公开(公告)号：WO2016030050A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：PCT/EP2015/064672

申请日：2015-06-29

Applicant: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG

Inventor： KIM, Ki Ho ,  TARK, Yong -Deok ,  KANG, Il Tae ,  KIM, Byoung Gil ,  KIM, Tae Yeop

IPC: H01L23/49

CPC classification number: H01L24/43 ,  H01B1/02 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2224/05599

Abstract: There are provided a bonding wire and a method of manufacturing the bonding wire. The bonding wire includes 90.0 to 99.0 wt% of silver (Ag); 0.2 to 2.0 wt% of gold (Au); 0.2 to 4.0 wt% of palladium (Pd), platinum (Pt) or rhodium (Rh), or a combination thereof; 10 to 1000 ppm of dopants; and inevitable impurities, in which a ratio of (a)/(b) is 3 to 5. The (a) refers to the amount of crystal grains having orientation in crystalline orientations in a wire lengthwise direction, and the (b) refers to the amount of crystal grains having orientation in crystalline orientations in the wire lengthwise direction.

Abstract translation: 提供了接合线和制造接合线的方法。 接合线包含90.0〜99.0重量％的银（Ag）; 0.2〜2.0重量％的金（Au）; 钯（Pd），铂（Pt）或铑（Rh）的0.2〜4.0重量％，或其组合; 10〜1000ppm的掺杂剂; 和（a）/（b）的比例为3〜5的不可避免的杂质。（a）是指在电线长度方向上的结晶取向的<100>取向的晶粒的量， （b）是指在电线长度方向上的结晶取向中具有<111>取向的晶粒的量。

公开(公告)号：WO2005057653A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：PCT/CA2004/002140

申请日：2004-12-15

Applicant: MICROBONDS, INC. ,  WANG, Daniel ,  LYN, Robert, J. ,  PERSIC, John, I.

Inventor： WANG, Daniel ,  LYN, Robert, J. ,  PERSIC, John, I.

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L21/485 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5382 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01006

Abstract: An integrated circuit package comprising a substrate having terminal pads arranged in at least one row along a perimeter of a surface of the substrate, vias connecting the terminal pads directly to connectors on an opposite side of the substrate, a semiconductor chip mounted on the substrate, inside the perimeter, the chip having bond pads located on a surface of the chip, and a plurality of insulated bond wires, each of the bond wires extending from a bond pad on the chip to a terminal pad on the substrate, the substrate being sized and shaped to provide a sufficient number of rows of terminal pads and associated vias so that horizontal traces through the substrate are not required.

Abstract translation: 一种集成电路封装，包括：衬底，具有沿着衬底的表面的周边排列成至少一行的端子焊盘，将端子焊盘直接连接到衬底相对侧上的连接器的通孔;安装在衬底上的半导体芯片; 在周边内，芯片具有位于芯片表面上的接合焊盘，以及多个绝缘接合线，每个接合线从芯片上的接合焊盘延伸到衬底上的端子焊盘，衬底的尺寸 并且成形为提供足够数量的端子焊盘和相关通孔的行，使得不需要穿过基板的水平迹线。

公开(公告)号：WO2014137286A1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：PCT/SG2014/000064

申请日：2014-02-19

Applicant: HERAEUS MATERIALS SINGAPORE PTE.LTD.

Inventor： CHEW, Yeong, Huey ,  SARANGAPANI, Murali ,  MILKE, Eugen

IPC: H01L23/49 ,  C22C9/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/43 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43985 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/85099 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034

Abstract: The invention is related to a bonding wire, comprising a core (2) with a surface, wherein the core comprises copper as a main component, and a coating layer (3) superimposed over the surface of the core (2), wherein the coating layer (3) comprises palladium as a main component, wherein the core (2) comprises at least 5 wt.ppm silver and at least 20 wt. ppm phosphorus as further components, wherein the wire meets the relation 0.0008

Abstract translation: 本发明涉及一种接合线，其包括具有表面的芯（2），其中所述芯包括铜作为主要成分，以及重叠在所述芯（2）的表面上的涂层（3），其中所述涂层 层（3）包括钯作为主要成分，其中芯（2）包含至少5重量ppm的银和至少20重量％ ppm磷作为其他组分，其中线满足关系0.0008

公开(公告)号：WO2007098306A3

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：PCT/US2007060845

申请日：2007-01-22

Applicant: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC ,  LEE CHU-CHUNG ,  HESS KEVIN J

Inventor： LEE CHU-CHUNG ,  HESS KEVIN J

IPC: H01L21/44

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/01202

Abstract: A bond pad (25) for an electronic device (10) such as an integrated circuit makes electrical connection to an underlying device (14) via an interconnect layer (16). The bond pad has a first layer (24) of a material that is aluminum and copper and a second layer (26), over the first layer (26), of a second material that is aluminum and is essentially free of copper. The second layer (26) functions as a cap to the first layer (24) for preventing copper in the first layer (24) from being corroded by residual chemical elements. A wire (32) such as a gold wire may be bonded to the second layer (26) of the bond pad.

