公开(公告)号：WO2017013817A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：PCT/JP2015/086550

申请日：2015-12-28

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  大石　良 ,  宇野　智裕

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45847 ,  H01L2224/45944 ,  H01L2224/45964 ,  H01L2224/4801 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01083

摘要： Ｃｕ合金芯材の表面にＰｄを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にＡｕとＰｄを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤであって、Ｐｄめっきリードフレームでの２ｎｄ接合性をさらに改善するとともに、高湿加熱条件においても優れたボール接合性を実現することのできるボンディングワイヤを提供する。　Ｃｕ合金芯材の表面にＰｄを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にＡｕとＰｄを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ワイヤ最表面におけるＣｕ濃度を１～１０ａｔ％とし、芯材中に元素周期表第１０族の金属元素を総計で０．１～３．０質量％の範囲で含有することにより、２ｎｄ接合性の改善と、高湿加熱条件における優れたボール接合性を実現することができる。さらに、表皮合金層のＡｕの最大濃度が１５ａｔ％～７５ａｔ％であると好ましい。

摘要翻译： 提供一种用于半导体器件的接合线，所述接合线包括在Cu合金芯的表面上主要由Pd组成的涂层和在涂层的表面上含有Au和Pd的覆盖合金层，其中第二接合 Pd镀层引线框架的性能进一步提高，即使在高湿度和高温条件下也能实现优异的球接合性能。 在用于半导体器件的接合线中，所述接合线包括在Cu合金芯的表面上主要由Pd构成的涂层和在涂层的表面上含有Au和Pd的覆盖合金层，Cu的浓度 在金属丝的最外表面上设定为1-10at％，并且芯包含元素周期表第10族中的金属元素的总计0.1-3.0质量％，从而提高第二接合性能，并且能够实现优异的球 在高湿度和热条件下达到的粘结性能。 此外，覆盖合金层中的Au的最大浓度优选为15〜75原子％。

公开(公告)号：WO2017008956A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/EP2016/062931

申请日：2016-06-08

申请人： HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG

发明人： SCHARF, Jürgen ,  BEHL, Christin ,  KÄSS, Steffen ,  THOMAS, Sven

IPC分类号： C25D5/50 ,  B21C1/00 ,  C25D7/06 ,  C25D17/02 ,  C23C18/16 ,  H01L23/00 ,  C25D3/48 ,  C25D3/50

CPC分类号： C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1692 ,  C25D3/48 ,  C25D3/50 ,  C25D5/50 ,  C25D7/0607 ,  C25D17/02 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： Verfahren zur Beschichtung eines Drahtes aus einem Metall 1 ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kupfer, Silber, Gold, Nickel sowie Legierungen eines dieser Metalle mit mindestens einem anderen Metall mit einer Mantelschicht aus einem von Metall 1 verschiedenen Metall 2 ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Nickel, Silber, Gold, Ruthenium, Platin, Palladium, Rhodium sowie Legierungen eines dieser Metalle mit mindestens einem anderen Metall, umfassend die Schritte: (a) Bereitstellung eines Drahtes mit einer Querschnittsfläche im Bereich von 75 bis 200000 μιτι2 aus einem Metall 1, (b) Bereitstellung eines Behälters mit einer Einlassöffnung für den Draht, wobei der Umriss der Einlassöffnung dem des zu ummantelnden Drahtes entspricht oder einen bis zu 20 μιτι breiten wenigstens teilweise um den Drahtumriss umlaufenden Spalt bildet, (c) Einführen des Drahtes in die Einlassöffnung, (d) Einfüllen einer zum Aufbringen der Mantelschicht aus dem von Metall 1 verschiedenen Metall 2 geeigneten flüssigen Beschichtungszusammensetzung in den Behälter, (e) gerades Hindurchführen des Drahtes durch die flüssige Beschichtungszusammensetzung und den Behälter und Verlassen des Behälters in beschichteter Form, und (f1 ) Trocknen des in Schritt (e) beschichteten Drahtes oder (f2) thermisches Behandeln des in Schritt (e) beschichteten Drahtes, wobei (i) es sich bei der flüssigen Beschichtungszusammensetzung um eine eine außenstromlose Applikation von Metall 2 auf ein Substrat aus dem Metall 1 erlaubende Zusammensetzung handelt oder (ii) der Draht als Kathode geschaltet ist und es sich bei der flüssigen Beschichtungszusammensetzung um eine eine Elektroplattierung mit Metall 2 eines als Kathode geschalteten Substrates aus dem Metall 1 erlaubende Zusammensetzung handelt.

