公开(公告)号：WO2007007458A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：PCT/JP2006/309093

申请日：2006-05-01

申请人： シャープ株式会社 ,  近間 義雅

发明人： 近間 義雅

IPC分类号： B32B37/00 ,  G02F1/1333 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L23/145 ,  G02F1/133305 ,  G02F2201/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H05K1/0366 ,  H05K3/0055 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/09581 ,  Y10T428/10 ,  Y10T428/24942 ,  H01L2924/00

摘要： 【解決手段】プラスチック基板は樹脂とガラス繊維を含有する。基板の端面において、ガラス繊維と樹脂との界面がガラス繊維の溶融固化物により覆われている。

摘要翻译： 包含树脂和玻璃纤维的塑料基材，其中玻璃纤维和基材端面上的树脂的界面被熔融和固化的玻璃纤维材料覆盖。

公开(公告)号：WO2006118003A1

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：PCT/JP2006/307936

申请日：2006-04-14

申请人： 日立金属株式会社 ,  加賀 洋一郎 ,  菊池 広実 ,  今村 寿之 ,  渡辺 純一

发明人： 加賀 洋一郎 ,  菊池 広実 ,  今村 寿之 ,  渡辺 純一

IPC分类号： C04B35/593 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L23/3731 ,  C04B35/584 ,  C04B37/021 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/60 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0061 ,  H05K2201/0355 ,  H01L2924/00

摘要： 　厚さ方向に高い熱伝導率を有するとともに、厚さ方向に高い破壊靭性を有する窒化珪素基板を提供することにより、熱抵抗が低く、信頼性の高い窒化珪素配線基板を提供し、ひいては、この窒化珪素配線基板を用いた半導体モジュールの低熱抵抗化及び高信頼性化を図る。 　開示される窒化珪素基板は、β型窒化珪素と、少なくとも１種類の希土類元素とを含有している。また、この窒化珪素基板は、β型窒化珪素の所定格子面のそれぞれのＸ線回折線強度の割合から定まる厚さ方向に垂直な面内における配向割合を示す面内配向度ｆａが０．４～０．８である。

摘要翻译： 本发明提供一种氮化硅衬底，其在厚度方向具有高导热系数，并且在厚度方向上具有高断裂韧性，使用具有低耐热性的氮化硅衬底的氮化硅接线板 并且是高度可靠的，并且使用这种氮化硅接线板的半导体模块具有低耐热性和高可靠性。 氮化硅衬底包括β型氮化硅和至少一种稀土元素。 氮化硅衬底的面内取向fa的程度为0.4〜0.8。 在这种情况下，面内取向fa的程度是指垂直于厚度方向的平面中的取向比例，其基于针对β型的预定晶格面的每个X射线衍射线强度的比例 氮化硅。

公开(公告)号：WO2005115943A3

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：PCT/FR2005001061

申请日：2005-04-28

申请人： CENTRE NAT RECH SCIENT ,  ECOLE NALE SUP ARTES METIERS ,  CHARTIER THIERRY ,  EL HAFIANE YOUSSEF ,  SMITH AGNES ,  BONNET JEAN-PIERRE

发明人： CHARTIER THIERRY ,  EL HAFIANE YOUSSEF ,  SMITH AGNES ,  BONNET JEAN-PIERRE

IPC分类号： C04B28/06 ,  B28B19/00 ,  H01L23/14 ,  H01L23/15

CPC分类号： C04B28/06 ,  C04B2111/00068 ,  C04B2111/00318 ,  C04B2111/00844 ,  C04B24/04 ,  C04B2103/30 ,  C04B2103/408 ,  C04B14/42 ,  C04B24/045 ,  C04B24/2641 ,  C04B40/0281 ,  C04B24/226 ,  C04B24/32

摘要： The invention relates to a cement suspension comprising the following, in relation to the cement material: water (22 - 35 % by weight); acetic acid (1 - 10 % by weight); plasticizer (up to 8 % by weight); and dispersant agent (0 - 2 % by weight), having an apparent viscosity of 0.5 - 2 Pa.s for the casting speed gradient. The invention also comprises pieces of cement that are prepared from said suspension and which can be used as electronic components.

