公开(公告)号：WO2015144833A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/EP2015/056596

申请日：2015-03-26

申请人： HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG

发明人： BENEDIKT, Michael ,  KREBS, Thomas ,  SCHÄFER, Michael ,  SCHMITT, Wolfgang ,  HINRICH, Andreas ,  KLEIN, Andreas ,  BRAND, Alexander ,  BLEIFUSS, Martin

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/49513 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29295 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/352 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37639 ,  H01L2224/4005 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/00012

摘要： Die Erfindung bezieht sich auf einen Träger (z.B. Stanzgitter) und einen Clip für wenigstens ein Halbleiterelement, der wenigstens eine Funktionsfläche (10) zur Verbindung mit dem Halbleiterelement und mehrere Anschlüsse (11) aufweist. Sie zeichnet sich dadurch aus, dass das Material des Trägers bzw. Clips ein Metall umfasst und auf der Funktionsfläche (10) eine Schicht (12) aus einer verfestigten (getrockneten) Sinterpaste, insbesondere einer Silber und/oder eine Silberverbindung enthaltenden Sinterpaste angeordnet ist, wobei der Träger bzw. Clip und die Schicht (12) aus Sinterpaste ein Zwischenprodukt bilden, das mit dem Halbleiterelement verbindbar ist. Der Träger und der Clip werden zur Herstellung einer Verpackung mit Stanzgitter (Leadframe Package) durch Verbindung mit dem Clip mittels Sintern der verfestigten Sinterpasten in einem Arbeitsgang verwendet.

摘要翻译： 本发明涉及一种支撑件（例如，引线框架）和至少一个半导体元件的夹子，其具有至少一个功能性表面（10）用于连接到所述半导体元件和多个端子（11）。 它的特征在于，所述支撑件或夹子的材料包括金属和功能表面（10）上制成的凝固（干燥）烧结膏的层（12），尤其是银和/或银 - 的含化合物烧结膏被布置， 其中所述载体或剪辑和由烧结膏的层（12）形成中间产物，其可连接到所述半导体元件。 所述载体和所述夹子可用于由通过烧结在单一操作中烧结固化浆料的装置连接到所述夹子制造具有引线框架（引线框架封装）的封装件。

公开(公告)号：WO2016136457A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：PCT/JP2016/053779

申请日：2016-02-09

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 藤野　純司 ,  小川　翔平 ,  坂元　創一

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40496 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3512

摘要： 　外部端子部品と接続する接続材がアルミ製であっても高温動作が可能で、信頼性が向上するパワーモジュールを得ることを目的とする。　本発明のパワーモジュール（１００）は、回路基板（基板（２））に搭載されたパワー半導体素子（１）と、素子１の表面主電極（電極（１４ｅ））に接続されたアダプタ（１０）を備え、アダプタ（１０）は、素子（１）の表面主電極（電極（１４ｅ））に接続された主電極配線部材（３１）を備え、主電極配線部材（３１）は、素子（１）の表面主電極（電極（１４ｅ））に接続された素子接続部（３１１）と、素子接続部（３１１）の外側に配置されると共に回路基板（基板（２））に接続された基板接続部（３１２）と、素子接続部（３１１）の外側に配置されると共に外部電極に接続材（ワイヤ（７））を介して接続する接続材接続部（ワイヤ接続部（３１３））を備える。

摘要翻译： 本发明的目的是实现即使要连接到外部端子部件的连接材料由铝形成并且具有提高的可靠性，也能够在高温下工作的功率模块。 根据本发明的功率模块（100）具有：安装在电路板（基板（2））上的功率半导体元件（1）; 以及连接到元件（1）的表面主电极（电极（14e））的适配器（10）。 适配器（10）设置有与元件（1）的表面主电极（14e）连接的主电极配线部件（31）。 主电极配线构件（31）具有与元件（1）的表面主电极（14e）连接的元件连接部（311）。 在连接到电路板（基板）的同时，配置在元件连接部311的外侧的基板连接部312）。 以及连接材料连接部（电线连接部，313），其经由连接材料（线（7））与外部电极连接而配置在元件连接部（311）的外侧。

