公开(公告)号：US20090261468A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12105837

申请日：2008-04-18

申请人： Werner Kroeninger ,  Josef Schwaiger ,  Ludwig Schneider ,  Ottmar Geitner ,  Markus Brunnbauer ,  Thorsten Meyer ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Xaver Schloegel

发明人： Werner Kroeninger ,  Josef Schwaiger ,  Ludwig Schneider ,  Ottmar Geitner ,  Markus Brunnbauer ,  Thorsten Meyer ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Xaver Schloegel

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/072 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor module. One embodiment provides at least two semiconductor chips placed on a carrier. The at least two semiconductor chips are then covered with a molding material to form a molded body. The molded body is thinned until the at least two semiconductor chips are exposed. Then, the carrier is removed from the at least two semiconductor chips. The at least two semiconductor chips are singulated.

摘要翻译： 半导体模块。 一个实施例提供放置在载体上的至少两个半导体芯片。 然后将至少两个半导体芯片用模制材料覆盖以形成模制体。 成型体变薄，直到暴露出至少两个半导体芯片。 然后，从至少两个半导体芯片移除载体。 将至少两个半导体芯片分割。

公开(公告)号：US20090045511A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US11839129

申请日：2007-08-15

申请人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Stephan Bradl

发明人： Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Stephan Bradl

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/013

摘要： An integrated circuit includes a substrate including a contact pad, a redistribution line coupled to the contact pad, and a dielectric material layer between the substrate and the redistribution line. The integrated circuit includes a solder ball coupled to the redistribution line and a parylene material layer sealing the dielectric material layer and the redistribution line.

摘要翻译： 集成电路包括包括接触焊盘，耦合到接触焊盘的再分配线以及衬底和再分配线之间的介电材料层的衬底。 集成电路包括耦合到再分配线的焊球和密封介电材料层和再分配线的聚对二甲苯材料层。

公开(公告)号：US20080135977A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11614579

申请日：2006-12-21

申请人： Thorsten Meyer ,  Bernd Waidhas ,  Markus Brunnbauer ,  Grit Sommer ,  Thomas Wagner

发明人： Thorsten Meyer ,  Bernd Waidhas ,  Markus Brunnbauer ,  Grit Sommer ,  Thomas Wagner

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L23/645 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： Semiconductor element having a semiconductor chip and a passive component, as well as a method for its productionThe invention relates to a semiconductor component (1) having a semiconductor chip (2), and a passive component (3), with the semiconductor component (1) having a coil (6) as the passive component (3). The semiconductor chip (2) and the passive component (3) are embedded in a plastic encapsulation compound (4) with connection elements to external contacts (31).

摘要翻译： 具有半导体芯片和无源元件的半导体元件及其制造方法本发明涉及具有半导体芯片（2）的半导体元件（1）和具有半导体元件（2）的无源元件（3） 1）具有线圈（6）作为被动部件（3）。 将半导体芯片（2）和无源部件（3）嵌入塑料封装化合物（4）中，其中连接元件连接到外部触点（31）。

公开(公告)号：US07339237B2

公开(公告)日：2008-03-04

申请号：US11261246

申请日：2005-10-28

申请人： Thorsten Meyer

发明人： Thorsten Meyer

IPC分类号： H01L27/01 ,  H01L27/12 ,  H01L31/0392 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7813

摘要： A power transistor has a semiconductor volume including a plurality of transistor cells connected in parallel, a laterally oriented, highly conductive semiconductor layer buried below the transistor cells in the semiconductor volume, and at least one connection, via which the buried semiconductor layer can be contact-connected from the top side of the power transistor. At least one connection is formed within a trench extending from the top side of the power transistor towards the buried semiconductor layer.

摘要翻译： 功率晶体管具有包括并联连接的多个晶体管单元的半导体体积，埋在半导体体积中的晶体管单元下面的横向取向的高导电半导体层，以及至少一个连接，通过该至少一个连接，埋入的半导体层可以通过其接触 从功率晶体管的顶端连接。 在从功率晶体管的顶侧向掩埋半导体层延伸的沟槽内形成至少一个连接。

公开(公告)号：US20070249102A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11738213

申请日：2007-04-20

申请人： Markus Brunnbauer ,  Edward Fuergut ,  Thorsten Meyer

发明人： Markus Brunnbauer ,  Edward Fuergut ,  Thorsten Meyer

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： A panel and a semiconductor device, in one embodiment composed of a composite plate with semiconductor chips and plastic housing composition and to a method for producing the same is disclosed. The embodiments include a wiring structure with interconnects and dielectric layers composed of a low-k dielectric is arranged on the top side of the composite plate.

摘要翻译： 公开了一种面板和半导体器件，在一个实施例中，由具有半导体芯片的复合板和塑料外壳组成构成，以及其制造方法。 这些实施例包括具有互连的布线结构和由低k电介质构成的电介质层布置在复合板的顶侧上。

公开(公告)号：US07274107B2

公开(公告)日：2007-09-25

申请号：US11038465

申请日：2005-01-21

申请人： Harry Hedler ,  Thorsten Meyer ,  Andreas Wolter

发明人： Harry Hedler ,  Thorsten Meyer ,  Andreas Wolter

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/50 ,  H01L23/04 ,  H01L23/13 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： The present invention relates to semiconductor devices. According to the present invention a semiconductor device is described, comprising: a substrate for carrying a semiconductor chip on a first surface of said substrate; said semiconductor chip being punctually attached to said substrate on said first surface of said substrate via a single attachment point; and means for protecting said semiconductor chip on said first surface of said substrate at least protecting said semiconductor chip laterally.

