公开(公告)号：US20080179607A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US12001227

申请日：2007-12-11

申请人： Steven P. DenBaars ,  Mathew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Steven P. DenBaars ,  Mathew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/34333

摘要： An (Al, Ga, In)N light emitting device, such as a light emitting diode (LED), in which high light generation efficiency is realized by fabricating the device on non-polar or semi-polar III-Nitride crystal geometries. Because non-polar and semi-polar emitting devices have significantly lower piezoelectric effects than c-plane emitting devices, higher efficiency emitting devices at higher current densities can be realized.

摘要翻译： 一种（Al，Ga，In）N发光器件，例如发光二极管（LED），其中通过以非极性或半极性III氮化物晶体几何形状制造器件来实现高发光效率。 因为非极性和半极性发射器件具有比c面发射器件显着更低的压电效应，所以可以实现在更高电流密度下的更高效率的发射器件。

公开(公告)号：US20080042121A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US11840057

申请日：2007-08-16

申请人： Michael Iza ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Michael Iza ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for growing an improved quality device by depositing a low temperature (LT) magnesium (Mg) doped nitride semiconductor thin film. The low temperature Mg doped nitride semiconductor thin film may have a thickness greater than 50 nm. A multi quantum well (MQW) active layer may be grown at a growth temperature and the LT Mg doped nitride semiconductor thin film may deposited on the MQW active layer at a substrate temperature no greater than 150° C. above the growth temperature.

摘要翻译： 通过沉积低温（LT）镁（Mg）掺杂的氮化物半导体薄膜来生长改进的质量器件的方法。 低温Mg掺杂的氮化物半导体薄膜可以具有大于50nm的厚度。 可以在生长温度下生长多量子阱（MQW）有源层，并且在高于生长温度的衬底温度不超过150℃的温度下，可以将LT Mg掺杂氮化物半导体薄膜沉积在MQW有源层上。

公开(公告)号：US09077151B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US13041120

申请日：2011-03-04

申请人： Po Shan Hsu ,  Kathryn M. Kelchner ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Haeger ,  Hiroaki Ohta ,  Anurag Tyagi ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  S. James Speck

发明人： Po Shan Hsu ,  Kathryn M. Kelchner ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Haeger ,  Hiroaki Ohta ,  Anurag Tyagi ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  S. James Speck

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02 ,  H01S5/343 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/30 ,  H01S5/34

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0735 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3404 ,  H01S2304/04

摘要： An optoelectronic device grown on a miscut of GaN, wherein the miscut comprises a semi-polar GaN crystal plane (of the GaN) miscut x degrees from an m-plane of the GaN and in a c-direction of the GaN, where −15

摘要翻译： 在杂交GaN上生长的光电子器件，其中杂交包括GaN的半极性GaN晶体平面（从GaN的m面）和GaN的c方向偏离x度，其中-15

公开(公告)号：US08790943B2

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：US13593340

申请日：2012-08-23

申请人： Daniel A. Cohen ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Daniel A. Cohen ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01S5/3013 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2054 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3214 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

摘要： A method of fabricating an (Al,Ga,In)N laser diode, comprising depositing one or more III-N layers upon a growth substrate at a first temperature, depositing an indium containing laser core at a second temperature upon layers deposited at a first temperature, and performing all subsequent fabrication steps under conditions that inhibit degradation of the laser core, wherein the conditions are a substantially lower temperature than the second temperature.

摘要翻译： 一种制造（Al，Ga，In）N激光二极管的方法，包括在第一温度下在生长衬底上沉积一个或多个III-N层，在第一温度下沉积含有铟的激光芯， 温度，并且在抑制激光芯的退化的条件下执行所有随后的制造步骤，其中所述条件是比所述第二温度明显更低的温度。

公开(公告)号：US08541869B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US12030099

申请日：2008-02-12

申请人： Shuji Nakamura ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Anurag Tyagi

发明人： Shuji Nakamura ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Anurag Tyagi

IPC分类号： H01L33/16

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3216

摘要： A III-nitride edge-emitting laser diode is formed on a surface of a III-nitride substrate having a semipolar orientation, wherein the III-nitride substrate is cleaved by creating a cleavage line along a direction substantially perpendicular to a nonpolar orientation of the III-nitride substrate, and then applying force along the cleavage line to create one or more cleaved facets of the III-nitride substrate, wherein the cleaved facets have an m-plane or a-plane orientation.