公开(公告)号：WO2016100470A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/US2015/066026

申请日：2015-12-16

申请人： ALPHA METALS, INC. ,  ADVANCED PACKAGING CENTER BV

发明人： KHASELEV, Oscar ,  BOSCHMAN, Eef

IPC分类号： H01L21/324

CPC分类号： H01L24/84 ,  H01L21/4825 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37013 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/73213 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/84001 ,  H01L2224/84203 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/84986 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/01047

摘要： A method of die and clip attachment includes providing a clip, a die and a substrate, laminating a sinterable silver film on the clip and the die, depositing a tack agent on the substrate, placing the die on the substrate, placing the clip on the die and the substrate to create a substrate, die and clip package, and sintering the substrate, die and clip package.

摘要翻译： 模具和夹子附接的方法包括提供夹子，模具和基底，将可烧结的银膜层压在夹子和模具上，在基底上沉积粘性剂，将模具放置在基底上，将夹子放置在 模具和基板创建基板，模具和夹子封装，并烧结基板，模具和夹子封装。

公开(公告)号：WO2013065230A1

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/JP2012/006277

申请日：2012-10-01

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 生田　敬子 ,  金　連姫 ,  広瀬　貴之 ,  小島　俊之 ,  塚原　法人 ,  反田　耕一

IPC分类号： H01L23/36 ,  C25D7/00 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/495 ,  C25D3/12 ,  C25D5/022 ,  C25D5/48 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/00 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/35823 ,  H01L2224/35825 ,  H01L2224/3583 ,  H01L2224/35848 ,  H01L2224/35985 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3756 ,  H01L2224/37565 ,  H01L2224/37655 ,  H01L2224/37755 ,  H01L2224/37893 ,  H01L2224/37895 ,  H01L2224/40135 ,  H01L2224/40475 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8338 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83555 ,  H01L2224/83693 ,  H01L2224/83695 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/84815 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/83205

摘要： 　熱抵抗の増加を抑えつつ、はんだ層に印加される熱抵抗を低減できる、半導体装置を提供する。　半導体素子（５）と、半導体素子の少なくとも一面に配置されたはんだ層（４）と、そのはんだ層に、ポーラスニッケルめっき部（１）を挟んで配置されたリードフレーム（２）とを備える配置構造とする。半導体素子とリードフレームを直接はんだ接合する場合と比べて、はんだ接合部の熱抵抗の増加分を、ポーラスニッケルめっき部の分のみに抑えられ、はんだ層に印加される熱抵抗を低減できる。

摘要翻译： 提供了一种半导体器件，其在减轻热阻增加的同时，可以使施加到焊料层的热阻最小化。 半导体器件具有定位结构，该定位结构包括半导体元件（5），位于半导体层的至少一个面上的焊料层（4）和位于多孔镀镍层 部分（1）抵靠半导体层。 焊接部分的热阻增加仅限于从多孔镀镍部分的增加，并且施加到焊料层的热阻可能会降低到当将半导体元件直接接合到引线框架时的结果。

公开(公告)号：WO2015087997A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：PCT/JP2014/082947

申请日：2014-12-12

申请人： 株式会社日立パワーデバイス

发明人： 石丸　哲也 ,  森　睦宏 ,  坂野　順一 ,  恩田　航平

IPC分类号： H02M7/12 ,  H01L25/07 ,  H02K11/00 ,  H02K19/36

CPC分类号： H01L29/7808 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/544 ,  H01L24/01 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/66 ,  H01L24/69 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/16 ,  H01L29/7805 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75754 ,  H01L2224/78753 ,  H01L2224/78802 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H02K11/00 ,  H02K11/046 ,  H02K19/36 ,  H02M1/08 ,  H02M7/003 ,  H02M7/217 ,  H02M7/219 ,  H02M2001/0006 ,  H02P9/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84

