutomu Nakanishi ,  Eishi Tsutsumi

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L2933/0091

摘要： The present invention provides a semiconductor light-emitting element comprising an electrode part excellent in ohmic contact and capable of emitting light from the whole surface. An electrode layer placed on the light-extraction side comprises a metal part and plural openings. The metal part is so continuous that any pair of point-positions in the part is continuously connected without breaks, and the metal part in 95% or more of the whole area continues linearly without breaks by the openings in a straight distance of not more than ⅓ of the wavelength of light emitted from an active layer. The average opening diameter is of 10 nm to ⅓ of the wavelength of emitted light. The electrode layer has a thickness of 10 nm to 200 nm, and is in good ohmic contact with a semiconductor layer.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体发光元件，其包括欧姆接触性优异且能够从整个表面发光的电极部。 放置在光提取侧的电极层包括金属部分和多个开口。 金属部分是连续的，使得零件中的任何一个点位置连续地连接而不断裂，并且整个区域的95％或更多的金属部分在直线上不间断地继续直线而不断裂，直线距离不大于 从活性层发射的光的1/3。 平均开口直径为发射光波长的10nm至1/3。 电极层的厚度为10nm〜200nm，与半导体层良好的欧姆接触。

公开(公告)号：US08394877B2

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：US13278904

申请日：2011-10-21

申请人： Koji Asakawa ,  Toshiro Hiraoka ,  Yoshihiro Akasaka ,  Yasuyuki Hotta

发明人： Koji Asakawa ,  Toshiro Hiraoka ,  Yoshihiro Akasaka ,  Yasuyuki Hotta

IPC分类号： C08K5/07 ,  C08K5/101 ,  C08F220/06

CPC分类号： C08J9/26 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C03C17/007 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/479 ,  C03C2218/33 ,  C08J2333/12 ,  C08J2383/16 ,  C23F1/30 ,  G03F7/0002 ,  G11B5/74 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855 ,  G11B2005/0029 ,  H01G11/30 ,  H01G11/56 ,  H01J9/02 ,  H01J9/025 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31695 ,  H01M2/145 ,  H01M2/1653 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/8605 ,  H01M4/96 ,  H01M8/0234 ,  H01M8/0245 ,  H01M8/026 ,  H01M8/1011 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/13 ,  Y02E60/523 ,  Y02P70/56 ,  Y10S438/945 ,  Y10S438/947 ,  Y10S977/90 ,  Y10T428/24149

摘要： A pattern forming material contains a block copolymer or graft copolymer and forms a structure having micro polymer phases, in which, with respect to at least two polymer chains among polymer chains constituting the block copolymer or graft copolymer, the ratio between N/(Nc−No) values of monomer units constituting respective polymer chains is 1.4 or more, where N represents total number of atoms in the monomer unit, Nc represents the number of carbon atoms in the monomer unit, No represents the number of oxygen atoms in the monomer unit.

摘要翻译： 图案形成材料含有嵌段共聚物或接枝共聚物，并形成具有微聚合物相的结构，其中，关于构成嵌段共聚物或接枝共聚物的聚合物链中的至少两个聚合物链，N /（Nc- 否）构成各聚合物链的单体单元的值为1.4以上，其中N表示单体单元中的总原子数，Nc表示单体单元中的碳原子数，No表示单体单元中的氧原子数 。

公开(公告)号：US08357557B2

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US12717537

申请日：2010-03-04

申请人： Akira Fujimoto ,  Ryota Kitagawa ,  Koji Asakawa ,  Hidefumi Yasuda ,  Yasuhiko Akaike ,  Takeyuki Suzuki

发明人： Akira Fujimoto ,  Ryota Kitagawa ,  Koji Asakawa ,  Hidefumi Yasuda ,  Yasuhiko Akaike ,  Takeyuki Suzuki

IPC分类号： H01L33/54

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/005

摘要： One aspect of the present invention provides a semiconductor light-emitting device improved in luminance, and also provides a process for production thereof. The process comprises a procedure of forming a relief structure on the light-extraction surface of the device by use of a self-assembled film. In that procedure, the light-extraction surface is partly covered with a protective film so as to protect an area for an electrode to be formed therein. The electrode is then finally formed there after the procedure. The process thus reduces the area incapable, due to thickness of the electrode, of being provided with the relief structure. Between the electrode and the light-extraction surface, a contact layer is formed so as to establish ohmic contact between them.