摘要翻译： 一种用于涂覆由金属1的金属丝过程选自由铜，银，金，镍组成的组中，以及这些金属与具有不同金属1金属2的包覆层的至少一种其它金属的合金选自镍的组中选出 ，银，金，钌，铂，钯，铑，以及这些金属与至少一种其它金属，包括以下步骤的合金：（a）提供在范围内具有的横截面面积的导线75至200,000μιτι2金属1（b ）提供具有用于导线的入口开口（的容器，其中所述入口开口的轮廓对应于导线或形式被护套至多20μιτι宽至少部分地环绕所述金属丝轮廓间隙（c）将所述导线插入所述入口开口部d ）将用于施加各种金属1的涂层 金属2合适的液体涂料组合物到所述容器，（e）中直使线材通过液体涂料组合物和容器和离开容器以包衣形式，和（F1）干燥步骤（e）涂覆的电线，或（F2）热处理 在步骤（e）涂覆的金属丝，其特征在于，（i）其是在液体涂料组合物中的金属1，允许组合物的基材是金属2的无电镀应用，或（ii）所述金属丝被连接作为阴极，它是 是液体涂料组合物以与连接为从金属1允许组合物中的阴极的基板2的金属电镀。

公开(公告)号：WO2012151002A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：PCT/US2012/028738

申请日：2012-03-12

申请人： TESSERA, INC. ,  SATO, Hiroaki ,  KANG, Teck-Gyu ,  HABA, Belgacem ,  OSBORN, Philip, R. ,  WANG, Wei-Shun ,  CHAU, Ellis ,  MOHAMMED, Ilyas ,  MASUDA, Norihito ,  SAKUMA, Kazuo ,  HASHIMOTO, Kiyoaki ,  INETARO, Kurosawa ,  KIKUCHI, Tomoyuki

发明人： SATO, Hiroaki ,  KANG, Teck-Gyu ,  HABA, Belgacem ,  OSBORN, Philip, R. ,  WANG, Wei-Shun ,  CHAU, Ellis ,  MOHAMMED, Ilyas ,  MASUDA, Norihito ,  SAKUMA, Kazuo ,  HASHIMOTO, Kiyoaki ,  INETARO, Kurosawa ,  KIKUCHI, Tomoyuki

IPC分类号： H01L25/10 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/17179 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45101 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49105 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A microelectronic assembly (210) includes a substrate (212) having a first surface (214) and a second surface (216) remote from the first surface (214). A microelectronic element (222) overlies the first surface (214) and first electrically conductive elements (228) are exposed at one of the first surface (214) and the second surface (222). Some of the first conductive elements (228) are electrically connected to the microelectronic element (222). Wire bonds (232) have bases (234) joined to the conductive elements (228) and end surfaces (238) remote from the substrate (212) and the bases (234), each wire bond (232) defining an edge surface (237) extending between the base (234) and the end surface (238). An encapsulation layer (242) extends from the first surface (214) and fills spaces between the wire bonds (232) such that the wire bonds (232) are separated by the encapsulation layer (242). Unencapsulated portions of the wire bonds (232) are defined by at least portions of the end surfaces (238) of the wire bonds that are uncovered by the encapsulation layer (242).

