公开(公告)号：US20120146133A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13288271

申请日：2011-11-03

申请人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Hermann Gruber ,  Hubert Rothleitner ,  Andreas Peter Melser

发明人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Hermann Gruber ,  Hubert Rothleitner ,  Andreas Peter Melser

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： A method for producing a semiconductor component is provided. The method includes providing a semiconductor body with a first surface and a second surface opposite to the first surface, etching an insulation trench from the first surface partially into the semiconductor body, forming a first insulation layer on one or more sidewalls of the insulation trench, processing the second surface by at least one of grinding, polishing and a CMP-process to expose the first insulation layer, and depositing on the processed second surface a second insulation layer which extends to the first insulation layer.

摘要翻译： 提供一种半导体元件的制造方法。 该方法包括：提供具有与第一表面相对的第一表面和第二表面的半导体本体，将绝缘沟槽从第一表面部分地蚀刻到半导体本体中，在绝缘沟槽的一个或多个侧壁上形成第一绝缘层， 通过研磨，抛光和CMP工艺中的至少一个来处理第二表面以暴露第一绝缘层，以及在经处理的第二表面上沉积延伸到第一绝缘层的第二绝缘层。

公开(公告)号：US09396997B2

公开(公告)日：2016-07-19

申请号：US13288271

申请日：2011-11-03

申请人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Hermann Gruber ,  Hubert Rothleitner ,  Andreas Peter Meiser

发明人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Hermann Gruber ,  Hubert Rothleitner ,  Andreas Peter Meiser

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/00 ,  H01L27/088 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： A method for producing a semiconductor component is provided. The method includes providing a semiconductor body with a first surface and a second surface opposite to the first surface, etching an insulation trench from the first surface partially into the semiconductor body, forming a first insulation layer on one or more sidewalls of the insulation trench, processing the second surface by at least one of grinding, polishing and a CMP-process to expose the first insulation layer, and depositing on the processed second surface a second insulation layer which extends to the first insulation layer.

摘要翻译： 提供一种半导体元件的制造方法。 该方法包括：提供具有与第一表面相对的第一表面和第二表面的半导体本体，将绝缘沟槽从第一表面部分地蚀刻到半导体本体中，在绝缘沟槽的一个或多个侧壁上形成第一绝缘层， 通过研磨，抛光和CMP工艺中的至少一个来处理第二表面以暴露第一绝缘层，以及在经处理的第二表面上沉积延伸到第一绝缘层的第二绝缘层。

公开(公告)号：US09245760B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US12895664

申请日：2010-09-30

申请人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Hans-Joerg Timme ,  Franz Hirler ,  Francisco Javier Santos Rodriguez

发明人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Hans-Joerg Timme ,  Franz Hirler ,  Francisco Javier Santos Rodriguez

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/78 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/78 ,  H01L29/045 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7848

摘要： In one embodiment, a method of forming a semiconductor device includes forming a first porous semiconductor layer over a top surface of a substrate. A first epitaxial layer is formed over the first porous semiconductor layer. A circuitry is formed within and over the first epitaxial layer. The circuitry is formed without completely oxidizing the first epitaxial layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，形成半导体器件的方法包括在衬底的顶表面上形成第一多孔半导体层。 在第一多孔半导体层上形成第一外延层。 在第一外延层内和上方形成电路。 在不完全氧化第一外延层的情况下形成电路。

公开(公告)号：US08884360B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13404161

申请日：2012-02-24

申请人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor device includes a first contact in low Ohmic contact with a source region of the device and a first portion of a body region of the device formed in an active area of the device, and a second contact in low Ohmic contact with a second portion of the body region formed in a peripheral area of the device. The minimum width of the second contact at a first surface of the device is larger than the minimum width of the first contact at the first surface so that maximum current density during commutating the semiconductor device is reduced and thus the risk of device damage during hard commutating is also reduced.