摘要翻译： 本发明涉及一种水泥悬浮液，包括以下水泥材料：水（22-35重量％）; 乙酸（1-10重量％）; 增塑剂（高达8重量％）; 和分散剂（0-2重量％），对于铸造速度梯度，其表观粘度为0.5-2Pa·s。 本发明还包括由所述悬浮液制备并可用作电子部件的水泥片。

公开(公告)号：WO2005104230A1

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：PCT/JP2005/007325

申请日：2005-04-15

申请人： 日本電気株式会社 ,  木内 幸浩 ,  石橋 正博 ,  京極 好孝

发明人： 木内 幸浩 ,  石橋 正博 ,  京極 好孝

IPC分类号： H01L23/14

CPC分类号： H01L23/10 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16195 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/112 ,  H05K3/205 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0314 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1536 ,  Y10T29/49124

摘要： 　半導体装置（１）において、複数の配線層が積層されたパッケージ基板（２）を設け、このパッケージ基板（２）の最上層の配線層にマトリクス状に複数の搭載パッド（５）を設け、この搭載パッド（５）にハンダバンプ（７）を接続する。また、ハンダバンプ（７）を介して、パッケージ基板（２）上に半導体チップ（９）を搭載する。そして、パッケージ基板（２）の最上層の配線層を、温度が１０乃至３０°Cであるときのヤング率が１ＧＰａ以下であり、破断伸び量が５０％以上である樹脂材料により形成する。

摘要翻译： 半导体器件（1）设置有堆叠多个布线层的封装板（2）。 在作为封装板（2）的最上层的布线层上，以矩阵形式设置多个安装焊盘（5），并且焊料凸块（7）与安装焊盘（5）连接。 通过焊锡凸块（7）将半导体芯片（9）安装在封装板（2）上。 然后，作为封装基板（2）的最上层的布线层由温度为10〜30℃，杨氏模量为1GPa以下的树脂材料形成，伸长量为50％ 或更多休息。

公开(公告)号：WO2005104229A1

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：PCT/EP2005/003617

申请日：2005-04-06

申请人： EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH ,  LICHT, Thomas ,  PASSE, Thomas

发明人： LICHT, Thomas ,  PASSE, Thomas

IPC分类号： H01L23/14

CPC分类号： H01L23/4006 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/24 ,  H01L24/72 ,  H01L24/82 ,  H01L2023/4031 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/053 ,  H05K3/14 ,  H05K3/32 ,  H05K2203/1311 ,  H05K2203/1344 ,  H05K2203/1469 ,  H01L2924/00

摘要： Leistungshalbleiteranordnung mit einem entwärmenden Grundkör­per (10, 30, 41, 63, 80) mit zumindest einer flächig ausgebilde­ ten Aussenseite, wobei der Grundkörper (10, 30, 41, 63, 80) aus metallischem Material besteht oder mit einer Schicht aus me­tallischem Material versehen ist und an dessen Aussenseite zu­mindest teilweise eine elektrisch isolierende Oxidschicht (12, 81) auf dem metallischen Material ausgebildet ist; mit mindestens einem Leistungshalbleiterbauteil (2, 32, 83), das auf der einen Aussenseite des Grundkörpers angeordnet ist derart, dass es durch die Oxidschicht von dem Grundkörper elektrisch isoliert ist; mit einer über das eine Leistungshalbleiterbau­teil (2, 32, 83) hinweg auf die eine Aussenseite zumindest teilweise auflaminierten, elektrisch isolierenden Folie (84), wobei die Fo­lie im Bereich des einen Leistungshalbleiterbauteils (2, 32, 83) Aus­sparungen zur Kontaktierung des einen Leistungshalbleiterbau­teils (2, 32, 83) aufweist; und mit einer auf die Folie und in deren Aussparungen auf das Leistungshalbleiterbauteil grossflächig oder strukturiert aufgebrachten oberen Metallisierung (85).