摘要翻译： 本发明涉及半导体器件。 根据本发明，描述了一种半导体器件，包括：用于在所述衬底的第一表面上承载半导体芯片的衬底; 所述半导体芯片通过单个连接点准时地附接到所述基板的所述第一表面上的所述基板; 以及用于保护所述衬底的所述第一表面上的所述半导体芯片至少保护所述半导体芯片的装置。

公开(公告)号：US07247948B2

公开(公告)日：2007-07-24

申请号：US10836143

申请日：2004-04-30

申请人： Harry Hedler ,  Roland Irsigler ,  Thorsten Meyer

发明人： Harry Hedler ,  Roland Irsigler ,  Thorsten Meyer

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device has a semiconductor substrate, at least a first and second rewiring device on a first surface of the semiconductor substrate for the provision of an electrical contact-connection of the semiconductor substrate, and a tapering, continuous opening from a first surface to a second, opposite surface of the semiconductor substrate. At least a third and fourth rewiring device is disposed on the second surface of the semiconductor substrate and a patterned metallization on the side areas of the opening for the separate contact-connection of the first and at least the second rewiring device.

摘要翻译： 半导体器件具有半导体衬底，至少第一和第二重新布线装置在半导体衬底的第一表面上，用于提供半导体衬底的电接触连接，以及从第一表面到第二表面的渐缩连续的开口 第二，半导体衬底的相对表面。 至少第三和第四重新布线装置设置在半导体衬底的第二表面上，并且在开口的侧面区域上形成图案化金属化，用于第一和第二重新布线装置的单独接触连接。

公开(公告)号：US07208345B2

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：US11126392

申请日：2005-05-11

申请人： Thorsten Meyer ,  Harry Hedler

发明人： Thorsten Meyer ,  Harry Hedler

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A first reconstituted wafer is formed, followed by a first redistribution layer. In parallel, a second reconstituted wafer is formed. The second reconstituted wafer is diced along a gap such that individualized embedded chips are formed having tilted sidewalls defining an angle of more than 90 degrees with respect to the active surface of the reconstituted wafer. The embedded chips are placed with the backside on an active surface of the first reconstituted wafer on the first redistribution layer. Afterwards, a second redistribution layer is formed on the active surface of the embedded chips and tilted sidewalls wherein the second redistribution layer connects contact pads of the second chips with the first redistribution layer.

摘要翻译： 形成第一重构晶片，随后是第一再分配层。 平行地，形成第二重构晶片。 第二重构​​晶片沿着间隙被切割，使得个别化的嵌入式芯片形成为具有相对于重构的晶片的有效表面限定大于90度的角度的倾斜侧壁。 将嵌入式芯片的背面放置在第一再分配层上的第一重构晶片的有效表面上。 之后，在嵌入式芯片的有源表面和倾斜的侧壁上形成第二再分配层，其中第二再分配层将第二芯片的接触焊盘与第一再分布层连接。

公开(公告)号：US20050250304A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：US10642092

申请日：2003-08-15

申请人： Harry Hedler ,  Roland Irsigler ,  Thorsten Meyer ,  Barbara Vasquez

发明人： Harry Hedler ,  Roland Irsigler ,  Thorsten Meyer ,  Barbara Vasquez

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166

摘要： A method for fabricating an integrated circuit connection region includes application of a dielectric to an integrated circuit with a connection region, application of a corrodible metalization layer to the dielectric, application of a protection device to the metalization layer, and removal of the protection device in a region around the connection region.

摘要翻译： 一种用于制造集成电路连接区域的方法包括将电介质施加到具有连接区域的集成电路，向电介质施加可腐蚀金属化层，向金属化层施加保护装置，以及将保护装置移除到 连接区域周围的区域。

公开(公告)号：US06905954B2

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：US10634242

申请日：2003-08-05

申请人： Harry Hedler ,  Thorsten Meyer ,  Barbara Vasquez

发明人： Harry Hedler ,  Thorsten Meyer ,  Barbara Vasquez

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L23/498 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： The present invention provides a method for producing a semiconductor device, with the steps of: applying an interconnect level (11, 12) to a semiconductor substrate (10); structuring the interconnect level (12); and applying a solder layer (13) on the structured interconnect level (11, 12) in such a way that the solder layer (13) assumes the structure of the interconnect level (11, 12). The present invention likewise provides such a semiconductor device.

摘要翻译： 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括：向半导体衬底（10）施加互连电平（11,12）。 构造互连级别（12）; 以及将所述焊料层（13）施加在所述结构化互连层（11,12）上，使得所述焊料层（13）呈现所述互连层（11,12）的结构。 本发明同样提供了这种半导体器件。