摘要翻译： 半导体器件包括与器件的源极区域的低欧姆接触的第一接触和形成在器件的有源区域中的器件的体区的第一部分，以及与第二部分的低欧姆接触的第二接触 形成在装置的周边区域中的身体区域。 器件第一表面处的第二触点的最小宽度大于第一表面处的第一接触的最小宽度，使得在半导体器件的整流期间的最大电流密度降低，并且因此在硬整流期间器件损坏的风险 也减少了。

公开(公告)号：US20140001514A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13539944

申请日：2012-07-02

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Frank Kahlmann ,  Gerhard Miller

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Frank Kahlmann ,  Gerhard Miller

IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L29/66348 ,  H01L21/2205 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/102 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7428 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor device includes a device region. The device region includes at least one device region section including dopant atoms of a first doping type and with a first doping concentration of at least 1E16 cm−3 and dopant atoms of a second doping type and with a second doping concentration of at least 1E16 cm−3.

摘要翻译： 半导体器件包括器件区域。 器件区域包括至少一个器件区域部分，其包括第一掺杂类型的掺杂剂原子和具有至少1E16cm-3的第一掺杂浓度和第二掺杂类型的掺杂剂原子，并且具有至少1E16cm的第二掺杂浓度 -3。

公开(公告)号：US08461648B2

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US11996906

申请日：2006-07-27

申请人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

发明人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

IPC分类号： H01L29/732

CPC分类号： H01L29/7803 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component with a drift region and a drift control region. One embodiment includes a semiconductor body having a drift region of a first conduction type in the semiconductor body. A drift control region composed of a semiconductor material, which is arranged, at least in sections, is adjacent to the drift region in the semiconductor body. An accumulation dielectric is arranged between the drift region and the drift control region.

公开(公告)号：US20120256250A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13082679

申请日：2011-04-08

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Franz Hirler

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823487 ,  H01L27/0694 ,  H01L27/1207 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor component includes a sequence of layers, the sequence of layers including a first insulator layer, a first semiconductor layer disposed on the first insulator layer, a second insulator layer disposed on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer disposed on the second insulator layer. The semiconductor component also includes a plurality of devices at least partly formed in the first semiconductor layer. A first one of the plurality of devices is a power transistor formed in a first region of the first semiconductor layer and a first region of the second semiconductor layer. The first region of the first and second semiconductor layers are in electrical contact with one another through a first opening in the second insulator layer.

摘要翻译： 半导体部件包括一层层，所述层序列包括第一绝缘体层，设置在第一绝缘体层上的第一半导体层，设置在第一半导体层上的第二绝缘体层，以及设置在第二绝缘体层上的第二半导体层 绝缘体层。 半导体部件还包括至少部分地形成在第一半导体层中的多个器件。 多个器件中的第一个是在第一半导体层的第一区域和第二半导体层的第一区域中形成的功率晶体管。 第一和第二半导体层的第一区域通过第二绝缘体层中的第一开口彼此电接触。

公开(公告)号：US20120018856A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US12842488

申请日：2010-07-23

申请人： Joachim Weyers ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Joachim Weyers ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/22 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Disclosed is a method of forming a semiconductor device with drift regions of a first doping type and compensation regions of a second doping type, and a semiconductor device with drift regions of a first doping type and compensation regions of a second doping type.

摘要翻译： 公开了一种形成具有第一掺杂类型的漂移区和第二掺杂型的补偿区的半导体器件的方法，以及具有第一掺杂类型的漂移区和第二掺杂类型的补偿区的半导体器件。

公开(公告)号：US20110215858A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US12718381

申请日：2010-03-05

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H03K17/0412 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/739 ,  H03K17/0412

摘要： Disclosed is a method for controlling the recombination rate in the base region of a bipolar semiconductor component, and a bipolar semiconductor component.

摘要翻译： 公开了一种用于控制双极半导体部件和双极型半导体部件的基极区域中的复合率的方法。

公开(公告)号：US20110101451A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12984934

申请日：2011-01-05

申请人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Ralf Erichsen ,  Hans Weber ,  Oliver Haeberlen ,  Franz Hirler

发明人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Ralf Erichsen ,  Hans Weber ,  Oliver Haeberlen ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7804

摘要： A semiconductor component having a semiconductor body having a first and a second side, an edge and an edge region adjacent to the edge in a lateral direction is described.

摘要翻译： 描述了具有半导体本体的半导体部件，该半导体本体具有第一和第二侧面，边缘和与横向方向上的边缘相邻的边缘区域。