摘要翻译： 微电子组件（210）包括具有远离第一表面（214）的第一表面（214）和第二表面（216）的基底（212）。 微电子元件（222）覆盖在第一表面（214）上，并且第一导电元件（228）在第一表面（214）和第二表面（222）之一处露出。 第一导电元件（228）中的一些电连接到微电子元件（222）。 线接合件（232）具有接合到导电元件（228）的基底（234）和远离基底（212）和基底（234）的端面（238），每个线接合（232）限定边缘表面（237） ）在所述基座（234）和所述端面（238）之间延伸。 封装层（242）从第一表面（214）延伸并填充引线键合（232）之间的空间，使得引线键合（232）由封装层（242）分离。 引线键合（232）的未封装部分由未被封装层（242）覆盖的引线接合的至少部分（238）限定。

公开(公告)号：WO2009009436A2

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：PCT/US2008/069224

申请日：2008-07-03

申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC. ,  ENG, Meow, Koon ,  CHIA, Yong, Poo ,  BOON, Suan, Jeung

发明人： ENG, Meow, Koon ,  CHIA, Yong, Poo ,  BOON, Suan, Jeung

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L25/10

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/82 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/522 ,  H01L24/19 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85909 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1064 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： Packaged semiconductor assemblies including interconnect structures and methods for forming such interconnect structures are disclosed herein. One embodiment of a packaged semiconductor assembly includes a support member having a first bond-site and a die carried by the support member having a second bond-site. An interconnect structure is connected between the first and second bond-sites and includes a wire that is coupled to at least one of the first and second bond-sites. The interconnect structure also includes a third bond-site coupled to the wire between the first and second bond-sites.

摘要翻译： 包括用于形成这种互连结构的互连结构和方法的封装半导体组件在本文中公开。 封装半导体组件的一个实施例包括具有第一结合位置的支撑构件和由具有第二结合位点的支撑构件承载的模具。 互连结构连接在第一和第二结合位点之间，并且包括耦合到第一和第二键合位置中的至少一个的导线。 互连结构还包括在第一和第二键合位点之间耦合到线的第三键位置。

公开(公告)号：WO2008061865A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：PCT/EP2007/061766

申请日：2007-10-31

申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  IBM UNITED KINGDOM LIMITED ,  DAUBENSPECK, Timothy, Harrison ,  SAUTER, Wolfgang ,  GAMBINO, Jeffrey, Peter ,  MUZZY, Christopher, David

发明人： DAUBENSPECK, Timothy, Harrison ,  SAUTER, Wolfgang ,  GAMBINO, Jeffrey, Peter ,  MUZZY, Christopher, David

IPC分类号： B23K1/20 ,  B23K20/24 ,  H01L25/065

CPC分类号： B23K1/20 ,  B23K1/0016 ,  B23K20/004 ,  B23K20/24 ,  B23K2201/40 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/85011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： Methods of forming wire and solder bond structures are disclosed. In one embodiment, a method includes providing a structure including a wire bond metal region (102) for the wire bond and a solder bond metal region (104) for the solder bond; forming a protective layer (250) over the wire bond metal region only; forming a silicon nitride layer (106) over a silicon oxide layer (108) over the wire bond metal region and the solder bond metal region,- forming the solder bond to the solder bond metal region while maintaining the wire bond metal region covered; exposing the wire bond metal region including removing the protective layer; and forming the wire bond to the wire bond metal region. Wire bond and solder bond structures can be made accessible on a single multi-part wafer (MPW) wafer or on a single chip, if necessary.

摘要翻译： 公开了形成线和焊接结合结构的方法。 在一个实施例中，一种方法包括提供一种结构，其包括用于引线键合的引线键合金属区域（102）和用于焊点的焊接接合金属区域（104） 仅在引线键合金属区域上形成保护层（250）; 在所述引线接合金属区域和所述焊接金属区域上方的氧化硅层（108）上形成氮化硅层（106）， - 在保持所述引线接合金属区域的同时，形成所述焊料接合到所述焊料接合金属区域; 使引线接合金属区域露出，包括去除保护层; 并且将线接合形成到引线接合金属区域。 如果需要，可以在单个多部件晶片（MPW）晶片上或单个芯片上使引线键合和焊接结合结构可访问。

公开(公告)号：WO2007138535A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：PCT/IB2007/051972