摘要翻译： 在具有半极性取向的III族氮化物衬底的表面上形成III族氮化物边缘发射激光二极管，其中通过沿着基本上垂直于III的非极性取向的方向产生裂解线来切割III族氮化物衬底 氮化物衬底，然后沿着切割线施加力以产生III族氮化物衬底的一个或多个切割面，其中所述切割面具有m面或平面取向。

公开(公告)号：US08410490B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US11983515

申请日：2007-11-09

申请人： Steven P. Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  Max Batres

发明人： Steven P. Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  Max Batres

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/145 ,  H01L33/22 ,  H01L33/405

摘要： An LED having a p-type layer of material with an associated p-contact, an n-type layer of material with an associated n-contact and an active region between the p-type layer and the n-type layer, includes a confinement structure that is formed within one of the p-type layer of material and the n-type layer of material. The confinement structure is generally aligned with the contact on the top and primary emission surface of the LED and substantially prevents the emission of light from the area of the active region that is coincident with the area of the confinement structure and the top-surface contact. The LED may include a roughened emitting-side surface to further enhance light extraction.

公开(公告)号：US08294166B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US11954154

申请日：2007-12-11

申请人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Hirokuni Asamizu

发明人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Hirokuni Asamizu

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/62 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  H01L33/22 ,  H01L33/387 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A transparent light emitting diode (LED) includes a plurality of III-nitride layers, including an active region that emits light, wherein all of the layers except for the active region are transparent for an emission wavelength of the light, such that the light is extracted effectively through all of the layers and in multiple directions through the layers. Moreover, the surface of one or more of the III-nitride layers may be roughened, textured, patterned or shaped to enhance light extraction.

摘要翻译： 透明发光二极管（LED）包括多个III族氮化物层，包括发射光的有源区，除了有源区以外的所有层对于光的发射波长是透明的，使得光是 通过所有层有效提取，并在多个方向通过层提取。 此外，一个或多个III族氮化物层的表面可以被粗糙化，纹理化，图案化或成形以增强光提取。

公开(公告)号：US08278128B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12364272

申请日：2009-02-02

申请人： Hisashi Masui ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  Asako Hirai ,  Makoto Saito ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

发明人： Hisashi Masui ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  Asako Hirai ,  Makoto Saito ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/16

摘要： An off-axis cut of a nonpolar III-nitride wafer towards a polar (−c) orientation results in higher polarization ratios for light emission than wafers without such off-axis cuts. A 5° angle for an off-axis cut has been confirmed to provide the highest polarization ratio (0.9) than any other examined angles for off-axis cuts between 0° and 27°.

摘要翻译： 非极性III族氮化物晶片向极（-c）取向的偏轴切割导致比没有这种离轴切割的晶片更高的发光偏振比。 已经确认了用于离轴切割的5°角，以提供比在0°和27°之间的离轴切割的任何其它检查角度最高的偏振比（0.9）。

公开(公告)号：US20120161287A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13351514

申请日：2012-01-17

申请人： Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Benjamin A. Haskell ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Benjamin A. Haskell ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/12 ,  C30B25/18 ,  C30B25/02

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for growing a semi-polar nitride semiconductor thin film via metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on a substrate, wherein a nitride nucleation or buffer layer is grown on the substrate prior to the growth of the semi-polar nitride semiconductor thin film.

摘要翻译： 一种通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在衬底上生长半极性氮化物半导体薄膜的方法，其中在半极性氮化物半导体薄膜生长之前，在衬底上生长氮化物成核或缓冲层。

公开(公告)号：US08178373B2

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US12914906

申请日：2010-10-28

申请人： Mathew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  Hitsohi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Mathew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  Hitsohi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0075 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： A method of device growth and p-contact processing that produces improved performance for non-polar III-nitride light emitting diodes and laser diodes. Key components using a low defect density substrate or template, thick quantum wells, a low temperature p-type III-nitride growth technique, and a transparent conducting oxide for the electrodes.

摘要翻译： 一种器件生长和p接触处理的方法，其产生非极性III族氮化物发光二极管和激光二极管的改善的性能。 使用低缺陷密度衬底或模板的关键组件，厚量子阱，低温p型III族氮化物生长技术和用于电极的透明导电氧化物。