公开(公告)号：WO2015000595A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：PCT/EP2014/001824

申请日：2014-07-02

申请人： ROSENBERGER HOCHFREQUENZTECHNIK GMBH & CO. KG

发明人： CAHILL, Sean S. ,  SANJUAN, Eric A.

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/50 ,  H01L23/66

CPC分类号： H01L23/49541 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49506 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L23/64 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/4555 ,  H01L2224/4556 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/8593 ,  H01L2224/85931 ,  H01L2224/85935 ,  H01L2224/85939 ,  H01L2224/85947 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention relates to a die package comprising a die having a plurality of connection pads, a die substrate supporting a plurality of connection elements, a first lead having a first metal core (10) with a first core diameter, and a dielectric layer (20,30) surrounding the first metal core (S1), the dielectric layer (20,30) having a first dielectric thickness that varies along its length and/ or the dielectric layer having an outer metal layer (40, S4) at least partially surrounding the dielectric layer (20,30), for selectively modifying the electrical characteristics of the lead

摘要翻译： 本发明涉及包括具有多个连接焊盘的模具的模具封装，支撑多个连接元件的模具基板，具有第一芯直径的第一金属芯（10）的第一引线和介电层（ 20,30）围绕第一金属芯（S1），具有沿着其长度变化的第一电介质厚度的介电层（20,30）和/或具有至少部分地具有外部金属层（40,44）的电介质层 围绕介电层（20,30），用于选择性地修改引线的电特性

公开(公告)号：WO2016203659A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/JP2015/070861

申请日：2015-07-22

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  榛原　照男 ,  大石　良 ,  齋藤　和之 ,  宇野　智裕

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

摘要： Ｃｕ合金芯材とその表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、１７５℃～２００℃のＨＴＳでのボール接合部の接合信頼性向上と、耐力比（＝最大耐力／０．２％耐力）：１．１～１．６の両立を図る。　ワイヤ中にＮｉ、Ｚｎ、Ｒｈ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｐｔの１種以上を総計で０．０３～２質量％含有することによってＨＴＳでのボール接合部の接合信頼性を向上し、さらにボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が１５度以下である結晶方位＜１００＞の方位比率を５０％以上とし、ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径を０．９～１．３μｍとすることにより、耐力比を１．６以下とする。

摘要翻译： 本发明解决了如下问题：在HTS值为175〜100的情况下，将屈服应力比（= 0.2％屈服应力除以0.2％屈服应力）分别为1.1〜1.6， 在半导体器件用接合线中为200℃，所述接合线具有Cu合金芯和形成在Cu合金芯的表面上的Pd涂层。 通过在线中以0.03-2质量％的总比例包含Ni，Zn，Rh，In，Ir和Pt中的一种或多种，​​可以提高HTS下的球接合部的接合可靠性。 在与芯线的垂直于接合线的线轴方向的截面相关的晶体取向的测量中发现的线的长度方向的晶体取向中，晶体取向的取向比例<100 >相对于导线的长度方向的角度差不超过15度，至少为50％。 通过在芯线的垂直于接合线的线轴的方向的横截面中获得0.9-1.3μm的平均晶粒尺寸，将证明应力比保持在或低于1.6。

公开(公告)号：WO2016098707A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/JP2015/084823

申请日：2015-12-11

申请人： 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

发明人： 小山田　哲哉 ,  宇野　智裕 ,  小田　大造 ,  山田　隆

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/06 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/322 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/435 ,  H01L2224/437 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43826 ,  H01L2224/43827 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45605 ,  H01L2224/45609 ,  H01L2224/45611 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015

摘要： 　Ｇａ，Ｉｎ及びＳｎの１種以上を総計で０．１～３．０ａｔ．％含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる芯材と、前記芯材の表面に形成された、Ｐｄ及びＰｔの１種以上、又は、Ｐｄ及びＰｔの１種以上とＡｇ、を含み、残部が不可避不純物からなる被覆層とを備え、前記被覆層の厚さが０．００５～０．０７０μｍであることを特徴とする、メモリ用ボンディングワイヤに要求されるボール接合信頼性、ウェッジ接合性を同時に満足することができるボンディングワイヤを提供する。

摘要翻译： 提供一种接合线，其特征在于，包括：芯材，其包含总量为0.1〜3.0原子％的Ga，In和Sn中的至少一种，其余为Ag和不可避免的杂质; 以及形成在所述芯材的表面上并且包含Pd和Pt或Ag中的至少一种以及Pd和Pt中的至少一种的涂层，其余部分包含不可避免的杂质; 其中所述涂层的厚度为0.005-0.070μm。 接合线能够同时满足用于存储器的接合线所需的球接合可靠性和楔形粘合性。

公开(公告)号：WO2013167609A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/EP2013/059520

申请日：2013-05-07

申请人： HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG

发明人： MILKE, Eugen ,  PRENOSIL, Peter ,  THOMAS, Sven

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01B1/02

CPC分类号： H01L24/45 ,  B21F9/005 ,  B23K1/0016 ,  B32B15/01 ,  C22C9/00 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  C22F1/08 ,  H01B1/023 ,  H01B1/026 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45617 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4823 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/2076 ,  Y10T428/1275 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