申请日：2007-05-25

申请人： NXP B.V. ,  WYLAND, Chris

发明人： WYLAND, Chris

IPC分类号： H01L23/49 ,  C22C1/10 ,  C22C32/00

CPC分类号： C22C1/1036 ,  B22F2998/00 ,  H01L23/66 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45186 ,  H01L2224/45198 ,  H01L2224/45244 ,  H01L2224/45386 ,  H01L2224/45387 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/4557 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/456 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  Y10S505/704 ,  Y10S505/74 ,  Y10S505/813 ,  Y10T428/12056 ,  Y10T428/2942 ,  Y10T428/2949 ,  B22F5/12 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

摘要： Bond wires for integrated circuits are implemented using a variety of methods. Using one such method, a composite bond wire is produced for use in an integrated circuit. A conductive material is melted and mixed with a material of particles less than 100 micrometers in size to create a mixture. The mixture is used to create the composite bond wire. A composite wire having an inner core and an outer layer having a higher conductivity than the inner core is also provided. The outer layer is designed to be thicker than the skin depth at the operating frequency for carrying AC signals.

摘要翻译： 用于集成电路的接合线使用各种方法来实现。 使用一种这样的方法，制造用于集成电路的复合键合线。 将导电材料熔融并与尺寸小于100微米的颗粒材料混合以产生混合物。 该混合物用于生成复合键合线。 还提供了具有内芯和具有比内芯更高的导电性的外层的复合线。 外层设计为比用于承载交流信号的工作频率处的皮肤深度更厚。

公开(公告)号：WO2016203659A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/JP2015/070861

申请日：2015-07-22

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  榛原　照男 ,  大石　良 ,  齋藤　和之 ,  宇野　智裕

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

摘要： Ｃｕ合金芯材とその表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、１７５℃～２００℃のＨＴＳでのボール接合部の接合信頼性向上と、耐力比（＝最大耐力／０．２％耐力）：１．１～１．６の両立を図る。　ワイヤ中にＮｉ、Ｚｎ、Ｒｈ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｐｔの１種以上を総計で０．０３～２質量％含有することによってＨＴＳでのボール接合部の接合信頼性を向上し、さらにボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が１５度以下である結晶方位＜１００＞の方位比率を５０％以上とし、ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径を０．９～１．３μｍとすることにより、耐力比を１．６以下とする。

摘要翻译： 本发明解决了如下问题：在HTS值为175〜100的情况下，将屈服应力比（= 0.2％屈服应力除以0.2％屈服应力）分别为1.1〜1.6， 在半导体器件用接合线中为200℃，所述接合线具有Cu合金芯和形成在Cu合金芯的表面上的Pd涂层。 通过在线中以0.03-2质量％的总比例包含Ni，Zn，Rh，In，Ir和Pt中的一种或多种，​​可以提高HTS下的球接合部的接合可靠性。 在与芯线的垂直于接合线的线轴方向的截面相关的晶体取向的测量中发现的线的长度方向的晶体取向中，晶体取向的取向比例<100 >相对于导线的长度方向的角度差不超过15度，至少为50％。 通过在芯线的垂直于接合线的线轴的方向的横截面中获得0.9-1.3μm的平均晶粒尺寸，将证明应力比保持在或低于1.6。

公开(公告)号：WO2014173595A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：PCT/EP2014/055829

申请日：2014-03-24

申请人： EPCOS AG

发明人： KLOIBER, Gerald ,  STRALLHOFER, Heinz

IPC分类号： H01C1/144 ,  H01L23/00 ,  H05B3/86 ,  H01C7/04

CPC分类号： H01B5/02 ,  B23K20/023 ,  H01B1/02 ,  H01C1/1413 ,  H01C1/144 ,  H01C7/04 ,  H01C17/283 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/85203

摘要： Es wird eine Vorrichtung (100) mit einem Grundkörper (1) aufweisend eine Elektrode (11) und mit einem Kontaktelement (2) angegeben. Das Kontaktelement (2) ist direkt mechanisch und elektrisch leitfähig mit der Elektrode (11) verbunden, um eine elektrische Verbindung (3) zwischen dem Grundkörper (1) und dem Kontaktelement (11) zu bilden. Die elektrische und mechanische Verbindung (3) zwischen der Elektrode (11) und dem Kontaktelement ist frei von Aufschmelzbereichen der an der Verbindung (3) beteiligten Materialien der Elektrode (11) und des Kontaktelements (2). Weiterhin ist die Verbindung (3) verbindungsmaterialfrei, beispielsweise lotmaterialfrei, realisiert.