摘要： 　本発明の半導体装置(Ｓ１)は、オルタネータ(Ｏｔ)に取着される上面視円形の外周部(１０１ｓ)をもつ第１の外部電極(１０１)を有し、第１の外部電極(１０１)上に、ＭＯＳＦＥＴチップ(１０３)と、ＭＯＳＦＥＴチップ(１０３)の第１の主端子(１０３ｄ)と第２の主端子(１０３ｓ)の電圧もしくは電流が入力され、それに基づいてＭＯＳＦＥＴチップ(１０３)のゲート(１０３ｇ)に供給する制御信号を生成する制御回路(１０４)と、制御回路(１０４)に電源を供給するコンデンサ(１０５)とが搭載され、ＭＯＳＦＥＴチップ(１０３)に対して前記第１の外部電極の反対側に第２の外部電極(１０７)を有し、ＭＯＳＦＥＴチップ(１０３)の第１の主端子(１０３ｄ)と第１の外部電極(１０１)、並びに、ＭＯＳＦＥＴチップ(１０３)の第２の主端子(１０３ｓ)と第２の外部電極(１０７)が電気的に接続されている。

摘要翻译： 该半导体装置（S1）具有第一外部电极（101），其具有从上方观察时为圆形的外周部（101s），并且安装在交流发电机（Ot）上。 第一外部电极（101）安装在其上：MOSFET芯片（103）; 输入MOSFET芯片（103）的第一主端子（103d）和第二主端子（103s）之间的电流或电压的控制电路（104），并且基于电流或 电压，提供给MOSFET芯片（103）的栅极（103g）的控制信号; 以及用于向所述控制电路（104）提供电源的电容器（105）。 第二外部电极（107）在与第一外部电极相对的一侧提供给MOSFET芯片（103）。 MOSFET芯片（103）的第一外部电极（101）和第一主要端子（103d）电连接。 此外，MOSFET芯片（103）的第二外部电极（107）和第二主要端子（103s）电连接。

公开(公告)号：WO2015059882A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：PCT/JP2014/005085

申请日：2014-10-06

申请人： 日本精工株式会社

发明人： 須永　崇 ,  金子　昇 ,  三好　修 ,  鈴木　良一

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L24/41 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/352 ,  H01L2224/35847 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37013 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37611 ,  H01L2224/4001 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40475 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/4099 ,  H01L2224/4112 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/8421 ,  H01L2224/84424 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/84815 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/365 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013

摘要： 　半田による電気的接続の信頼性が高く且つ安価な半導体モジュールを提供する。ベアチップＦＥＴ（３５）のゲート電極（Ｇ）の被接合面に対向する電極接合部（３６ｂｂ）の接合面と、他の配線パターン（３３ｃ）の被接合面に対向する基板接合部（３６ｂｃ）の接合面は、金属板コネクタ（３６ｂ）の半田接合時に溶融した半田から発生するアウトガスを、接合面と被接合面との間に介在する半田（３４ｃ、３４ｆ）から排出させるアウトガス排出機構を備える。

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种廉价的半导体模块，其通过焊料的电连接的可靠性高。 面对裸片FET（35）的栅电极（G）的接合面的电极接合部（36bb）的接合面和与另一布线的接合面相对的基板接合部（36bc）的接合面 具有排出气体排出机构，该排气发射机构从金属板连接器（36b）的焊接时熔化的焊料产生的焊料从焊料（34c，34f）发生，所述焊料插入在焊接面（34c，34f）之间， 粘合面。

公开(公告)号：WO2014034411A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：PCT/JP2013/071622

申请日：2013-08-09

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 藤野　純司 ,  米田　裕 ,  大西　良孝 ,  菅原　済文

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K7/20

CPC分类号： H05K1/0203 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4005 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/4024 ,  H01L2224/4118 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16172 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/92252 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/4866 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/4876 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/2076

摘要： 　絶縁層(8)を介して放熱部材(9)が接合される伝熱板(4)と、伝熱板(4)に対して、所定の間隔をあけて配置され、外側面に形成された電極パターン(32)の近傍に開口部(3a)が設けられたプリント基板(3)と、伝熱板(4)とプリント基板(3)との間に配置され、裏面が伝熱板(4)に接合された電力用半導体素子(2)と、電力用半導体素子(2)の表面に形成された主電力用電極(21C)の第１の接合部に一端が接合され、他端が第２の接合部(32p)に接合された配線部材(5)と、を備え、主電力用電極(21C)からプリント基板(3)に向かって垂直方向に延びる空間に、第２の接合部(32p)の少なくとも一部が入るとともに、開口部(3a)から垂直方向に延びる空間に、第１の接合部が包含されるように構成した。