摘要翻译： 本发明的一个方面提供了一种提高亮度的半导体发光器件，并且还提供了其生产方法。 该方法包括通过使用自组装膜在装置的光提取表面上形成浮雕结构的步骤。 在该过程中，光提取表面部分地被保护膜覆盖，以保护其中形成电极的区域。 然后在程序之后最后形成电极。 该方法因此减小了由于电极的厚度而不能设置有浮雕结构的区域。 在电极和光提取表面之间，形成接触层以在它们之间建立欧姆接触。

公开(公告)号：US20120187414A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13439895

申请日：2012-04-05

申请人： Akira Fujimoto ,  Ryota Kitagawa ,  Koji Asakawa ,  Hidefumi Yasuda ,  Yasuhiko Akaike ,  Takeyuki Suzuki

发明人： Akira Fujimoto ,  Ryota Kitagawa ,  Koji Asakawa ,  Hidefumi Yasuda ,  Yasuhiko Akaike ,  Takeyuki Suzuki

IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/30

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/005

摘要： One aspect of the present invention provides a semiconductor light-emitting device improved in luminance, and also provides a process for production thereof. The process comprises a procedure of forming a relief structure on the light-extraction surface of the device by use of a self-assembled film. In that procedure, the light-extraction surface is partly covered with a protective film so as to protect an area for an electrode to be formed therein. The electrode is then finally formed there after the procedure. The process thus reduces the area incapable, due to thickness of the electrode, of being provided with the relief structure. Between the electrode and the light-extraction surface, a contact layer is formed so as to establish ohmic contact between them.

摘要翻译： 本发明的一个方面提供了一种提高亮度的半导体发光器件，并且还提供了其生产方法。 该方法包括通过使用自组装膜在装置的光提取表面上形成浮雕结构的步骤。 在该过程中，光提取表面部分地被保护膜覆盖，以保护其中形成电极的区域。 然后在程序之后最后形成电极。 该方法因此减小了由于电极的厚度而不能设置有浮雕结构的区域。 在电极和光提取表面之间，形成接触层以在它们之间建立欧姆接触。

公开(公告)号：US20120097640A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13319928

申请日：2010-05-12

申请人： Koji Asakawa ,  Ryota Kitagawa ,  Akira Fujimoto ,  Yoshiaki Shirae ,  Tomohiro Yorisue ,  Akihiko Ikeda

发明人： Koji Asakawa ,  Ryota Kitagawa ,  Akira Fujimoto ,  Yoshiaki Shirae ,  Tomohiro Yorisue ,  Akihiko Ikeda

IPC分类号： C03C25/68 ,  C08L33/12 ,  C08K5/101 ,  B05D5/06 ,  C08K5/1535 ,  C08K5/07 ,  C08L25/06 ,  C08L53/00 ,  C08K5/3415

CPC分类号： C08L33/06 ,  C08F220/14 ,  C08F297/02 ,  C08L25/06 ,  C08L35/06 ,  C08L53/00 ,  C08L2205/03 ,  G03F7/0002 ,  H01L2933/0091 ,  C08L2666/02 ,  C08F212/08

摘要： Disclosed are: a resin composition for pattern formation, which enables the stable formation of a pattern at a level of the wavelength of light; a method for forming a pattern having a sea-island structure using the composition; and a process for producing a light-emitting element that can achieve high luminous efficiency properties. The resin composition for pattern formation comprises: (a) a specific block copolymer containing an aromatic ring-containing polymer and a poly(meth)acrylate as block moieties; (b) a homopolymer of a specific aromatic ring-containing polymer; and (c) a homopolymer of a specific poly(meth)acrylate, wherein the ratio of the total amount of the aromatic ring-containing homopolymer (b) and the poly(meth)acrylate homopolymer (c) relative to the entire resin composition is 0% by weight to 90% by weight, and the total amount of an aromatic ring-containing polymer moiety contained in the block copolymer (a) as a block moiety and the aromatic ring-containing homopolymer (b) relative to the entire resin composition is 10% by weight to 60% by weight.

摘要翻译： 公开了一种用于图案形成的树脂组合物，其能够在光的波长水平上稳定地形成图案; 使用该组合物形成具有海岛结构的图案的方法; 以及能够实现高发光效率的发光元件的制造方法。 用于图案形成的树脂组合物包括：（a）含有含芳环的聚合物和聚（甲基）丙烯酸酯作为嵌段部分的特定嵌段共聚物; （b）特定含芳环聚合物的均聚物; 和（c）特定聚（甲基）丙烯酸酯的均聚物，其中所述含芳环的均聚物（b）和聚（甲基）丙烯酸酯均聚物（c）的总量相对于整个树脂组合物的比例为 0重量％〜90重量％，作为嵌段部分的嵌段共聚物（a）中含有的含芳香环的聚合物部分和含芳环的均聚物（b）相对于树脂组合物的总量 为10重量％〜60重量％。