公开(公告)号：WO03098709A8

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：PCT/JP0304821

申请日：2003-04-16

Applicant: ROHM CO LTD ,  ISOKAWA SHINJI

Inventor： ISOKAWA SHINJI

IPC: H01L23/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/29027 ,  H01L2224/29028 ,  H01L2224/30164 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: A semiconductor chip (1) comprises a first electrode section (2) formed at one corner of a crystal substrate (1a) generally rectangular when viewed from above and a second electrode section (3) formed along two sides of the crystal substrate (1a) containing a corner diagonally opposed to the above-mentioned corner. The first and second electrode sections (2, 3) are connected to a first lead section (15) and second lead sections (16a, 16b) formed on a circuit substrate (10) with solder paste (20). The narrow first lead section (15) extends and crosses one side of the crystal substrate (1a), and the second lead sections (16a, 16b) extends in the reverse direction to that the first lead section (15) extends. The first lead section (15) and the second lead section (16b) are biased by adequate lengths from each other. As a result, the semiconductor chip (1) can be prevented from being fixed atilt on the surface of the circuit substrate (10) because of the surface tension of molten solder.

Abstract translation: 半导体芯片（1）包括形成在从上方观察时大致矩形的晶体基板（1a）的一个角部的第一电极部（2）和沿着晶体基板（1a）的两侧形成的第二电极部（3） 包含与上述角落对角的角落。 第一和第二电极部分（2,3）连接到第一引线部分（15）和形成在电路基板（10）上的焊膏（20）的第二引线部分（16a，16b）。 窄的第一引线部分（15）延伸并跨过晶体基板（1a）的一侧，并且第二引线部分（16a，16b）沿与第一引线部分（15）延伸的相反方向延伸。 第一引线部分（15）和第二引线部分（16b）被彼此充分地偏置。 结果，由于熔融焊料的表面张力，可以防止半导体芯片（1）固定在电路基板（10）的表面上。

公开(公告)号：WO2016089844A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/US2015/063151

申请日：2015-12-01

Applicant: INVENSAS CORPORATION

Inventor： GAO, Guilian ,  UZOH, Cyprian, Emeka ,  WOYCHIK, Charles, G. ,  SHENG, Hong ,  SITARAM, Arkalgud, R. ,  WANG, Liang ,  AGRAWAL, Akash ,  KATKAR, Rajesh

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/5385 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49097 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: Die (110) and/or undiced wafers and/or multichip modules (MCMs) are attached on top of an interposer (120) or some other structure (e.g. another integrated circuit) and are covered by an encapsulant (160). Then the interposer is thinned from below. Before encapsulation, a layer (410) more rigid than the encapsulant is formed on the interposer around the die to reduce or eliminate interposer dishing between the die when the interposer is thinned by a mechanical process (e.g. CMP). Other features are also provided.

Abstract translation: 模具（110）和/或未开封的晶片和/或多芯片模块（MCM）被附接在插入器（120）或一些其它结构（例如另一集成电路）的顶部上并被密封剂（160）覆盖。 然后插入器从下面变薄。 在封装之前，在封装周围的插入件周围形成比密封剂更刚性的层（410），以通过机械工艺（例如CMP）来减小或消除插入件在裸片间的凹陷。 还提供其他功能。

公开(公告)号：WO2016024445A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：PCT/JP2015/068065

申请日：2015-06-23

Applicant: 富士電機株式会社 ,  小松 康佑

Inventor： 小松　康佑

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/834 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781

Abstract: 　半導体装置は、回路板を有する積層基板と、回路板に固定された半導体チップと、筒形状である先端部と、筒以外の形状である配線部を有し、先端部と配線部が一つの導電部材で構成されている端子と、回路板と先端部を電気的かつ機械的に接続する接合材とを備えている。

Abstract translation: 该半导体装置具有层叠基板，其具有电路基板，固定于电路基板的半导体芯片，管状前端部以及管状以外的形状的布线部，并且设置有端子， 端部和布线部分由一个电气和机械耦合电路板和前端部分的导电构件和接合材料形成。

公开(公告)号：WO2014167745A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：PCT/JP2013/077979

申请日：2013-10-15

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 吉田　一男 ,  根岸　将人

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L29/30 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06183 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83871 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/95 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 　本願の発明にかかる半導体装置は、実装基板と、該実装基板に塗布された接着剤と、該接着剤により下面が該実装基板と接着されたデバイスと、を備え、該デバイスの側面上部は該デバイスの側面下部より表面粗さが小さいことを特徴とする。