摘要翻译： 本发明提供一种电力半导体装置，其特征在于，包括：散热构件（9）与隔着绝缘层（8）接合的传热板（4）; 印刷基板（3），其以与传热板（4）相同的间隔布置，并且在外侧表面上具有位于电极图案（32）附近的开口（3a） 布置在所述传热板（4）和所述印刷基板（3）之间并具有与所述传热板（4）接合的背面的电力半导体元件（2）。 以及其一端接合到形成在所述电力半导体元件（2）的表面上的主电力电极（21C）的第一接合部的配线构件（5），并且其另一端接合到 第二接合部（32p）。 该装置被配置为使得第二接合部分（32p）的至少一部分落在从主电力电极（21C）朝向印刷基板（3）沿垂直方向延伸的空间中，并且同时 第一接合部分包括在从开口（3a）沿垂直方向延伸的空间中。

公开(公告)号：WO2013125022A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：PCT/JP2012/054525

申请日：2012-02-24

申请人： 株式会社日立製作所 ,  守田 俊章 ,  保田 雄亮

发明人： 守田　俊章 ,  保田　雄亮

IPC分类号： H01L21/60 ,  B23K20/00 ,  B23K20/10

CPC分类号： B23K1/0016 ,  B23K2201/42 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48476 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84455 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012

摘要： 　銅、ニッケルはパワー半導体モジュール等で多く用いられる電極材料であるが、これらの銅電極やニッケル電極に対して信頼性の高い接合性能が確保できず大きな課題として残っていた。本発明は、銅、或いはニッケルによって形成された半導体素子や配線等の電極を酸化銅の粒子を主剤とする接合材料を用いて接合するようにし、接合材料中の酸化銅を還元することによって得られる銅粒子を加熱及び加圧することによって電極と銅粒子の接合界面に銅の高密度接合層を形成するものである。これによれば、長期に亘って接合部の接合信頼性が確保できる。

摘要翻译： 虽然铜和镍是通常用于功率半导体模块等的电极材料，但是存在关于功率半导体模块等的铜电极和镍电极的高度可靠的接合性能还没有得到确保的问题。 在本发明中，所述电极由铜或镍形成的半导体元件和布线的电极使用以氧化铜粒子为主体的接合材料进行接合，由铜构成的高密度接合层形成在 通过对通过还原接合材料中的氧化铜获得的铜颗粒进行加热加压，从而在电极与铜粒子之间的接合界面。 因此，可以长期确保接合部的接合可靠性。

公开(公告)号：WO2016193038A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：PCT/EP2016/061595

申请日：2016-05-23

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： STEGMEIER, Stefan ,  BAUEREGGER, Hubert ,  SOMMER, Volkmar

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/492 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/49 ,  C25D3/38 ,  C25D5/18 ,  C25D21/14 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4922 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/50 ,  H01L24/05 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/75 ,  H01L24/77 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/24245 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/3207 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37005 ,  H01L2224/37111 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/37166 ,  H01L2224/3719 ,  H01L2224/37211 ,  H01L2224/37224 ,  H01L2224/37239 ,  H01L2224/37244 ,  H01L2224/37247 ,  H01L2224/37255 ,  H01L2224/37266 ,  H01L2224/3729 ,  H01L2224/373 ,  H01L2224/37395 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/756 ,  H01L2224/75703 ,  H01L2224/776 ,  H01L2224/77703 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/834 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/8349 ,  H01L2224/83511 ,  H01L2224/83524 ,  H01L2224/83539 ,  H01L2224/83544 ,  H01L2224/83547 ,  H01L2224/83555 ,  H01L2224/83566 ,  H01L2224/8359 ,  H01L2224/836 ,  H01L2224/83695 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/84007 ,  H01L2224/841 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/8492 ,  H01L2224/84951 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/424 ,  H01L2924/00012 ,  H05K3/4661 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01014

