Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil (10) mit einem Umverdrahtungssubstrat (1) als Stapelelement für einen Halbleiterbauteilstapel (25, 30, 35, 40). Das Umverdrahtungssubstrat (1) weist einen Kunststoffrahmen (41) einer ersten Kunststoffmasse (42) und einen Mittenbereich (20) mit einer zweiten Kunststoffmasse (46) auf. In der zweiten Kunststoffmasse (46) ist ein Halbleiterchip (6) mit seiner Rückseite (14) und seinen Randseiten (12, 13) eingebettet, wobei die aktive Oberseite des Halbleiterbauteils (6) mit den Kunststoffmassen (42, 46) eine koplanare Fläche (3) aufweist.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil (13) mit oberflächenmontierbarem Gehäuse (1) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Das Halbleiterbauteil (13) weist Flachleiterstücke (2) auf der Unterseite (3) des Gehäuses (1) auf, die in eine Kunststoffgehäusemasse (4) eingebettet sind. Von den Flachleiterstücken (2) sind Außenkontaktflächen (5) frei von Kunststoffgehäusemasse (4). Auf diesen frei gehaltenen Außenkontaktflächen (5) ist eine strukturierte lötbare Beschichtung (6) angeordnet, die eine Vielzahl von elektrisch leitenden und mechanischelastischen Kontaktelementen (8) auf der Außenkontaktfläche (5) aufweist.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein elektrisches Bauteil mit karbonisierten Leitungen sowie ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung desselben. Das elektrische Bauteil weist elektrische Komponenten (1, 2, 3) auf, die Anschlüsse (6) aufweisen. Ferner befinden sich zwischen den elektrischen Komponenten Leitungsbereiche (7) aus Kunststoff (11) mit Leitungen (8), die karbonisierten Kunststoff und/oder agglomerierte Nanopartikel aufweisen. Diese Leitungen (8) sind mit den Anschlüssen (6) der Komponenten und/oder mit Außenanschlüssen (9) des elektronischen Bauteils verbunden.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen einer Klebstoffschicht (1) auf dünngeschliffene bzw. gedünnte Halbleiterchips (2) eines Halbleiterwafers. Dabei wird die Klebstoffschicht (1) aus aushärtbarem Klebstoff (10) relativ früh in ein Verfahren zum Dünnschleifen, Trennen und Vereinzeln eines Halbleiterwafers zu gedünnten Halbleiterchips (2) eingebracht und schließlich in einem Halbleiterbauteil, in das der gedünnte Halbleiterchip (2) einzubauen ist, weiterverwendet.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Durchkontaktierungen (1) durch einen plattenförmigen Verbund-körper (2), der Halbleiterchips (3) und eine Kunststoffmasse (4) aufweist. Dazu wird der plattenförmige Verbundkörper (2) zwischen zwei Hochspannungsspitzenelektroden (10, 11) eingebracht und diese Spitzenelektroden werden derart ausgerichtet, dass sie an den Positionen (14), an denen Durchkontaktierungen (1) durch die mit leitenden Partikeln (9) gefüllte Kunststoffmasse (4) einzubringen sind. Durch Anlegen einer Hochspannung an die Spitzenelektroden wird schließlich die Durchkontaktierung (1) vollzogen.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Chipnutzens oder Verbundwafers mittels eines Hitze- und Druckprozesses, sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens. Für die Durchführung des Verfahrens werden eine Chipträgerplatte (2) und eine Transferplatte (5) in der Vorrichtung zur Verfügung gestellt. Das Verfahren umfasst ein Bestücken der Chipträgerplatte (2) mit Halbleiterchips (4) und ein Erwärmen der Platten (2, 5). Dabei bleibt eine der Platten formstabil, während die Halbleiterchips in die andere verformbare Platte eingepresst werden.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Vereinzelung von oberflächenmontierbaren Halbleiterbauteilen (1) und zur Bestückung derselben mit Außenkontaktflächen. Dazu werden Halbleiterbauteilkomponenten auf einen metallischen Träger (4) in Zeilen (5) und Spalten (6) in entsprechenden Halbleiterbauteilpositionen (7) des metallischen Trägers (4) aufgebracht. Anschließend werden eine Vielzahl von Halbleiterbauteilpositionen (7) und die dort befindlichen Komponenten in eine Kunststoffgehäusemasse (8) eingebettet, wodurch eine Verbundplatte (3) entsteht, die anschließend durch Laserablation in einzelne Halbleiterbauteile (1) getrennt wird, welche mit Hilfe der Lasertechnik ihren Oberseiten (13) beschriftet werden. Diese beschrifteten Oberseiten (13) können dann auf eine Klebstofffolie aufgeklebt werden, so dass es möglich ist, die Unterseiten unter Beibehaltung der Halbleiterbauteilpositionen (7) frei zu legen.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil (1) mit Durchkontakten (5) durch eine Kunststoffgehäusemasse (6) und ein Verfahren zur Herstellung derselben. Dazu weist das Verdrahtungssubstrat ein Lotdepot auf, auf dem Durchkontaktelemente (13) vertikal zum Verdrahtungssubstrat (7) angeordnet sind und sich bis zu der Oberseite (28) des Halbleiterbauteils (1) erstrecken.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Träger (4) mit Lotkugelelementen (1) für ein Bestücken von Substraten (2) mit Kugelkontakten. Ferner betrifft die Erfindung eine Anlage für ein Bestücken von Substraten (2) mit Kugelkontakten und ein Verfahren für ein Bestücken von Substraten (2) mit Kugelkontakten. Dazu weist der Träger (4) eine einseitig aufgebrachte Klebstoffschicht (5) auf, wobei die Klebstoffschicht (5) ihre Adhäsionskraft bei Bestrahlung weitestgehend verliert. Ferner weist der Träger (4) Lotkugelelemente (1) auf, die dichtgepackt in Zeilen (6) und Spalten (7) auf der Klebstoffschicht (5) in vorgegebener Schrittweite (w) für einen Halbleiterchip oder ein Halbleiterbauteil angeordnet sind.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil (13) mit einem dünnen Halbleiterchip (1) und ein Verfahren zur Herstellung und Weiterverarbeitung derart dünner Halbleiterchips (1). Das Halbleiterbauteil (13) weist neben dem dünnen Halbleiterchip (1) ein Verdrahtungssubstrat (2) auf, das auf seiner Oberseite (5) den Halbleiterchip (1) trägt und auf seiner Unterseite (6) und/oder seinen Randseiten (27, 28) Außenkontakte (3) aufweist. Der Halbleiterchip (1) ist aus monokristallinem Silizium einer Dicke d ≤ 25µm; hergestellt.