Abstract translation: 用于诸如集成电路的电子设备（10）的接合焊盘（25）经由互连层（16）电连接到下面的设备（14）。 接合焊盘具有铝和铜的材料的第一层（24）和在第一层（26）上的第二材料的第二层（26），第二材料是铝并且基本上不含铜。 第二层（26）用作第一层（24）的盖，用于防止第一层（24）中的铜被残留的化学元素腐蚀。 诸如金线的线（32）可以结合到接合焊盘的第二层（26）。

公开(公告)号：WO00015858A1

公开(公告)日：2000-03-23

申请号：PCT/US1999/021217

申请日：1999-09-14

IPC: C22C5/02 ,  C22C9/00 ,  H01L21/60 ,  H01H1/02 ,  C22C21/00

CPC classification number: H01L24/43 ,  C22C5/02 ,  C22C9/00 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/30107 ,  Y10T428/1216 ,  Y10T428/12222 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013

Abstract: A metal alloy composite comprising a phase of a highly-conductive base metal in the form of a matrix and a phase of another metal positioned within the matrix, the base metal being present in a major amount and the other metal being present in a minor amount, the metal alloy composite being capable of being formed into a very thin wire for use in a semiconductor application which includes a terminal assembly comprising an electrically conductive terminal in conductive contact with a conductive member and another electrically conductive terminal in conductive contact with a semiconductor, said terminals being joined by said alloy composite wire, examples of the base metal being gold, copper, and aluminum.

Abstract translation: 一种金属合金复合材料，其包含基体形式的高导电性基体金属和位于基体内的另一种金属的相，所述贱金属以大量存在，而另一种金属以少量存在 该金属合金复合体能够形成为用于半导体应用的非常细的导线，其包括端子组件，该端子组件包括与导电部件导电接触的导电端子和与半导体导电接触的另一个导电端子， 所述端子由所述合金复合线连接，所述基体金属的实例为金，铜和铝。

公开(公告)号：WO2016175040A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：PCT/JP2016/062041

申请日：2016-04-14

Applicant: 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

Inventor： 荒木　典俊 ,  山田　隆 ,  榛原　照男 ,  大石　良 ,  宇野　智裕

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/745 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4556 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/745 ,  H01L2224/781 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85054 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2224/05599

Abstract: Ｃｕを主成分とする芯材と、前記芯材の表面にＰｄを主成分とする被覆層とを有するボンディングワイヤ（１）の先端にボール部を形成するボール形成方法において、常温、常圧で気体である炭化水素を含む非酸化雰囲気ガス（５）中で前記ボール部を形成することを特徴とする、Ｐｄ被覆Ｃｕボンディングワイヤの先端にボールを形成する際にボール表面のＰｄ被覆率を向上することができるボール形成方法を提供する。

Abstract translation: 提供一种用于在具有Cu作为主要成分的芯材的接合线（1）的末端处形成球部的球形成法，以及在芯材表面上的涂层， 具有Pd作为主要成分，其中，球形成方法的特征在于，在室温和大气压下含有烃并且为气体的非氧化性气体气体（5）中形成球部。 球形成方法使得可以在Pd涂覆的Cu键合线的尖端处形成球时提高球表面的Pd涂层比。

公开(公告)号：WO2016022068A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：PCT/SG2015/000134

申请日：2015-07-28

Applicant: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG ,  HERAEUS MATERIALS SINGAPORE PTE., LTD.

Inventor： SARANGAPANI, Murali ,  ZHANG, Xi ,  YEUNG, Ping Ha ,  MILKE, Eugen

IPC: H01L23/49

CPC classification number: H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/01005

Abstract: A ball-bond arrangement comprising an aluminum bond pad of a semiconductor device and a wire ball-bonded to the aluminum bond pad, wherein the wire has a diameter of 10 to 80 pm and comprises a core consisting of a copper alloy consisting of 0.05 to 3 wt.-% of palladium and/or platinum with copper as the remainder to make up 100 wt.-%.