摘要： Bei einem Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines Bauteils (10) (z.B. eines Leistungsbauteils und/oder eines (Halbleiter)Bauteils mit mindestens einem Transistor, vorzugsweise einem IGBT (eng. insulated-gate bipolar transistor)) mit zumindest einem Kontakt (40, 50) wird an den zumindest einen Kontakt (40, 50) zumindest ein offenporiges Kontaktstück (60, 70) galvanisch (elektrochemisch oder außenstromfrei) angebunden. Damit wird ein Bauteilmodul gebildet. Der Kontakt (40, 50) ist vorzugsweise ein Flachteil bzw. weist eine Kontaktfläche auf, deren größte flächige Erstreckung größer ist als eine Erstreckung des Kontakts (40, 50) senkrecht zu dieser Kontaktfläche. Die Temperatur der galvanischen Anbindung beträgt höchstens 100 °C, vorzugsweise höchstens 60 °C, zweckmäßig höchstens 20 °C und idealerweise höchstens 5 °C und/oder weicht von der Betriebstemperatur des Bauteils um höchstens 50 °C, vorzugsweise um höchstens 20 °C, insbesondere um höchstens 10 °C und idealerweise um höchstens 5 °C, vorzugsweise höchstens 2 °C, ab. Das Bauteil (10) kann mittels des Kontaktstücks (60, 70) mit einem weiteren Bauteil, Stromleiter und/oder Substrat (90) kontaktiert werden. Vorzugsweise wird ein Bauteil (10) mit zwei Kontakten (40, 50) an einander abgewandten Seiten des Bauteils (10) herangezogen, wobei je Kontakt (40, 50) zumindest ein offenporiges Kontaktstück (60, 70) an dieser galvanisch angebunden wird.

摘要翻译： 在用于电组件（10）（例如，功率成分和/或具有至少一个晶体管，优选（一个IGBT窄。绝缘栅双极晶体管）一个（半导体）装置）与至少一个接触（40，50）接触的方法 到所述至少一个触点（40，50）的至少一个开孔的接触片（60，70）是电（电化学或无电镀免费）附接。 为了使部件模块被形成。 接触（40，50）优选地是平坦的部分或具有接触表面，最大的面积范围大于所述接触（40，50）垂直于延长所述接触表面。 电偶连接的温度为至多100℃，优选至多60℃，有利的是最多20℃，并且理想地不超过5℃和/或不超过50℃，从该部件的运行温度偏离优选最多20℃， 特别地至多10℃，并且理想地不大于5℃，优选至多2℃，从。 成分（10）可以通过所述接触件（60，70）到另一个部件，导体和/或底物（90）的联系方式。 优选地，具有两个触点（40，50）的部件（10）上的部件（10）的相对侧上，其中，每个接触件（40，50）的至少一个开孔的接触片（60，70）电连接到该使用。

公开(公告)号：WO2015170399A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：PCT/JP2014/062469

申请日：2014-05-09

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 伏江　俊祐 ,  川野　佑 ,  浅尾　淑人

IPC分类号： H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84385 ,  H01L2224/84815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H02M7/003 ,  H02M7/537 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099

摘要： 　複数ターミナルからなるリードフレーム上に電子部品およびバスバーを半田実装して形成される半導体モジュールであって、リードフレームは、半田実装される部品の半田部の近傍に、リードフレーム上での半田の流れ方向を規制できる半田流れ抑制部が形成されており、この構成により、実装部品の回転、移動などの位置ズレを抑制し、モジュールサイズを小型化することが可能な半導体モジュールを実現できる。

摘要翻译： 该半导体模块通过将电子部件和母线焊接到包括多个端子的引线框架上而形成。 引线框架形成在能够限制引线框架上的焊料的流动方向的焊料流抑制部分附近形成在待焊接部件的焊料部分附近。 作为该结构的结果，可以实现可以抑制诸如安装部件的移动和旋转等位置偏差的半导体模块，并且可以减小模块尺寸。