摘要翻译： 具有带有至少一个表面上的散热基底元件（10，30，41，63，80）的功率半导体器件具有形成第外侧，其特征在于，由金属材料制成或用金属材料制成的层在基体（10，30，41，63，80）提供 和其外侧至少部分地电绝缘氧化物层上（12，81）被形成在金属材料; 与设置在所述基体的外侧面，使得其被电由基体的氧化物层绝缘的至少一个功率半导体部件（2，32，83）; 一个通过其中的功率半导体器件（2，32，83）穿过至少部分地层压在外侧，电绝缘膜（84），其中，在功率半导体器件的区域中的膜（2，32，83）的凹部用于功率半导体器件的接触 （2，32，83）; 和在薄膜和在功率半导体装置的大面积或结构化的沉积上金属化（85）的凹部。

公开(公告)号：WO2005098942A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：PCT/JP2005/006618

申请日：2005-04-04

申请人： 三菱マテリアル株式会社 ,  長瀬 敏之 ,  長友 義幸 ,  久保 和明 ,  根岸 健

发明人： 長瀬 敏之 ,  長友 義幸 ,  久保 和明 ,  根岸 健

IPC分类号： H01L23/14

CPC分类号： H05K3/38 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H05K1/0306 ,  Y10S428/91 ,  Y10T29/49163 ,  Y10T428/12472 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 　金属板とセラミックス基板とを接合したパワーモジュール用基板であって、前記セラミックス基板は、前記金属板との接合界面における離型剤の残留量が蛍光Ｘ線分析によるＢ量で５未満であると共に、前記接合界面における結晶粒の歪み発生領域が全体の４０％以下であること、または、前記セラミックス基板は、前記金属板との接合界面における離型剤の残留量が蛍光Ｘ線分析によるＢ量で５未満であると共に、前記接合界面における結晶粒の歪み量が０．０３％以下である。

摘要翻译： 一种用于功率模块的基板，包括金属片，并与其结合陶瓷基板，其中陶瓷基板在其与金属板的接合界面中残留的释放剂量以B量为荧光X射线 分析，<5，结合界面中发生晶粒应变的区域基于总数<= 40％。 或者，陶瓷基板的荧光X射线分析的B量与金属板的接合界面残留的剥离剂量为<5，结界面的晶粒应变程度为 <= 0.03％。

公开(公告)号：WO03005444A3

公开(公告)日：2003-08-21

申请号：PCT/DE0202185

申请日：2002-06-14

申请人： SIEMENS AG ,  DERNOVSEK OLIVER ,  WERSING WOLFRAM ,  PREU GABRIELE

发明人： DERNOVSEK OLIVER ,  WERSING WOLFRAM ,  PREU GABRIELE

IPC分类号： H01L23/14 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K1/16 ,  H01L23/498

CPC分类号： H05K1/0373 ,  H01L23/145 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/024 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0209 ,  H01L2924/00

摘要： The invention relates to a polymer ceramic composite material comprising at least one polymer and at least one ceramic material, characterised in that the polymer ceramic composite material comprises the following dielectric properties in the high frequency range of frequencies above 0.5 GHz: (a) a permittivity epsilon of between 2 and 100; and (b) a factor Q of at least 500. The invention also relates to single or multilayered bodies for using as microwave dielectrics, containing the cited polymer ceramic composite material. The invention further relates to a method for producing microwave dielectrics, which can be carried out with little technical effort, which enables microwave bodies to be produced close to the end contours, and which requires only low processing temperatures. The inventive polymer ceramic composite material is characterised, inter alia, by the fact that the dielectric properties of said composite can be pre-determined or adjusted in a reproducible manner by selecting the used ceramic material and/or the used polymer material.

摘要翻译： 本发明涉及包含至少一种聚合物和至少一种陶瓷材料的聚合物 - 陶瓷复合材料，其特征在于，具有在高于0.5 GHz的频率下的介电性能的高频率范围内的聚合物 - 陶瓷复合材料：a）一种介电常数 小量在2至100的范围内; 和b）的至少为500的Q-此外，本发明涉及单层或多层体用作含有上述聚合物 - 陶瓷复合材料的微波电介质。 本发明的进一步的目的是提供用于生产微波电介质，它可以与小的技术努力来进行提供一种方法，允许微波机构的净形制造，只需要较低的加工温度。 该新型聚合物 - 陶瓷复合材料的特征在于，除其他外， 其特征在于所使用和/或所用的聚合物材料在预先确定或可再现的方式设置由陶瓷材料的选择的复合材料或复合材料的介电性能。

公开(公告)号：WO2003060998A1

公开(公告)日：2003-07-24

申请号：PCT/US2002/039980

申请日：2002-12-16

申请人： MOTOROLA, INC.