摘要翻译： 提供了一种装置（100）具有基体（1），包括一个电极（11）和与接触元件（2）。 所述接触元件（2）是直接地机械和导电连接到连接以形成所述基体（1）和接触元件（11）之间的电连接（3）的电极（11）。 所述电极（11）和接触元件之间的电气和机械连接（3）的自由参与由Aufschmelzbereichen到化合物（3）的电极（11）和所述接触元件的材料（2）。 此外，化合物（3）是自由的材料化合物，例如lotmaterialfrei实现。

公开(公告)号：WO2013177134A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：PCT/US2013/041981

申请日：2013-05-21

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： MOHAMMED, Ilyas

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/538 ,  H01L25/10 ,  H01L21/48 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76892 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/06 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/45 ,  H01L24/49 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45101 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/182 ,  H01L2924/191 ,  H01L2924/19107 ,  H05K3/4046 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2203/1461 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01049

摘要： A method for making a microelectronic unit (10) includes forming wire bonds (32) on a conductive bonding surface (30') of a patternable metallic element (28'). The wire bonds are formed having bases (34) joined to the first surface and end surfaces (38) remote from the first surface. The wire bonds have edge surfaces (36) extending between the bases and the end surfaces. The method also includes forming a dielectric encapsulation layer (42) over a portion of the first surface of the conductive layer and over portions of the wire bonds such that unencapsulated portions of the wire bonds are defined by end surfaces or portions of the edge surfaces that are uncovered by the encapsulation layer. The metallic element is patterned to form first conductive elements (28) beneath the wire bonds and insulated from one another by portions of the encapsulation layer.

摘要翻译： 制造微电子单元（10）的方法包括在可图案化金属元件（28'）的导电接合表面（30'）上形成引线接合（32）。 线接合形成有与第一表面和远离第一表面的端面（38）接合的基部（34）。 线接合具有在基部和端面之间延伸的边缘表面（36）。 该方法还包括在导电层的第一表面的一部分上形成电介质封装层（42），并且在引线的部分上键合，使得引线接合的未封装部分由端表面或边缘表面的部分限定， 被封装层覆盖。 金属元件被图案化以在引线键合之下形成第一导电元件（28），并且通过封装层的一部分彼此绝缘。

公开(公告)号：WO2013126269A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：PCT/US2013/026126

申请日：2013-02-14

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： CO, Reynaldo ,  MIRKARIMI, Laura

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L23/00 ,  H01L25/10

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05599

摘要： A microelectronic assembly (10) includes a substrate (12) having a first and second opposed surfaces. A microelectronic element (22) overlies the first surface and first electrically conductive elements (28) can be exposed at at least one of the first surface or second surfaces. Some of the first conductive elements (28) are electrically connected to the microelectronic element (22). Wire bonds (32) have bases (34) joined to the conductive elements (28) and end surfaces (38) remote from the substrate and the bases, each wire bond defining an edge surface (37) extending between the base and the end surface. An encapsulation layer (42) can extend from the first surface and fill spaces between the wire bonds, such that the wire bonds can be separated by the encapsulation layer. Unencapsulated portions of the wire bonds (32) are defined by at least portions of the end surfaces (38) of the wire bonds that are uncovered by the encapsulation layer (42).

摘要翻译： 微电子组件（10）包括具有第一和第二相对表面的衬底（12）。 微电子元件（22）覆盖在第一表面上，并且第一导电元件（28）可以在第一表面或第二表面中的至少一个处露出。 一些第一导电元件（28）电连接到微电子元件（22）。 线接合（32）具有接合到导电元件（28）和远离基板和基座的端表面（38）的基部（34），每个引线接合限定在基部和端面之间延伸的边缘表面（37） 。 封装层（42）可以从第一表面延伸并填充引线键合之间的空间，使得引线键合可以被封装层分离。 线接合（32）的未封装的部分由未被封装层（42）覆盖的引线接合的端面（38）的至少一部分限定。