摘要： The invention relates to a wire, preferably a bonding wire for bonding in microelectronics, comprising a copper core (2) with a surface and coating layer (3) superimposed over the surface of the copper core (2), wherein the coating layer (3) comprises aluminium, wherein the ratio of the thickness of the coating layer (3) to the diameter of the copper core (2) is in the range of from 0.05 to 0.2 μm, wherein the ratio of the standard deviation of the diameter of the copper core (2) to the diameter of the copper core (2) is in the range of from 0.005 to 0.05 μm and wherein the ratio of the standard deviation of the thickness of the coating layer (3) to the thickness of the coating layer (3) is in the range of from 0.05 to 0.4 μm, wherein the wire has a diameter in the range of from 100 μιη to 600 μm. The invention further relates to a process for making a wire, to a wire obtainable by said process, to an electric device comprising at least two elements and at least aforementioned wire, to a propelled device comprising said electric device and to a process of connecting two elements through aforementioned wire by wedge bonding.

摘要翻译： 本发明涉及一种电线，优选用于在微电子学中结合的接合线，包括具有叠加在铜芯（2）的表面上的表面和涂层（3）的铜芯（2），其中涂层（3） ）包括铝，其中所述涂层（3）的厚度与所述铜芯（2）的直径的比率在0.05至0.2μm的范围内，其中所述直径的标准偏差 铜芯（2）与铜芯（2）的直径在0.005至0.05μm的范围内，并且其中涂层（3）的厚度的标准偏差与涂层的厚度之比 （3）的范围为0.05-0.4μm，其中线的直径在100μm到600μm之间。 本发明还涉及一种用于将线材制成的方法，可由所述方法获得的线材包括至少包括两个元件和至少前述的线材的电气设备，该电气设备包括所述电气设备的推进设备和连接两个 元素通过上述丝线通过楔形粘结。

公开(公告)号：WO2016204138A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/JP2016/067624

申请日：2016-06-14

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  榛原　照男 ,  大石　良 ,  齋藤　和之 ,  宇野　智裕

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

摘要： Ｃｕ合金芯材と、前記Ｃｕ合金芯材の表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、前記ボンディングワイヤが高温環境下における接続信頼性を付与する元素を含み、下記（１）式で定義する耐力比が１．１～１．６であることを特徴とする。　耐力比＝最大耐力／０．２％耐力　（１）

摘要翻译： 提供一种用于半导体器件的接合线，所述接合线具有形成在Cu合金芯的表面上的Cu合金芯和Pd涂层，其特征在于包括在高温环境中赋予连接可靠性的元件 ，其中由式（1）定义的证明应力比为1.1-1.6。 （1）证明应力比=最大应力/ 0.2％屈服应力。

公开(公告)号：WO2015163297A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/JP2015/062040

申请日：2015-04-21

申请人： 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

发明人： 小山田　哲哉 ,  宇野　智裕 ,  出合　博之

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K35/302 ,  B32B15/018 ,  B32B15/20 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43827 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033

摘要： 　ボール接合部の接合信頼性、ボール形成性を改善し、車載用デバイスに好適なボンディングワイヤを提供する。Cu合金芯材と、前記Cu合金芯材の表面に形成されたPd被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、前記Cu合金芯材がNiを含み、ワイヤ全体に対するNiの濃度が0.1～1.2wt.%であり、前記Pd被覆層の厚さが0.015～0.150μmであることを特徴とする。

摘要翻译： 提供一种接合线，其在球接头中具有改善的接合可靠性和球形性能，并且适用于汽车装置。 一种用于半导体器件的接合线，其具有在Cu合金芯材的表面上形成的Cu合金芯材和Pd涂层，其中Cu合金芯材含有Ni，相对于整个线的Ni的浓度 为0.1〜1.2重量％，Pd被覆层的厚度为0.015〜0.150μm。

公开(公告)号：WO2015093306A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/JP2014/082164

申请日：2014-12-04

申请人： 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

发明人： 宇野　智裕 ,  萩原　快朗 ,  小山田　哲哉 ,  小田　大造

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C9/06

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K35/322 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C9/06 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45032 ,  H01L2224/45101 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45163 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45166 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/386 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01203

摘要： 　異常ループの発生を低減することができるボンディングワイヤを提供する。金属Mを50mol％超含む芯材と、前記芯材の表面に形成され、Ni、Pd、前記金属M及び不可避不純物からなり、前記Niの濃度が15～80mol％である中間層と、前記中間層上に形成され、Ni、Pd及び不可避不純物からなり、前記Pdの濃度が50～100mol％である被覆層とを備え、前記金属MがCu又はAgであり、前記被覆層のNi濃度が前記中間層のNi濃度よりも低いことを特徴とする。

摘要翻译： 提供了可以减少缺陷环的发生的接合线。 本发明提供：包含大于50mol％的金属（M）的芯材料; 在芯材的表面上形成的中间层包含Ni，Pd，金属（M）和不可避免的杂质，Ni的浓度为15〜80摩尔％。 并且在中间层上形成的涂层包含Ni，Pd和不可避免的杂质，并且Pd浓度为50-100摩尔％。 本发明的特征在于：金属（M）是Cu或Ag; 并且涂层的Ni浓度低于中间层的Ni浓度。