发明人： VISWANATHAN, Lakshminarayan, ,  PIEL, Pierre-Marie, J. ,  FUNK, Garry, Duane ,  DAVIDSON, Robert, P.

IPC分类号： H01L23/14

CPC分类号： H01L23/10 ,  H01L23/053 ,  H01L23/66 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16315 ,  H01L2924/3011

摘要： A wire bond-less electronic component is for use with a circuit external to the wire bond-less electronic component. The wire bond-less electronic component includes a support substrate (110, 410), an electronic device (130) over the support substrate, and a cover (140, 440, 540) located over the electronic device and the support substrate. The cover includes an interconnect structure (141, 441, 541) electrically coupled to the electronic device and adapted to electrically couple together the electronic device and the circuit for providing impedance transformation of an electrical signal between the electronic device and the circuit.

摘要翻译： 无接线电子元件用于无引线接合电子元件外部的电路。 无引线接合电子部件包括支撑基板（110,410），位于支撑基板上的电子器件（130）以及位于电子器件和支撑基板上的盖子（140,440,540）。 所述盖包括电连接到所述电子设备并且适于将所述电子设备和所述电路电连接在一起以在所述电子设备和所述电路之间提供电信号的阻抗变换的互连结构（141,441,541）。

公开(公告)号：WO0250907A3

公开(公告)日：2003-04-24

申请号：PCT/US0148098

申请日：2001-12-14

申请人： MEDTRONIC INC

发明人： LARSON LARY R ,  FENNER ANDREAS A

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L25/16 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Interconnection of active and passive components in a substrate built using wafer fabrication techniques increase routing density by using a silicon substrate and using silicon processing technologies to embed interconnects and components into the substrate. Implantable medical devices including surge protection, output transistors, and other high power components are interconnected using the substrates.

摘要翻译： 使用晶圆制造技术构建的衬底中的有源和无源器件的互连通过使用硅衬底并使用硅处理技术将互连和部件嵌入衬底来增加布线密度。 包括浪涌保护，输出晶体管和其它高功率组件的可植入医疗设备使用基板相互连接。

公开(公告)号：WO0211202A3

公开(公告)日：2003-01-23

申请号：PCT/DE0102892

申请日：2001-07-31

申请人： SIEMENS DEMATIC AG ,  THELEN RICHARD ,  VAN PUYMBROECK JOZEF

发明人： THELEN RICHARD ,  VAN PUYMBROECK JOZEF

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/498 ,  H05K1/00 ,  H05K1/11 ,  H05K3/00 ,  H05K3/46 ,  H01L23/14

CPC分类号： H05K1/119 ,  B29C2043/463 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H05K1/0284 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/09045 ,  H05K2203/0113 ,  H05K2203/0143 ,  H05K2203/0554 ,  H01L2924/00

摘要： According to a method for producing connection substrates for semiconductor chips, preferably PSGA (polymer stud grid array) substrates, a blank body (1), preferably a film, is heated and humps (3) and/or recesses are produced on at least one of its surfaces using an embossing roller. High temperature resistant thermoplastics, preferably LCPs (liquid crystal polymers), are used as the material for the substrate body. Their surface can preferably be provided with a metallic layer which is in turn provided with openings as an embossing aid.

摘要翻译： 用于制造连接衬底的半导体芯片，优选PSGA （聚合物螺柱栅阵列）基片，生坯（1）中，优选加热，膜，和凸块（3）和在其表面中的至少一个和/或凹部借助于 压花辊制造。 作为基板主体的材料是耐高温的热塑性塑料，优选LCP（液晶聚合物）。 其表面可以设置有一个金属层优选作为与开口部的压花援助提供。