Abstract translation: 该半导体器件的特征在于：半导体器件设置有安装基板，施加到安装基板的粘合剂以及其下表面使用粘合剂结合到安装基板的器件; 并且装置的侧表面上部具有比装置的侧表面下部更小的表面粗糙度。

公开(公告)号：WO2013024837A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：PCT/JP2012/070609

申请日：2012-08-13

Applicant: 株式会社アルバック ,  中牟田 雄 ,  松本 昌弘 ,  稲垣 貴之 ,  平松 大典 ,  谷 典明

Inventor： 中牟田　雄 ,  松本　昌弘 ,  稲垣　貴之 ,  平松　大典 ,  谷　典明

IPC: H01L21/60 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/165 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/74 ,  H01L24/741 ,  H01L24/743 ,  H01L24/77 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37565 ,  H01L2224/37655 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/40507 ,  H01L2224/4051 ,  H01L2224/4052 ,  H01L2224/4111 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/741 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/8302 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84002 ,  H01L2224/84011 ,  H01L2224/8402 ,  H01L2224/8481 ,  H01L2224/84815 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/404 ,  H01L2224/77

Abstract: 　この部品の製造方法は、一方の面がニッケルからなる基板を用い、前記一方の面上に、錫を主成分とする合金膜をスパッタ法により形成する工程Ａ１と、前記合金膜上に、少なくとも前記合金膜との接触部位が、銅、及び、ニッケル被覆されたアルミニウムの何れか一方からなる部品を載置する工程Ａ３と、前記基板と前記合金膜との間、及び、前記合金膜と前記部品との間を各々接合するために、熱処理を施す工程Ａ４と、を少なくとも順に備える、部品の製造方法であって、前記工程Ａ１において、減圧雰囲気とした空間内に、錫を主成分とする合金ターゲットを設けたカソード電極と、前記基板を設けたアノード電極とを対向して配置し、前記基板の前記一方の面上に、前記合金膜を形成する際に、前記カソード電極にＤＣ電圧を印加する。

Abstract translation: 该部件制造方法至少依次包括：使用其中一个表面包含镍的基板通过溅射形成在基板的一个表面上具有锡作为主要成分的合金膜的步骤（A1） 在合金膜上放置与合金膜接触的至少一部分包含铜或包含镍涂覆的铝的部件的步骤（A3）; 以及为了将基板和合金膜彼此接合并且合金膜和部件彼此粘合而进行热处理的步骤（A4）。 在步骤（A1）中，阴极电极和阳极电极在具有减压气氛的空间中相对地布置，阴极设置有以锡为主要成分的合金靶，并且设置阳极电极 与基材; 并且当在基板的上述一个表面上形成合金膜时，向阴极施加DC电压。

公开(公告)号：WO2003098709A1

公开(公告)日：2003-11-27

申请号：PCT/JP2003/004821

申请日：2003-04-16

Applicant: ローム株式会社 ,  磯川 慎二

Inventor： 磯川 慎二

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/29027 ,  H01L2224/29028 ,  H01L2224/30164 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　平面視略四角形状の結晶基板１ａの一つの角部に形成された１つの第１電極部２と、前記１つの角部に対して対角線上に位置する他の角部を挟む結晶基板１ａの２側辺に沿って形成された第２電極部３とを備えた半導体チップ１を、その第１電極部２及び第２電極部３と、回路基板１０の表面に形成された第１リード部１５と、複数本の第２リード部１６ａ，１６ｂとを、それぞれ半田ペースト２０により接合するに際して、細巾の１本の第１リード部１５は結晶基板１ａにおける１側辺と交差するように伸び、複数の第２リード部１６ａ，１６ｂは、第１リード部１５と反対向きに延び、且つ第１リード部１５及び第２リード部１６ｂは、互いに適宜寸法だけ偏倚して配置されている。これにより、溶融半田の表面張力による半導体チップ１が回路基板１０の表面で傾いた姿勢で固定されるのを防止する。

Abstract translation: 半导体芯片（1）包括形成在从上方观察时大致矩形的晶体基板（1a）的一个角部的第一电极部（2）和沿着晶体基板（1a）的两侧形成的第二电极部（3） 包含与上述角落对角的角落。 第一和第二电极部分（2,3）连接到第一引线部分（15）和形成在电路基板（10）上的焊膏（20）的第二引线部分（16a，16b）。 窄的第一引线部分（15）延伸并与晶体基板（1a）的一侧相交，并且第二引线部分（16a，16b）沿与第一引线部分（15）延伸的相反方向延伸。 第一引线部分（15）和第二引线部分（16b）彼此偏置足够的长度。 结果，由于熔融焊料的表面张力，可以防止半导体芯片（1）固定在电路基板（10）的表面上。