Abstract translation: 一种球形接合装置，包括半导体器件的铝接合焊盘和与所述铝接合焊盘接合的线材，其中所述电线具有10至80μm的直径，并且包括由铜合金构成的芯体，所述铜合金由0.05至 3重量％的钯和/或铂，其余为铜，以构成100重量％。

公开(公告)号：WO2014083805A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：PCT/JP2013/006818

申请日：2013-11-20

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 小屋　賢一 ,  米倉　勇 ,  深町　大輔 ,  原野　慎也

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L24/45 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48482 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 　第１の電極に第１のボンド部を形成し、この第１のボンド部から配線したワイヤ（６）に対して、第２の電極に形成されたバンプ（Ｂ）にキャピラリ（Ｃ）の先端を押圧して、キャピラリ（Ｃ）の先端の押圧面（Ｓ１）の形状が転写された第２のボンド部（６２）を形成する。ワイヤ（６）が細くなり始める第２のボンド部（６２）の基端（Ｐ１）を、接合面（Ｓ２）の長さに対して１０％以上、一端Ｐ２１からバンプ（Ｂ）側に入り込ませて、キャピラリ（Ｃ）によりワイヤ（６）を切断する。

Abstract translation: 在本发明中，在第一电极上形成第一接合部，相对于从第一接合部布线的线（6），第二接合部（62）通过按压毛细管的前端 C）到形成在第二电极上的凸点（B），所述第二接合部分具有被转印到毛细管（C）的前端的按压表面（S1）的形状。 第二接合部分（62）的基端（P1），所述基端是导线（6）开始变薄的一端，从一端（P21）进一步朝着凸块（B）侧靠近10 相对于接合面（S2）的长度为％以上，通过毛细管（C）切断线（6）。

公开(公告)号：WO2013167614A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/EP2013/059528

申请日：2013-05-07

Applicant: HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG

Inventor： MILKE, Eugen ,  PRENOSIL, Peter ,  THOMAS, Sven

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01B1/02

CPC classification number: H01L24/48 ,  B21C1/003 ,  B21C9/00 ,  B32B15/01 ,  H01B1/023 ,  H01B1/026 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45033 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/2075 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T428/1275 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049

Abstract: The invention relates to a ribbon, preferably a bonding ribbon for bonding in microelectronics, comprising a first layer (2) comprising copper with a surface and at least a coating layer (3) superimposed over the surface of the first layer (2), wherein the coating layer (3) comprises aluminium, and an intermediate layer (7), wherein in a cross-sectional view of the ribbon the area share of the first layer (2) is in the range of from 50 to 96 %, based on the total area of the cross-section of the ribbon, wherein the aspect ratio between the width and the height of the ribbon in a cross-sectional view is in the range of from 0.03 to less than 0.8, wherein the ribbon has a cross-sectional area in the range of from 25Ό00 μιη 2 to 800Ό00 μιη 2 , wherein the intermediate layer (7) is arranged between the first layer (2) and the coating layer (7), wherein the intermediate layer (7) comprises at least one intermetallic phase comprising material of the first layer (2) and material of the coating layer (3). The invention further relates to a process for making a wire, to a wire obtainable by said process, to an electric device comprising at least two elements and at least aforementioned wire, to a propelled device comprising said electric device and to a process of connecting two elements through aforementioned wire by wedge-bonding.

Abstract translation: 本发明涉及一种带状物，优选用于在微电子学中粘合的结合带，其包含第一层（2），该第一层（2）包括具有表面的铜和至少覆盖在第一层（2）的表面上的涂层（3），其中 所述涂层（3）包括铝和中间层（7），其中在所述带的横截面视图中，基于所述第一层（2）的面积份额在50至96％的范围内，基于 所述带的横截面的总面积，其中所述带的宽度和高度之间的纵横比在横截面视图中在0.03至小于0.8的范围内，其中所述带具有横截面， 其中中间层（7）布置在第一层（2）和涂层（7）之间，其中中间层（7）包括在第二层（7）和第二层 至少一个包含第一层（2）和m的材料的金属间相 涂覆层（3）的空隙。 本发明还涉及一种用于将线材制成的方法，可由所述方法获得的线材包括至少包括两个元件和至少前述的线材的电气设备，该电气设备包括所述电气设备的推进设备和连接两个 元件通过上述丝线通过楔形键合。

公开(公告)号：WO2013140745A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：PCT/JP2013/001591

申请日：2013-03-12

Applicant: 住友ベークライト株式会社

Inventor： 伊藤　慎吾

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48451 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85948 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033

Abstract: 　半導体装置は、基板に搭載された半導体素子と、アルミニウムを主成分とし、半導体素子に設けられた電極パッドと、基板に設けられた接続端子と電極パッドとを接続し、銅を主成分する銅ワイヤと、半導体素子及び銅ワイヤを封止する封止樹脂と、を有する。この半導体装置は、大気中２００℃で１６時間加熱したとき、銅ワイヤと電極パッドとの接合部に、パラジウム及び白金のいずれかから選択される金属を含むバリア層が形成される。

Abstract translation: 一种半导体器件，具有：安装在基板上的半导体元件; 设置在半导体元件上并具有铝作为其主要成分的电极焊盘; 连接设置在基板上的连接端子与电极焊盘之间并具有铜作为其主要部件的铜线; 以及密封半导体元件和铜线的密封树脂。 当在200℃的大气温度下将该半导体器件加热16小时时，在铜线和电极焊盘之间的接合部分处形成包括选自钯或铂的金属的阻挡层。